上周在國際進(jìn)口博覽會(huì)現(xiàn)場,，半導(dǎo)體設(shè)備巨頭ASML展出了可用于7納米以上先進(jìn)制程的深紫外曝光機(jī)DUV,。

有報(bào)道指出,，雖然目前極紫外曝光機(jī),，俗稱EUV光刻機(jī)仍受到美國的技術(shù)封鎖而無法出口,，但ASML保證DUV就完全沒有問題,，尤其是浸潤式DUV,，并不需要向美國申請出口許可,。而在經(jīng)過多重曝光后,，浸潤式DUV也能達(dá)到7納米制程的門檻，甚至更進(jìn)一步,。

這令中芯等業(yè)者似乎有了解套,，且ASML在會(huì)場上更提供了完整的解決方案，擁有先進(jìn)控制能力的機(jī)臺將能通過建模,、仿真,、分析等技術(shù)，讓邊緣定位精度不斷提高,，深受市場矚目,。ASML全球副總裁暨中國區(qū)總裁沈波在受訪時(shí)表示，公司對向中國出口光刻機(jī)持相當(dāng)開放的態(tài)度,，在法律法規(guī)的框架下,，都會(huì)全力支持。

ASML目前已在中國建立了培訓(xùn)中心,，培養(yǎng)相關(guān)人才,在深圳和北京也有兩家技術(shù)開發(fā)中心,，專門做技術(shù)開發(fā)，已提供近700多臺各式產(chǎn)品,。此次若真能提供適用于7納米制程以上的DUV可謂是相當(dāng)大的突破,。因?yàn)槔碚撋?，DUV通常只能用到25納米,。

英特爾雖然透過特別的技術(shù)使其用在10納米制程，但這幾乎已是極限,。DUV的深紫外光波長近193納米,，雖然透過液體浸潤多重曝光后，的確能夠縮小線距,，但要與EUV的13.5納米波長等效,，成本及良率恐怕都會(huì)很難看，這也是當(dāng)初為何臺積電毅然選擇投入設(shè)備非常昂貴的EUV技術(shù),。