FinFET器件結(jié)構(gòu)發(fā)展綜述 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:aetmagazine | |
文檔大?。?span>746 K | |
標(biāo)簽: 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 FinFET 器件結(jié)構(gòu) | |
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文檔介紹:隨著集成電路技術(shù)日新月異的發(fā)展,,器件尺寸不斷縮小,,當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道縮短至22 nm以后,,傳統(tǒng)平面場(chǎng)效應(yīng)晶體管不再滿足發(fā)展的需求。FinFET是一種新型的三維器件,,由于良好的性能目前被廣泛研究應(yīng)用,。主要介紹了FinFET器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)以及基礎(chǔ)工藝流程,以及在基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上所發(fā)展起來的一些改良后的FinFET器件結(jié)構(gòu),。最后結(jié)合實(shí)際對(duì)未來FinFET器件結(jié)構(gòu)的發(fā)展寄予展望,。 | |
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