日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出了一款符合 AEC-Q101 要求的 N 通道 60 V MOSFET--- SQJ264EP,，這是采用 PowerPAK? SO-8L 非對(duì)稱雙芯片封裝的業(yè)界首款此類器件,。新的 Vishay Siliconix SQJ264EP 旨在滿足汽車行業(yè)節(jié)省空間以及提高 DC/DC 開關(guān)模式電源效率的需求,。這個(gè)新器件在一個(gè) 5mm x 6mm 的緊湊型封裝中集成了一個(gè)高邊和一個(gè)低邊 MOSFET，低邊 MOSFET 的最大導(dǎo)通電阻低至 8.6 m,。

　　與單個(gè) MOSFET 解決方案相比,，通過(guò)將兩個(gè) TrenchFET? MOSFET 封裝在一個(gè)非對(duì)稱封裝中，今天發(fā)布的這款汽車級(jí)器件減少了元件數(shù)量和電路板空間需求,，同時(shí)提高了功率密度,。此外，其控制（高邊）和同步（低邊）MOSFET 在裸片尺寸上的優(yōu)化組合,，可在占空比低于 50％的功率轉(zhuǎn)換中提供高于對(duì)稱雙器件的效率,。

　　SQJ264EP 的通道 1 MOSFET 在 10 V 時(shí)最大導(dǎo)通電阻為 20 m，典型柵極電荷為 9.2 nC,，而通道 2 MOSFET 在 10 V 時(shí)的導(dǎo)通電阻為 8.6 m,，典型柵極電荷為 19.2 nC,。由于沒(méi)有內(nèi)部連接的開關(guān)節(jié)點(diǎn)，SQJ264EP 為設(shè)計(jì)人員提供了將晶體管配置為不同拓?fù)涞撵`活性,，包括同步降壓或同步升壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,。

　　由于可在超過(guò)+175℃的高溫環(huán)境下工作，雙 MOSFET 能夠提供信息娛樂(lè)系統(tǒng),、顯示器,、LED 照明以及電動(dòng)自行車等汽車應(yīng)用所需的耐用性和可靠性。此外,，與 QFN 單封裝和雙封裝相比,，SQJ264EP 的鷗翼引線允許在其引腳下方實(shí)現(xiàn)更好的焊料流，增強(qiáng)自動(dòng)光學(xué)檢查（AOI）能力以及更高的板級(jí)可靠性,。

　　這些 MOSFET 100%通過(guò)了 Rg 和 UIS 測(cè)試,，符合 RoHS 要求，不含鹵素,。

　　SQJ264EP 的樣品和批量產(chǎn)品現(xiàn)已開始提供,，大宗訂單的交貨期為 12 周。