展銳唐古拉品牌下的兩款5G芯片T770和T760,，均采用6nm EUV工藝,，為什么要強調EUV,？

　　“只有引入EUV技術的6nm才是真正的6nm”，這項技術也將伴隨未來可能的5nm,、4nm,、3nm、2nm,、1nm一路前行,。

　　自1965年英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾提出摩爾定律以來，半導體領域就一直在遵循著“當價格不變時,，集成電路上可容納的元器件的數目,，大約每隔18個~24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍”的規(guī)律前行,。技術人員一直在研究開發(fā)新的IC制造技術，以縮小線寬,、增大芯片的容量,。

　　EUV光刻機的出現(xiàn)，就是一個重大突破,。它實現(xiàn)了高速,、低功耗和高集成的芯片生產工藝，滿足了5G高性能,、超帶寬,、低時延和海量連接的需求。

　　圖片來源：臺積電陳平在紫光展銳2020春季線上發(fā)布會演講

　　這么厲害的EUV,，原理是什么,？

　　光刻技術基本上是一個投影系統(tǒng)，將光線投射并穿透印有電路的光罩,，利用光學原理將圖形打在已涂布感光劑的硅晶片上,，進行曝光,，當未曝光的部分被蝕刻移除后，圖樣就會顯露出來,。

　　在光刻技術中,，提升分辨率的途徑主要有三個：一是增加光學系統(tǒng)數值孔徑；二是減小曝光光源波長,；三是優(yōu)化系統(tǒng),。EUV相較于DUV，把193nm波長的短波紫外線替換成了13.5nm的“極紫外線”,，在光刻精密圖案方面自然更具優(yōu)勢,，能夠減少工藝步驟，提升良率,。

　　EUV技術的究竟難在哪兒,？

　　光源產生難：

　　193nm紫外線的光子能量為6.4eV（電子伏特，能量單位）,，EUV的光子能量高達為91~93eV,！這種能量的光子用一般的方法是射不出來的，激光器或燈泡都不行,，它的生成方法光是聽起來就非常變態(tài),，這需要將錫熔化成液態(tài)，然后一滴一滴地滴落,，在滴落過程中用激光轟擊錫珠,，讓其化為等離子態(tài)，才能釋放“極紫外光”,。這樣的光源用久了就會在里面濺很多錫微粒,，必須要定時清潔才行。

　　圖片來源：Cymer: Extreme Ultraviolet（EUV） Lithography Light Sources

　　發(fā)光過程難：

　　EUV不僅能量高,，對物質的影響也極其強大,，它們可以被幾乎任何原子吸收，所以傳播路徑必須是完全的真空,。要想讓EUV聚焦到合適的形狀,，只能用這種用6面凹面鏡子組成的系統(tǒng)——EUV/X射線變焦系統(tǒng)（EUV /X-Ray focusing systems）。

　　有效功率轉化率低：

　　可是就算是鏡子,，每一面鏡子都會吸收30%的EUV,，整個系統(tǒng)里有4個鏡子用于發(fā)光系統(tǒng)，6個鏡子用于聚焦系統(tǒng),。EUV光罩本身也是一個額外的鏡子,，形成了11次反射。這個過程中,，只有大約2％的EUV來到了晶圓上,。因為效率低,，所以需要的功率也大輻上漲。ArF光源平均的功率為45W,，而EUV的平均光源功率為500w,！

　　成本太高：

　　最先進的EUV光刻機售價高達1億歐元一臺，是DUV光刻機價格2倍多,，采購以后還需要多臺747飛機才能運輸整套系統(tǒng),。

　　此外，EUV光刻機必須在超潔凈環(huán)境中才能運行,，一小點灰塵落到光罩上就會帶來嚴重的良品率問題,，并對材料技術、流程控制,、缺陷檢驗等環(huán)節(jié)都提出了更高的要求,。最關鍵的是，EUV光刻機還極度耗電,，它需要消耗電力把整個環(huán)境都抽成真空（避免灰塵）,，通過更高的功率也彌補自身能源轉換效率低下的問題，設備運行后每小時就需要耗費至少150度的電力,。

　　除此之外,，次級電子對光刻膠的曝光、光化學反應釋放氣體,、EUV對光罩的侵蝕等種種難題都要一一解決,。這就導致很長時間里EUV的產量極低，在之前公開的資料里,，EUV的產量只有日均1500片,。

       UV工藝技術的展銳唐古拉T770和T760，真是閃耀著高技術,、高質量的光輝~