5月7日消息，雖然半導體制程工藝的持續(xù)推進變得越來越困難,，但是根據(jù)臺積電此前透露的信息顯示,，其已在2nm工藝上取得了重大突破，樂觀的情況下,，2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產(chǎn),，2024年可能將步入量產(chǎn)階段。不過,，在臺積電之前,，近日IBM搶先發(fā)布了全球首款2nm制程的芯片。

　　據(jù)《路透社》 的報導稱,，IBM 于當?shù)貢r間6日發(fā)布了全球首個2nm制程的芯片,。根據(jù)其公布的資料顯示，憑借其2nm的工藝,，IBM成功將約500億個晶體管容納在指甲大小的芯片上,。而如果以指甲面積約150平方毫米來計算，IBM的這塊2nm制程芯片中的晶體管密度約為每平方毫米3.33億個晶體管（MTr /mm²）,。

　　目前環(huán)繞閘極技術（Gate-All-Around,，GAA）已經(jīng)成為了業(yè)界公認的5nm節(jié)點之后取代FinFET技術的關鍵，三星已經(jīng)計劃在其3nm工藝節(jié)點上采用GAA技術，而臺積電則相對保守的計劃在其第一代3nm工藝上將繼續(xù)用FinFET技術,，后續(xù)才會升級到GAA,。

　　根據(jù)此前三星公布3nm GAA工藝技術指標顯示，相比其7nm工藝,，3nm GAA工藝可實現(xiàn)芯片面積減少45%,，功耗降低50%或性能提高35%。

　　此次IBM公布的2nm芯片也正是采用了最新的GAA技術,。IBM表示,，其2nm工藝采用業(yè)界首創(chuàng)的底部介質隔離技術，可實現(xiàn)12nm柵極長度,；同時采用了可以用于精確的閘門控制的第二代干法工藝,；基于EUV光刻可以產(chǎn)生從15nm到70nm的可變納米片寬度。

　　IBM稱,，與當前許多筆記本電腦和智能手機中使用的主流7nm制程芯片相較,，如果在IBM的2nm制程工藝的加持下，將可使其運算速度提升45%,，而功耗方面有望降低75%,。即使與5nm芯片相比，2nm的加持下芯片面積也將大幅縮小,，性能大幅提升,。

　　IBM強調(diào)，在新發(fā)布的2nm制程芯片中,，其晶體管的體積非常小,，使芯片中的晶體管密度更高，讓運算能更快,，也更加省電,。而針對其中可能會有的漏電問題，IBM表示目前已經(jīng)可以克服,。

　　根據(jù)IBM 研究室主任Darío Gil 指出,，2nm制程芯片的成敗，其最重要的關鍵還是在晶體管技術上,，因為運算領域的一切都取決于晶體管的效能是否變得更好,。不過，這不能保證晶體管會一代又一代地向前發(fā)展,。因此,，每當有更先進的晶體管技術出現(xiàn)時，這都是業(yè)界的一件大事,。只是,，雖然IBM 率先業(yè)界開發(fā)出2nm制程芯片及技術，如果要將其真的普及于市場，IBM 則預估還要幾年的時間,。

　　IBM 曾是全球重要的芯片制造商,。不過，現(xiàn)在其已將大多數(shù)芯片的生產(chǎn)外包給了韓國三星,，包括其在下半年將推出的最新Power 10服務器處理器,。但是，IBM 在美國紐約州的Albany 仍保留著一個芯片研發(fā)中心,，該中心負責對芯片進行研發(fā)與測試工作,。此次IBM率先發(fā)布的2nm制程芯片及其生產(chǎn)技術，也代表著其目前在芯片制造技術上仍位居全球領先位置,。

　　需要指出的是,，IBM通過與三星及英特爾所簽定的聯(lián)合技術開發(fā)協(xié)議，也讓兩家具備制造能力的芯片制造商可以使用IBM 研發(fā)的芯片技術,。也就是說,，三星、英特爾有望借助于與IBM的合作,，未來能夠更快的實現(xiàn)2nm工藝的量產(chǎn),。