消息指出，臺積電2納米制程研發(fā),，現(xiàn)已離開尋找路徑階段,，進入交付研發(fā)，且法人預期2023 年下半即可風險性試產(chǎn),。

　　臺積電去年就成立2納米專案研發(fā)團隊,，在考慮成本、設備兼容,、技術成熟及效能表現(xiàn)等多項條件下來尋找可行路徑,，如今臺積電雖然仍沒有公布細節(jié)，但已表示將會是全新架構(gòu),。而據(jù)供應鏈消息透露,，臺積電2納米即將改采全新的GAA 基礎，使用多橋通道場效應晶體管（MBCFET）架構(gòu),。

　　這是由于3納米已達FinFET 技術的瓶頸,，會出現(xiàn)制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題,，就算有EUV 技術加持，但2納米勢必要轉(zhuǎn)換跑道,。雖然三星提早在3納米就打算采用GAA ,，意圖在此技術上彎道超車臺積電，但臺積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術,，及EUV 運用經(jīng)驗,，將能使良率提升更順利。

　　所以不少業(yè)內(nèi)人士預期,，若2納米在2023年即能投產(chǎn),，三星就算在彎道恐怕也超不了車。就目前臺積電所公布的制程推進現(xiàn)況來看,，采用EUV 的5納米良率已快速追上7納米,，顯見臺積電在良率提升上的底蘊，甚至有業(yè)界預期風險試產(chǎn)良率即可到9成,。三星雖提前量產(chǎn)3納米GAA,，但在性能上未必能壓過臺積電，而GAA 良率上的落差可能也不會如預期般明顯,，且據(jù)傳2納米背后還有蘋果的研發(fā)能量支持,。

　　不過未來半導體制程將會更加競爭，不僅是三星,，英特爾的SuperFin 技術也不可小覷,，雖然納米節(jié)點時程落后，但實際性能并不真的多差,。早有輿論認為,，臺積電及三星的制程競逐，很多只是數(shù)字游戲,，而英特爾其實相對踏實,，就實際晶體管密度等指標來看，新的英特爾10納米強化版已接近臺積電5納米,，是非常大的單一節(jié)點升級,。

　　只要英特爾也敢忍痛殺價，SuperFin 仍然很有高階制程市場的競爭力,，就如同三星8納米已打出一片市場一般，臺積電雖然還占有優(yōu)勢,，但仍不能輕敵,。目前臺積電已表示，未來2納米研發(fā)生產(chǎn)將落腳新竹寶山,，將規(guī)劃建設4 個超大型晶圓廠,，將成為下一輪半導體大戰(zhàn)主力,。