最近,，因?yàn)閲?guó)家將投入巨資支持第三代半導(dǎo)體的新聞的流傳,，讓本來(lái)就有了很高關(guān)注度的GaN和SiC等產(chǎn)業(yè)又獲得了高度關(guān)注，據(jù)媒體相關(guān)盤點(diǎn),，也有不少企業(yè)已經(jīng)投入到這個(gè)市場(chǎng),。下面我們從華潤(rùn)微和賽微的兩份調(diào)研報(bào)告，看看國(guó)內(nèi)企業(yè)是如何看第三代半導(dǎo)體的,。

　　首先看GaN方面,，賽微電子董秘張阿斌認(rèn)為，GaN 產(chǎn)業(yè)起步相對(duì)較晚,，2005 年以后氮化鎵才應(yīng)用在微波或功率器件,，所以從這個(gè)角度來(lái)講，氮化鎵是我國(guó)與歐美日韓國(guó)際半導(dǎo)體企業(yè)差距最小的分支,，我國(guó)在氮化鎵的起步并不晚,，尤其是在 LED、雷達(dá)方面國(guó)家近年來(lái)大力扶持,，因此這塊比較具有領(lǐng)先地位,，在微波和功率器件方面，近幾年除了國(guó)家政策的支持外,，有很多國(guó)內(nèi)企業(yè)向此進(jìn)軍,。

　　當(dāng)然，代工或產(chǎn)能確實(shí)是個(gè)門檻,，IDM 模式從做大做強(qiáng)和成長(zhǎng)迭代方面肯定具有優(yōu)勢(shì),；國(guó)內(nèi)市場(chǎng)應(yīng)用在功率、微波領(lǐng)域都比較有優(yōu)勢(shì),，市場(chǎng)需求加上國(guó)內(nèi)一流的人才集聚以及資本力量,，相信國(guó)內(nèi)能很快趕上來(lái)。

　　華潤(rùn)微方面則認(rèn)為,，基于技術(shù)和市場(chǎng)因素考量,，他們看好硅基氮化鎵功率器件領(lǐng)域，此領(lǐng)域目前明確的市場(chǎng)是緊湊型adapter，隨著時(shí)間的推移和技術(shù)的成熟,，新的應(yīng)用領(lǐng)域會(huì)出現(xiàn),。

　　再看SiC方面，華潤(rùn)微方面表示,，由于成本較高,，SiC 的應(yīng)用主要集中在工業(yè)和汽車領(lǐng)域，所以他們認(rèn)為這類產(chǎn)品目前比較確定的應(yīng)用領(lǐng)域是高端電源,、太陽(yáng)能逆變器和 UPS,。在問(wèn)到對(duì)于SiC與Si的取代關(guān)系時(shí)，華潤(rùn)微回應(yīng)道,，因?yàn)榈谌衔锇雽?dǎo)體的成本比較高,，不可能完全取代硅器件。現(xiàn)在 SiC 遇到的機(jī)遇是硅器件近些年發(fā)展遇到了瓶頸,，有些性能已經(jīng)無(wú)法突破,，需要 SiC 來(lái)解決硅器件無(wú)法解決的問(wèn)題。

　　“GaN 和 SiC 都屬于第三代半導(dǎo)體,，在寬禁帶和擊穿電場(chǎng)方面都有相同的特性,，都適合做功率電子應(yīng)用，氮化鎵具有高導(dǎo)通能力,，氮化鎵的異質(zhì)結(jié)是碳化硅不具備的,，因此，氮化鎵相對(duì)碳化硅更具有速率和效率方面的優(yōu)勢(shì),。另一方面碳化硅起步較早,，更加成熟，有一定的成本優(yōu)勢(shì),，良率,、熱導(dǎo)率也會(huì)更好些，因此在超高壓大功率有更強(qiáng)的散熱優(yōu)勢(shì),。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),，在功率系統(tǒng)里，大于 10KW 以上的汽車逆變器,、軌道交通,、發(fā)電等應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅更有優(yōu)勢(shì),，在 10KW 以下的快充,、智能家電、無(wú)線充電,、服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域,，氮化鎵有更多的優(yōu)勢(shì),。碳化硅（SiC）技術(shù)我們現(xiàn)在也可以做，但主要取決于客戶需求,?！睆埌⒈笳f(shuō)。