2020年7月20日,，加利福尼亞州圣克拉拉——應(yīng)用材料公司今日宣布推出一項新技術(shù),，突破了晶圓代工-隨邏輯節(jié)點2D尺寸繼續(xù)微縮的關(guān)鍵瓶頸,。

應(yīng)用材料公司最新的選擇性鎢工藝技術(shù)為芯片制造商提供了一種構(gòu)建晶體管和其它金屬導線連接的新方法,，這種連接作為芯片的第一級布線,，起著至關(guān)重要的作用,。創(chuàng)新型選擇性沉積降低了導線電阻,，從而提升晶體管性能并降低功耗,。有了這項技術(shù),，晶體管及其導線的節(jié)點可以繼續(xù)微縮到5納米,、3納米及以下，從而實現(xiàn)芯片功率、性能和面積/成本（PPAC）的同步優(yōu)化,。

應(yīng)用材料公司創(chuàng)新的選擇性鎢工藝技術(shù)消除了在先進晶圓代工-隨邏輯節(jié)點微縮而阻礙晶體管功率和性能的導線電阻瓶頸

微縮挑戰(zhàn)

雖然光刻技術(shù)的進步使得晶體管導線通孔可以進一步縮小,，但是，傳統(tǒng)的金屬填充導線通孔的方法已成為PPAC優(yōu)化的一個關(guān)鍵瓶頸,。

長久以來,，導線一直通過多層工藝完成。首先在通孔內(nèi)壁涂覆一層由氮化鈦制成的粘附阻擋層,，然后成核層,，最后用鎢填充剩余空間，首選鎢作為填孔金屬是因為它的電阻率很低,。

在7納米晶圓代工節(jié)點,，導線通孔直徑只有20納米左右。粘附阻擋層和成核層約占通孔容積的75%,，只剩25%左右的容積用于填鎢,。細鎢絲電阻很高，使PPAC優(yōu)化和進一步的2D尺寸微縮遭遇重大瓶頸,。

VLSIresearch董事長兼首席執(zhí)行官Dan Hutcheson表示：“隨著EUV的出現(xiàn),，我們需要解決一些關(guān)鍵性的材料工程挑戰(zhàn)才能讓2D尺寸微縮繼續(xù)發(fā)展。在我們這個行業(yè),，粘附阻擋層就像醫(yī)學里的‘動脈斑塊’,，它剝奪了芯片達到最佳性能所需的電子流。應(yīng)用材料公司的選擇性鎢沉積是我們期待已久的突破,?！?/p>

選擇性鎢沉積

應(yīng)用材料公司最新的Endura? Volta? Selective Tungsten CVD系統(tǒng)使得芯片制造商可以選擇性地在晶體管導線通孔進行鎢沉積，完全不需要粘附阻擋層和成核層,。整個通孔用低電阻鎢填充,，解決了PPAC持續(xù)微縮所面臨的瓶頸。

應(yīng)用材料公司最新的Endura? Volta? Selective Tungsten CVD系統(tǒng)

應(yīng)用材料公司的選擇性鎢工藝技術(shù)是一種集成材料解決方案,，結(jié)合了潔凈度比潔凈室高許多倍的超潔凈,、高真空環(huán)境下的多項工藝技術(shù)。對晶圓進行原子級的表面處理并采取獨特的沉積工藝,，使得鎢原子在通孔選擇性沉積,，實現(xiàn)無脫層、無縫隙,、無空洞完美地自下而上填充,。

應(yīng)用材料公司半導體產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Kevin Moraes表示：“數(shù)十年來，行業(yè)依賴于2D尺寸微縮來驅(qū)動功率,、性能和面積/成本（PPAC）的同步優(yōu)化,，但是如今,，由于所要求的微縮幾何形狀太小，我們越來越接近傳統(tǒng)材料和材料工程工藝的物理極限,。我們的選擇性鎢工藝技術(shù)集成材料解決方案,，是應(yīng)用材料公司通過創(chuàng)造新的工藝來滿足微縮需求而無需在功率和性能上妥協(xié)的完美例證?！?/p>

全新的Endura系統(tǒng)已經(jīng)成為全球多個領(lǐng)先客戶的選擇,。應(yīng)用材料公司創(chuàng)新的選擇性加工工藝已經(jīng)成熟地運用于選擇性外延、選擇性沉積與選擇性移除上,，而應(yīng)用在Endura平臺上還是首次,。這些選擇性加工技術(shù)使得芯片制造商能以全新的方式創(chuàng)制、塑造,、調(diào)整材料,，持續(xù)推動PPAC的進步。

關(guān)于應(yīng)用材料公司

應(yīng)用材料公司（納斯達克：AMAT）是材料工程解決方案的領(lǐng)導者,，全球幾乎每一個新生產(chǎn)的芯片和先進顯示器的背后都有應(yīng)用材料公司的身影,。憑借在規(guī)模生產(chǎn)的條件下可以在原子級層面改變材料的技術(shù)，我們助力客戶實現(xiàn)可能,。應(yīng)用材料公司堅信，我們的創(chuàng)新必能驅(qū)動先進科技成就未來,。