最近,，F(xiàn)eFET初創(chuàng)者FMC獲得了包括默克,，SK Hynix，IMEC,，Robert Bosch和Tokyo Electron以及現(xiàn)有的投資者eCapital等公司提供的超過2000萬美元的資金,。在這里，我們采訪了該公司的首席執(zhí)行官Ali Pourkeramati,，希望聽到他對新型存儲FeFET未來發(fā)展的看法,。
Pourkeramati首先是贊揚(yáng)氧化鉿作為鐵電材料的特性，該特性也恰好在晶圓代工廠中廣泛用作現(xiàn)代IC的絕緣層,。他聲稱鐵電場效應(yīng)晶體管（FeFET）是嵌入式閃存的自然替代品,，因?yàn)楹笳唠y以擴(kuò)展到28nm以上。
Pourkeramati指出,，與嵌入式閃存不同,，F(xiàn)eFET的耐久性在10 ^ 11周期時(shí)很高，并且在10 ^ 15周期時(shí)有望接近MRAM,，并且開關(guān)速度小于1ns,，開關(guān)能量小于1fJ / bit。
FeFET通過使用非易失性鐵電特性來移動(dòng)晶體管閾值電壓來工作,。資料來源：FMC,。
他指出，F(xiàn)eFET的基本開關(guān)速度很高,，但是在陣列中,，它的確取決于字線和位線的負(fù)載。我們有一個(gè)約10ns的32Mbit內(nèi)存宏,。如果您想更快地閱讀,，那么您會變得更小，更分散,，因此它具有設(shè)計(jì)方面的意義,，“ Pourkeramati說,。
邏輯友好的存儲
”這是一種邏輯友好的技術(shù)，需要兩個(gè)或三個(gè)非關(guān)鍵層,。對于邏輯和代工廠來說,，這就是天堂?！癙ourkeramati補(bǔ)充說,。
除了具有較高的高溫穩(wěn)定性，材料的可擴(kuò)展性和熟悉度外,，F(xiàn)eFET似乎也很容易獲得勝利,。
但是，F(xiàn)MC需要提高一個(gè)指標(biāo),。在他的FE-HfO2的測量和公布特性圖表上,，數(shù)據(jù)保留時(shí)間為125°C 1000小時(shí)。但他們期望在175°C下可以保持達(dá)到10年,，但這顯然還有很多工作要做,。
作為高k介電質(zhì)的一種改進(jìn)，鐵電材料同樣適用于環(huán)繞柵和納米片或納米帶晶體管,。資料來源：FMC,。
另一個(gè)反對意見是，領(lǐng)先的代工廠已經(jīng)采用MRAM（在意法半導(dǎo)體公司的情況下是相變存儲器）用于28nm及以下的嵌入式存儲器,，因此與嵌入式閃存之間的競爭并不激烈,。” MRAM需要額外的材料,。鐵電存儲器不需要特殊的材料,，并且可以按邏輯縮放，因此我們可以使用FinFET,，“ Pourkeramati說道,。MRAM也容易受到磁場的影響。
Pourkeramati強(qiáng)調(diào),，鐵電存儲器可以解決用于高速緩存的嵌入式非易失性存儲器,，也可以解決用于存儲級存儲器的獨(dú)立芯片。FMC還針對3D堆疊形式的內(nèi)存進(jìn)行了一些初步的工作,?！蔽覀兛梢詳U(kuò)展到n層，“ Pourkeramati說,。它可以用于神經(jīng)形態(tài)應(yīng)用,。”我們?yōu)樗袘?yīng)用程序創(chuàng)建了IP [知識產(chǎn)權(quán)],?！?/p>
商業(yè)模式探討
FMC的業(yè)務(wù)模式是許可知識產(chǎn)權(quán)并按芯片收取專利使用費(fèi),。為此，該公司將其產(chǎn)品分為三個(gè)層次,。一種是與工藝有關(guān)的IP,，例如化學(xué)配方,；第二個(gè)是晶體管器件級別IP;IP的第三層是基于設(shè)計(jì)或電路的,。他說：”我們將這些各種IP池許可給代工廠,，無工廠芯片公司和IDM（集成設(shè)備制造商）,。
引入FeFET技術(shù)的路線圖。資料來源：FMC
Pourkeramati表示,，面向消費(fèi)類應(yīng)用的首批硅片將于2023年問世,，并采用28nm平面CMOS工藝,。此后,，將向22nm FinFET和/或FDSOI轉(zhuǎn)移，并在隨后的幾年中出現(xiàn)其他領(lǐng)域,。
考慮到FMC成立于2016年,，現(xiàn)在是2020年，F(xiàn)MC的路線圖似乎有些保守,。Pourkeramati說：“這些事情需要時(shí)間,；開發(fā)時(shí)間和上市時(shí)間。我們認(rèn)為這是合理和可以接受的,。如果您想在FinFET上進(jìn)行開發(fā),，請與我們一起努力盡快通過各個(gè)節(jié)點(diǎn)?！?/p>
專利情況
值得注意的是,，鐵電存儲器已成為學(xué)術(shù)界的熱門話題，許多大型半導(dǎo)體公司都在討論該技術(shù),。如果FMC用氧化鉿和摻鋯的氧化鉿來進(jìn)行記憶的開拓性工作,，是否有可能獲得其他人的好處？
Pourkeramati拒絕透露,，F(xiàn)MC的專利地位涵蓋了鉿和鋯,。
這使我們重新思考為什么Pourkeramati會拒絕或推遲一些投資。在創(chuàng)業(yè)圈中有一種眾所周知的格言,，最好是在不需要風(fēng)險(xiǎn)投資時(shí)接受風(fēng)險(xiǎn)投資,。因?yàn)楫?dāng)您確實(shí)需要它時(shí)，它將不可用,。
在2019年加入FMC之前,，Pourkeramati之前曾在Impact Capital Partners Inc.擔(dān)任管理合伙人，曾從事過風(fēng)險(xiǎn)投資工作,，并提出了相反的觀點(diǎn),。他認(rèn)為,，F(xiàn)MC將能夠在未來的時(shí)間以更高的估值籌集更多資金。
還有其他公司想要投資FMC,。同樣,，也有晶圓代工廠想投資FMC，但Pourkeramati表示,，他擔(dān)心與任何一家代工廠保持緊密聯(lián)系可能會抑制其他代工廠使用該技術(shù),，因此該公司拒絕了。
隨著FMC渴望同時(shí)進(jìn)軍多個(gè)領(lǐng)域并進(jìn)行長遠(yuǎn)的競爭,，這些投資者和其他人無疑將有更多的投資機(jī)會,，但是FMC需要繼續(xù)取得進(jìn)展，以替代已部署的MRAM,。