比利時imec的“Advanced RF”計劃是一項競爭前的研究計劃,，旨在為5G以上和100GHz以上的設(shè)備,，系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)創(chuàng)建路線圖,。

　　該計劃將研究使用由化合物和CMOS半導(dǎo)體制成的混合IC，以在100GHz以上的載頻上實現(xiàn)非常高的帶寬和能效,。imec將尋求多個合作伙伴資助和參與這項工作,，并共同制作原型，以展示各種電路和系統(tǒng)的潛力,。它已經(jīng)是EU Taranto項目的一部分,，該項目生產(chǎn)了緊湊的140GHz無線電模塊，該模塊可實現(xiàn)高達(dá)80 Gbit / s的單鏈路數(shù)據(jù)速率,。

　　“還有6G上的確切特性和性能規(guī)格一些討論,，因為實際的標(biāo)準(zhǔn)化工作尚未開始，” IMEC的的連通域副總裁 MichaelPeeters在R＆d活動的一份聲明中說,?！安贿^，顯而易見的是,，下一代無線網(wǎng)絡(luò)將大大超過上一代,。預(yù)計的功能包括100 Gbit / s的單鏈路吞吐量，微秒級延遲和顯著更高的能源效率——不到1納焦/位,。”

　　“我們認(rèn)為,，這對于實現(xiàn)諸如人工智能（AI）等自動駕駛系統(tǒng)之間的聯(lián)合學(xué)習(xí)這樣的概念至關(guān)重要,，其他用例包括在人口稠密的城市中心部署超高速，超可靠的移動熱點,，沉浸式增強現(xiàn)實（AR）應(yīng)用程序和全息技術(shù)得到了支持,。”

　　硅目前缺乏以期望的速率和能量效率進行傳輸?shù)哪芰?，因此需要添加化合物半?dǎo)體電路,。

　　“新的III-V材料（例如磷化銦（InP））可能提供了一種出路，但尚未將其集成到硅平臺上,。因此,，我們將專門研究III-V / CMOS混合方法。我們將研究如何將III-V材料與CMOS技術(shù)異構(gòu)結(jié)合,，這些材料在可靠性方面如何發(fā)揮作用,，起作用的降解機制如何，等等,。在這些見解的基礎(chǔ)上,，我們旨在創(chuàng)建高效,，低成本的移動設(shè)備技術(shù)。-有效地在100GHz甚至更高的頻率下運行,。

　　同樣,，對于高比特率接口的當(dāng)前默認(rèn)選擇——正交頻域復(fù)用（OFDM），可能不再是在100GHz以上運行的6G系統(tǒng)的正確選擇,。更高頻率的更多定向波束可以更加積極地利用空間復(fù)用,。可能需要網(wǎng)格劃分以及數(shù)據(jù)和控制的更大分離,。

　　”人們普遍認(rèn)為,，未來的移動網(wǎng)絡(luò)將必須在100GHz以上的頻率下運行，才能提供100 Gbit / s或更高的數(shù)據(jù)速率,。但是,，到目前為止，尚缺乏清晰,，成熟的基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)途徑,，“ imec首席執(zhí)行官Luc Van den hove說，”通過我們的Advanced RF計劃,，我們的目標(biāo)是將影響力擴展到超出我們在半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)角色,，提供有關(guān)整個連接生態(tài)系統(tǒng)的見識和技術(shù)，不僅涉及啟用6G的方面,，而且還適用于下一代Wi- Fi通訊“,。