3dnand 相關(guān)文章(55篇)
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三星3D NAND閃存工藝取得重大突破
發(fā)表于：2024/11/27 11:02:05
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NEO半導(dǎo)體推出3D X-AI芯片
發(fā)表于：2024/8/16 10:10:25
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鎧俠目標(biāo)2027年3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)1000層堆疊
發(fā)表于：2024/6/28 8:55:00
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁
發(fā)表于：2024/6/21 8:30:38
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美光 1.5TB microSD 卡開始上市,，采用 176 層 NAND 閃存
發(fā)表于：2023/2/8 6:31:35
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)或?qū)⒃?024年退出3D NAND市場(chǎng)
發(fā)表于：2022/12/22 9:12:37
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復(fù)享光學(xué)首次提出薄膜神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 3D NAND多層薄膜量測(cè)獲突破
發(fā)表于：2022/12/6 21:08:04
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三星宣布,，236層3D NAND量產(chǎn)
發(fā)表于：2022/11/7 11:55:37
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SK海力士宣布在中國(guó)新建3D NAND工廠
發(fā)表于：2022/5/20 5:48:09
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鎧俠將擴(kuò)建位于北上市的工廠,， 以提高3D NAND閃存產(chǎn)量
發(fā)表于：2022/3/23 22:08:14
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鎧俠談3D NAND閃存技術(shù)的未來
發(fā)表于：2021/9/29 9:41:43
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兼具高速率和安全性：儒卓力提供宇瞻科技超高速工業(yè)PCIeSSD產(chǎn)品 PV140-25
發(fā)表于：2021/6/9 23:52:34
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183億美元,！鎧俠擬斥巨資建造3D NAND工廠
發(fā)表于：2021/5/16 1:23:59
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SK海力士預(yù)測(cè)存儲(chǔ)未來：3D NAND600層以上，DRAM10nm以下
發(fā)表于：2021/3/28 19:42:09
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?SK海力士展示存儲(chǔ)未來：600層3D NAND,，用EUV造DRAM
發(fā)表于：2021/3/25 13:54:12
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外媒：長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年將超越三星,、美光
發(fā)表于：2021/1/13 13:12:41
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SK海力士發(fā)布176層3D NAND
發(fā)表于：2020/12/8 11:57:27
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中國(guó)芯片制造突圍之路在哪長(zhǎng)，江存儲(chǔ)楊士寧一語點(diǎn)破
發(fā)表于：2020/11/21 23:22:47
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?TechInsights講述3D NAND閃存的發(fā)展方向
發(fā)表于：2020/11/19 10:02:24
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上海新陽(yáng)擬定增募資,，8.15億元用于光刻膠項(xiàng)目
發(fā)表于：2020/11/4 6:24:41
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投建3D NAND閃存主控芯片等項(xiàng)目，德明利創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理
發(fā)表于：2020/10/17 10:20:09
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泛林集團(tuán)推出先進(jìn)介電質(zhì)填隙技術(shù),，推動(dòng)下一代器件的發(fā)展
發(fā)表于：2020/9/22 11:06:46
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臺(tái)灣廠商大舉殺入3D NAND Flash市場(chǎng)
發(fā)表于：2020/5/19 11:23:31
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2021年NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇
發(fā)表于：2020/4/22 9:51:51
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128層3D NAND閃存芯片研發(fā)成功
發(fā)表于：2020/4/13 11:15:00
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內(nèi)存SSD大漲價(jià) 為什么專家每次都說對(duì)了?
發(fā)表于：2020/2/25 18:26:05
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憑借BiCS5 3D NAND技術(shù),，西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強(qiáng)其存儲(chǔ)領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢(shì)
發(fā)表于：2020/2/19 14:15:49
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重大突破！中國(guó)首款64層3D NAND閃存量產(chǎn)
發(fā)表于：2019/9/2 16:24:42
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)
發(fā)表于：2019/9/2 9:04:57
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2019年全球半導(dǎo)體將迎來復(fù)蘇的一年
發(fā)表于：2019/3/2 6:00:00
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