最近,，因?yàn)閲覍⑼度刖拶Y支持第三代半導(dǎo)體的新聞的流傳，讓本來就有了很高關(guān)注度的GaN和SiC等產(chǎn)業(yè)又獲得了高度關(guān)注,，據(jù)媒體相關(guān)盤點(diǎn),，也有不少企業(yè)已經(jīng)投入到這個市場。下面我們從華潤微和賽微的兩份調(diào)研報告，看看國內(nèi)企業(yè)是如何看第三代半導(dǎo)體的,。

　　首先看GaN方面,，賽微電子董秘張阿斌認(rèn)為，GaN 產(chǎn)業(yè)起步相對較晚,，2005 年以后氮化鎵才應(yīng)用在微波或功率器件,，所以從這個角度來講，氮化鎵是我國與歐美日韓國際半導(dǎo)體企業(yè)差距最小的分支,，我國在氮化鎵的起步并不晚,，尤其是在 LED、雷達(dá)方面國家近年來大力扶持,，因此這塊比較具有領(lǐng)先地位,，在微波和功率器件方面，近幾年除了國家政策的支持外,，有很多國內(nèi)企業(yè)向此進(jìn)軍,。

　　當(dāng)然，代工或產(chǎn)能確實(shí)是個門檻,，IDM 模式從做大做強(qiáng)和成長迭代方面肯定具有優(yōu)勢,；國內(nèi)市場應(yīng)用在功率、微波領(lǐng)域都比較有優(yōu)勢,，市場需求加上國內(nèi)一流的人才集聚以及資本力量,，相信國內(nèi)能很快趕上來。

　　華潤微方面則認(rèn)為,，基于技術(shù)和市場因素考量,，他們看好硅基氮化鎵功率器件領(lǐng)域，此領(lǐng)域目前明確的市場是緊湊型adapter,，隨著時間的推移和技術(shù)的成熟,，新的應(yīng)用領(lǐng)域會出現(xiàn)。

　　再看SiC方面,，華潤微方面表示,，由于成本較高，SiC 的應(yīng)用主要集中在工業(yè)和汽車領(lǐng)域,，所以他們認(rèn)為這類產(chǎn)品目前比較確定的應(yīng)用領(lǐng)域是高端電源,、太陽能逆變器和 UPS。在問到對于SiC與Si的取代關(guān)系時,，華潤微回應(yīng)道,，因?yàn)榈谌衔锇雽?dǎo)體的成本比較高，不可能完全取代硅器件?，F(xiàn)在 SiC 遇到的機(jī)遇是硅器件近些年發(fā)展遇到了瓶頸,，有些性能已經(jīng)無法突破,，需要 SiC 來解決硅器件無法解決的問題。

　　“GaN 和 SiC 都屬于第三代半導(dǎo)體,，在寬禁帶和擊穿電場方面都有相同的特性,，都適合做功率電子應(yīng)用，氮化鎵具有高導(dǎo)通能力,，氮化鎵的異質(zhì)結(jié)是碳化硅不具備的,，因此，氮化鎵相對碳化硅更具有速率和效率方面的優(yōu)勢,。另一方面碳化硅起步較早,，更加成熟，有一定的成本優(yōu)勢,，良率,、熱導(dǎo)率也會更好些，因此在超高壓大功率有更強(qiáng)的散熱優(yōu)勢,。簡單來說,，在功率系統(tǒng)里,，大于 10KW 以上的汽車逆變器,、軌道交通、發(fā)電等應(yīng)用領(lǐng)域,，碳化硅更有優(yōu)勢,，在 10KW 以下的快充、智能家電,、無線充電,、服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域，氮化鎵有更多的優(yōu)勢,。碳化硅（SiC）技術(shù)我們現(xiàn)在也可以做,，但主要取決于客戶需求?！睆埌⒈笳f,。