MVentures和imec.xpand以及韓國(guó)存儲(chǔ)器制造商SK Hynix,，Robert Bosch Venture Capital和TEL Venture Capital等企業(yè)和投資機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)了對(duì)位于德累斯頓的Ferroelectric Memory的B系列投資,，現(xiàn)有投資者eCapital也參與了本輪融資。

　　Ferroelectric Memory GmbH公司首席執(zhí)行官Ali Pourkeramati表示,，這筆資金將用于促進(jìn)鐵電存儲(chǔ)器在三個(gè)領(lǐng)域的部署：嵌入式非易失性存儲(chǔ)器,、存儲(chǔ)類存儲(chǔ)器和存內(nèi)計(jì)算應(yīng)用程序。FMC計(jì)劃擴(kuò)大在德累斯頓的市場(chǎng),，并擴(kuò)大其在美國(guó)和亞洲的國(guó)際業(yè)務(wù),。

　　“我們已經(jīng)為所有應(yīng)用創(chuàng)建了IP，” Pourkeramati告訴eeNews Europe,?！拔覀冋谂c客戶進(jìn)行討論?！?/p>

　　Pourkeramati表示,，在嵌入式應(yīng)用中，F(xiàn)eFET可以替代嵌入式閃存和MRAM（最小至7nm）,?！拔覀円部梢允褂眉{米線，因?yàn)樵摯鎯?chǔ)器基于氧化鉿（hafnium oxide）,?！?/p>

　　FMC的FeFET利用氧化鉿的鐵電特性（通常在CMOS中作為絕緣體進(jìn)行部署）將標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶體管轉(zhuǎn)換為存儲(chǔ)單元。它們還可以根據(jù)摩爾定律進(jìn)行縮放,，同時(shí)具有低功耗和溫度穩(wěn)定性的特點(diǎn),。與磁性RAM相比，這還提供了不需要在工廠中使用其他材料的優(yōu)勢(shì),。除了這些特性,，F(xiàn)eFET還具有抗磁性和高抗輻射性。

　　該公司表示,，其鐵電非易失性存儲(chǔ)器將用作物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中的微控制器的片上存儲(chǔ)器,，這些微控制器用于從消費(fèi)類產(chǎn)品到汽車和航空等整個(gè)行業(yè)領(lǐng)域。

　　他們指出,，現(xiàn)有的非易失性存儲(chǔ)器閃存實(shí)現(xiàn)起來(lái)很復(fù)雜,，并且預(yù)計(jì)不會(huì)擴(kuò)展到最先進(jìn)的過(guò)程,。相比之下，F(xiàn)MC的存儲(chǔ)技術(shù)直接源自標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù),，并且在不占用許多額外掩模的情況下具有區(qū)域高效性,。

　　該公司之前曾表示，我其非易失性存儲(chǔ)技術(shù)以快1,000倍的速度和千分之一的功耗的特性,，滿足行業(yè)當(dāng)前和未來(lái)需求,，同時(shí)大大降低了制造成本。

　　FMC與德累斯頓的Globalfoundries合作,，生產(chǎn)其早期的存儲(chǔ)陣列和原型,。公司的制造工藝通常采用40nm CMOS。Pourkeramati說(shuō),。他進(jìn)一步指出,，F(xiàn)MC現(xiàn)在也在與亞洲多個(gè)晶圓代工合作，但拒絕透露公司名稱,。Pourkeramati說(shuō),，亞洲的一家晶圓代工廠對(duì)提供FeFET作為嵌入式存儲(chǔ)器選項(xiàng)的可能性特別感興趣?！拔覀兛梢允褂肁I,，CPU，GPU和移動(dòng)應(yīng)用處理器,?！?/p>

　　FMC計(jì)劃采用分層的知識(shí)產(chǎn)權(quán)方法推向市場(chǎng)。這將包括過(guò)程IP,，設(shè)備IP和設(shè)計(jì)IP,。

　　該路線圖將于2023年首次面向消費(fèi)類應(yīng)用在28nm平面CMOS上使用FeFET存儲(chǔ)器，隨后是物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)應(yīng)用,，然后是汽車應(yīng)用,。

　　Pourkeramati說(shuō)，他對(duì)那些對(duì)FeFET技術(shù)的潛在影響有明顯興趣的投資者的戰(zhàn)略性質(zhì)感到滿意,。MVentures是性能材料公司默克（Merck）的風(fēng)險(xiǎn)投資部門,。SK Hynix是存儲(chǔ)器組件的領(lǐng)先供應(yīng)商，TEL Ventures是東京電子有限公司的風(fēng)險(xiǎn)投資部門,，東京電子有限公司是最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商之一,。

　　延伸閱讀：FeFET將改變下一代存儲(chǔ)格局？

　　在所熟知的材料之中,，鐵電柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistors, FeFETs）做新一代閃存是很有前途的,。

　　新一代鐵電存儲(chǔ)器的發(fā)展勢(shì)頭正在形成，這將改變下一代存儲(chǔ)格局。

　　通常,，鐵電體與一種存儲(chǔ)器類型——鐵電存儲(chǔ)器ferroelectric RAMs （FRAMs） 有關(guān),。20世紀(jì)90年代后期，由幾家供應(yīng)商推出的FRAM是低功耗,、非易失性設(shè)備,，但它們也僅限于小眾應(yīng)用，無(wú)法在130納米以上擴(kuò)展,。

　　FRAM繼續(xù)生產(chǎn)的同時(shí),，業(yè)界也在開發(fā)另一種類型的鐵電存儲(chǔ)器。FeFET及其相關(guān)技術(shù)沒有使用傳統(tǒng)FRAM使用的材料,，而是利用氧化鉿（也稱為鐵電鉿氧化物）的鐵電特性,。（FeFET和邏輯晶體管FinFET不同）。

　　不過(guò),，就研發(fā)階段而論,，F(xiàn)eFET本身并不是一個(gè)新器件,。對(duì)于FeFET,，其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K（高K）柵電介質(zhì)+Metal Gate（金屬柵）電極疊層技術(shù)，然后將柵極絕緣體改性成具有鐵電性質(zhì),。得到的FeFET晶體管具有相同的結(jié)構(gòu),，但是具有可擴(kuò)展、低功率和非易失性等特性,。從理論上講,，應(yīng)該比當(dāng)前的嵌入式閃存更好。

　　FRAM被廣泛誤解,，因?yàn)殍F電材料不是鐵磁性的,。FMC公司的Müller解釋說(shuō)：“鐵電存儲(chǔ)器僅使用電場(chǎng)來(lái)寫入應(yīng)用程序，沒有電流流過(guò),。所有其他新出現(xiàn)的存儲(chǔ)器,，如電阻式RAM、相變存儲(chǔ)器和MRAM都是通過(guò)驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器單元的電流來(lái)寫入的,。

　　FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),。鐵電效應(yīng)是指在鐵電晶體上施加一定的電場(chǎng)時(shí)，晶體中心原子在電場(chǎng)的作用下運(yùn)動(dòng),，并達(dá)到一種穩(wěn)定狀態(tài),；當(dāng)電場(chǎng)從晶體移走后，中心原子會(huì)保持在原來(lái)的位置,。這是由于晶體的中間層是一個(gè)高能階,，中心原子在沒有獲得外部能量時(shí)不能越過(guò)高能階到達(dá)另一穩(wěn)定位置，因此FRAM保持?jǐn)?shù)據(jù)不需要電壓，也不需要像DRAM一樣周期性刷新,。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性,，與電磁作用無(wú)關(guān)，所以FRAM存儲(chǔ)器的內(nèi)容不會(huì)受到外界條件（諸如磁場(chǎng)因素）的影響,，能夠同普通ROM存儲(chǔ)器一樣使用,，具有非易失性的存儲(chǔ)特性和無(wú)限的耐用性，非常適合各種嵌入式芯片應(yīng)用,。

　　通常,，F(xiàn)RAM由基于鋯鈦酸鉛（PZT）的薄層鐵電薄膜組成。Cypress說(shuō),，PZT中的原子在電場(chǎng)中改變極性,，從而形成功率高效的二進(jìn)制開關(guān)。

　　然而,，F(xiàn)RAM有一些問(wèn)題,。穆勒說(shuō)：”經(jīng)典的FRAM從材料的角度來(lái)看是異乎尋常的。由于只有平面電容器可以使用,，傳統(tǒng)的鐵電薄膜不可擴(kuò)展,，F(xiàn)RAM還沒有超出130納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。這阻止了傳統(tǒng)FRAM被廣泛采用,?！?/p>

　　由于FeFET與傳統(tǒng)FRAM不同，支持者希望解決這些問(wèn)題,。幾年前,，這個(gè)行業(yè)偶然有了一個(gè)新的發(fā)現(xiàn)，即氧化鉿中的鐵電性質(zhì),。研究人員發(fā)現(xiàn),，在摻雜氧化鉿的過(guò)程中，晶相可以穩(wěn)定,。FMC公司稱：”在這個(gè)晶相中,，氧化鉿的氧原子可以存在于兩個(gè)穩(wěn)定的位置，根據(jù)外加電場(chǎng)的極性向上或向下移動(dòng),?！?/p>

　　氧化鉿是一種廣為人知的材料。一段時(shí)間以來(lái),，芯片制造商已經(jīng)使用氧化鉿作為28nm及以上邏輯器件中的高k /金屬柵極結(jié)構(gòu)的柵極堆疊材料,。對(duì)于FeFET，主要是利用鐵電鉿氧化物的特性,，而不是使用特殊材料創(chuàng)建新的器件結(jié)構(gòu),。

　　例如,，在FMC的技術(shù)中，最理想的是采用現(xiàn)有的晶體管,。然后使用沉積工藝,，將硅摻雜的氧化鉿材料沉積到晶體管的柵極疊層中，產(chǎn)生鐵電性質(zhì),。FMC的方案也消除了對(duì)電容器的需求,，使單晶體管存儲(chǔ)單元或1T-FeFET技術(shù)成為可能。

　　Müller說(shuō)：”在FeFET中,，永久偶極子形成在本身內(nèi)柵介質(zhì),，將鐵電晶體管的閾值電壓分成兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)，因此,，二進(jìn)制狀態(tài)可以存儲(chǔ)在FeFET中,，就像在閃存單元中做的一樣?！?/p>

　　從理論上講,，該技術(shù)是令人信服的?！泵總€(gè)尖端晶體管都有氧化鉿,。這是門電介質(zhì)。如果巧妙地做到這一點(diǎn),，并改性氧化鉿,，實(shí)際上可以將邏輯晶體管轉(zhuǎn)換為非易失性晶體管,，而這種晶體管在斷開電源時(shí)會(huì)失去一個(gè)狀態(tài),。斷電后仍然可以保持狀態(tài)?！?/p>

　　FeFET仍處于研發(fā)階段,，尚未準(zhǔn)備好迎接黃金時(shí)代。但如果確實(shí)有效的話,，消費(fèi)者在下一代的閃存世界中還有另一種選擇,。3D XPoint、FRAM,、MRAM,、ReRAM等也在備選之中。