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開(kāi)闊氮化鎵芯片市場(chǎng),,進(jìn)軍5G領(lǐng)域,NXP在美設(shè)廠

2020-10-02
來(lái)源:集微網(wǎng)
關(guān)鍵詞: NXP GaN 5G

  荷蘭恩智浦半導(dǎo)體公司周二表示,,已在美國(guó)亞利桑那州錢(qián)德勒市(Chandler)開(kāi)設(shè)了一家工廠,,生產(chǎn)用于5G電信設(shè)備的氮化鎵芯片,。

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  氮化鎵是硅的替代品。 這種材料是5G網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)關(guān)鍵成分,,因?yàn)樗梢蕴幚?G網(wǎng)絡(luò)中使用的高頻,,同時(shí)比其他芯片材料消耗更少的功率和占用更少的空間。

  恩智浦表示,,這座新工廠將生產(chǎn)6英寸芯片,,此類(lèi)芯片的尺寸是大多數(shù)傳統(tǒng)硅芯片的一半,但在替代材料中很常見(jiàn),。

  該公司表示,,新工廠將有一個(gè)研究和開(kāi)發(fā)中心,以幫助工程師加速氮化鎵半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和專利申請(qǐng),。

  恩智浦表示,,預(yù)計(jì)該廠將于年底前達(dá)到全部生產(chǎn)能力。


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