6 月 28 日消息,,鎧俠(Kioxia)結(jié)束為期 20 個(gè)月的 NAND 閃存減產(chǎn)計(jì)劃,,日本兩座工廠生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率提升至 100% 之后,上周披露了其 3D NAND 路線(xiàn)圖計(jì)劃,。
根據(jù) PC Watch 和 Blocks & Files 的報(bào)道,,鎧俠目標(biāo)在 2027 年達(dá)到 1000 層的水平。
援引媒體報(bào)道,,3D NAND 在 2014 年只有 24 層,,到 2022 年達(dá)到 238 層,8 年間增長(zhǎng)了 10 倍,。而鎧俠目標(biāo)以平均每年 1.33 倍的速度增長(zhǎng),,到 2027 年實(shí)現(xiàn) 1000 層堆疊。
三星在上個(gè)月表示,,計(jì)劃 2030 年之前推出超過(guò) 1000 層的先進(jìn) NAND 閃存芯片,,其中鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)將成為這項(xiàng)成就的關(guān)鍵。
在摘要部分中寫(xiě)到,,在金屬帶工程?hào)艠O中間層(BE-G.IL),、鐵電(FE)開(kāi)關(guān)、溝道中間層(Ch.IL)和硅(MIFIS) FeFET 架構(gòu)中,,使用 FE 開(kāi)關(guān)相互作用,,來(lái)顯著提高性能,表明 hafnia FE 成為擴(kuò)展 3D VNAND 技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)力,。
在 3D NAND 閃存的層數(shù)挑戰(zhàn)上,,鎧俠似乎比三星更有野心。
首先是政策和資本扶持,,鎧俠受益于內(nèi)存行業(yè)的復(fù)蘇,,最近獲得了日本政府的補(bǔ)貼和銀行財(cái)團(tuán)的額外融資,,此外該公司還計(jì)劃今年年底 IPO 上市,讓鎧俠有充足的資金,,追求技術(shù)進(jìn)步和成本優(yōu)化,。
其二是技術(shù)演進(jìn)和積累,鎧俠預(yù)測(cè)到 2027 年 NAND 芯片密度將達(dá)到 100 Gbit / mm2,,實(shí)現(xiàn) 1000 層,。
提高 3D NAND 芯片的密度不僅僅是在芯片上堆疊更多層,因?yàn)槊繉拥倪吘壎夹枰┞兑赃M(jìn)行字線(xiàn)電氣連接,。這為芯片提供了階梯狀輪廓,,隨著層數(shù)的增加,階梯所需的芯片面積也會(huì)增加,。
鎧俠雄心勃勃地計(jì)劃到 2027 年實(shí)現(xiàn) 1000 層技術(shù),,這是迄今為止所有制造商宣布的最高層數(shù),。然而,,要達(dá)到這一里程碑,就必須從 TLC(每單元 3 位)過(guò)渡到 QLC(每單元 4 位),,甚至可能過(guò)渡到 PLC(每單元 5 位),。其中涉及的技術(shù)挑戰(zhàn)是巨大的,鎧俠能否在 2027 年之前實(shí)現(xiàn)這一市場(chǎng)里程碑還有待觀察,。