賓夕法尼亞,、MALVERN — 2020年12月23日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導通電阻比其前代器件低29 %,，為通信,、工業(yè)、計算和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案,，同時柵極電荷下降60 %,，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中600 V MOSFET的重要優(yōu)值系數（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低,。

Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換,，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統,。隨著SiHH070N60EF的推出，以及即將發(fā)布的第四代600 V EF系列產品,，Vishay可滿足電源系統架構設計前兩個階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無橋功率因數校正（PFC）和軟切換DC/DC轉換器拓撲結構,。

SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超結技術，10 V條件下典型導通電阻僅為0.061 Ω,，超低柵極電荷降至50 nC,。器件的FOM為3.1 Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低30 %,。這些參數表明導通和開關損耗降低,，從而節(jié)省能源。SiHH070N60EF有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別僅為90 pf和560 pF,，可改善零電壓開關（ZVS）拓撲結構開關性能,，如LLC諧振轉換器。器件的Co(tr) 比同類緊隨其后的MOSFET低32 %,。

日前發(fā)布的器件采用PowerPAK? 8x8封裝,，符合RoHS標準，無鹵素,，耐受雪崩模式過壓瞬變,，并保證極限值100 %通過UIS測試。

SiHH070N60EF現可提供樣品并已實現量產,，供貨周期為10周,。