富士通電子推出可在125℃高溫下穩(wěn)定運行的最新4Mbit FRAM
2020-07-24
來源:富士通
上海,,2020年7月24日 – 富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM,,其容量達到FRAM產(chǎn)品最高水平,,運作溫度最高可達125℃,。目前可為客戶提供評測版樣品。
這款全新FRAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品,,在125℃高溫環(huán)境下可以達到10兆次讀/寫次數(shù),,工作電流低,是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等汽車應(yīng)用的最佳選擇,。
FRAM的讀/寫耐久性,、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,并已量產(chǎn)20多年,,近年來廣泛用于可穿戴設(shè)備,、工業(yè)機器人和無人機。
自去年發(fā)布以來,,2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用,,而MB85RS4MTY將其容量提高了一倍,達到4M bit,,滿足更高容量的需求,,配有SPI接口,工作電壓為1.8V至3.6V,。由于這款FRAM工作電流低,,即使在125℃高溫下,最大工作電流僅為4mA(運作頻率50MHz),,最大掉電模式電流為30μA,,因此有助于降低環(huán)境敏感應(yīng)用的功耗。
這款全新FRAM在-40℃至+ 125℃溫度范圍內(nèi)可以達到10兆次讀/寫次數(shù),,適合某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用,。例如,每0.03毫秒重寫一次數(shù)據(jù),同一地址連續(xù)記錄數(shù)據(jù)可達10年之久,。
這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝,,可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。此外,,還提供8-pin DFN(無引線雙側(cè)扁平)封裝,。
圖1:MB85RS4MTY 8-pin DFN(頂部?底部)
圖2:FRAM應(yīng)用實例
富士通電子將繼續(xù)提供內(nèi)存產(chǎn)品和解決方案,滿足市場和客戶的未來需求,。
關(guān)鍵規(guī)格
? 組件型號:MB85RS4MT
? 容量(組態(tài)):4 Mbit(512K x 8位)
? 接口:SPI(Serial Peripheral Interface)
? 運作頻率:最高50 MHz
? 運作電壓:1.8V - 3.6V
? 運作溫度范圍:-40°C - +125°C
? 讀/寫耐久性:10兆次(1013次)
? 封裝規(guī)格:8-pin DFN,,8-pin SOP
詞匯與備注
鐵電隨機存取內(nèi)存(FRAM)
FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存,即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù),。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性,,并擁有高速寫入數(shù)據(jù),、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點,。富士通自1999年即開始生產(chǎn)FRAM,亦稱為FeRAM,。