晶圓代工龍頭臺積電位于南科的3 納米新廠于去年11 月底上梁，締造另一個先進制程里程碑,。設(shè)備供應(yīng)鏈近日透露,，臺積電3 納米新廠規(guī)劃在今年7~8 月開廠，相關(guān)供應(yīng)商須在今年中以前備妥機臺,、準備進機,，供應(yīng)鏈透露，3 納米于試產(chǎn)階段（2021 下半年）即有約一個月2 萬至3 萬片,，量產(chǎn)首年平均月產(chǎn)能約5.5 萬片,，到了2023 年以后，將達到10.5 萬片,。

　　根據(jù)臺積電先前表示,，3 納米預(yù)計2022 下半年量產(chǎn)，當年產(chǎn)能預(yù)估將超過60 萬片12 吋晶圓,。供應(yīng)鏈透露,，目前3 納米準備離開RD 階段、進入mini-line,，一如往常,，將由蘋果搶下頭香，臺積電也火力全開大力支持,。而AMD也有望隨后跟上,，且英特爾也有合作方案在進行,。

　　供應(yīng)鏈亦透露，3 納米制程將依循7 納米（7 納米,、7 納米加強版,、6 納米）、5 納米（5 納米,、5 納米加強版,、4 納米）的「家族模式」，客戶在同一制程節(jié)點可沿用既有設(shè)計基礎(chǔ)架構(gòu),，達到100% 的IP 兼容,，可加速產(chǎn)品創(chuàng)新及上市速度。目前臺積電也在規(guī)劃2.5 納米（或稱3+）制程,，推估2023下半年量產(chǎn),。

　　業(yè)界人士表示，3 納米對臺韓晶圓代工雙雄來說是關(guān)鍵一役,，兩強戰(zhàn)術(shù)大不相同,。三星將直接采用GAA（環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)），而臺積電3 納米則選擇沿用FINFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）架構(gòu),，到了2 納米才導(dǎo)入GAA技術(shù)為基礎(chǔ)的MBCFET 架構(gòu),，他認為,，在既有架構(gòu)上求突破,，以減少制程變動，相對具備成本效益,。

　　他進一步指出,，3 納米雖然沿用FINFET，但技術(shù)層次,、投資金額均較過去高出許多,，挑戰(zhàn)也不小，因此臺積電在產(chǎn)能規(guī)劃也比5納米更為積極,，除反映出大客戶需求旺盛外,，也希望客戶可以在3 納米世代停留久一些，為下一代2 納米做好充足準備,。

　　此外管競爭對手三星在努力完善流程,，試圖追趕臺積電，但鑒于目前臺積電已經(jīng)很好的掌握了EUV并取得了良好的進展,，這種趨勢在可預(yù)見的未來不太可能改變,。（參考閱讀：同樣的EUV光刻機，為什么只有臺積電能實現(xiàn)高量產(chǎn),？獨門絕技：一萬片晶圓落塵數(shù)只有幾顆?。?/p>

　　業(yè)內(nèi)消息人士指出,，臺積電目前提供的5nm制程之后的大規(guī)模制程的生產(chǎn)路線圖被認為如下：（注：在5nm +和3nm之間，計劃插入4nm工藝,，作為第三代5nm工藝,，但是批量生產(chǎn)時間未知。）

　　5nm：2020年開始量產(chǎn)（在臺南最先進的“ Fab 18”工廠生產(chǎn)）

　　5nm+：計劃于2021年開始批量生產(chǎn)

　　3nm：計劃于2022年開始批量生產(chǎn)（臺南工廠建成,，設(shè)備于2021年投入生產(chǎn),，風(fēng)險生產(chǎn)計劃開始）

　　3nm+：計劃于2023年開始批量生產(chǎn)

　　2nm：計劃于2024年開始批量生產(chǎn)（工藝開發(fā)，新竹工廠建設(shè),，風(fēng)險生產(chǎn)計劃于2023年開始）

　　1nm：正在研發(fā)中（在新竹總部附近,，一個名為“ TSMC的貝爾實驗室”的大型研發(fā)中心正在建設(shè)中。）