目前全球的IT產(chǎn)業(yè)一年的規(guī)模超過10萬億美元,，在全球半導(dǎo)體芯片缺貨漲價的趨勢下，各大芯片公司開啟了硬核競爭模式：三星首發(fā)3nm,，IBM推出2nm,，臺積電突破1nm，而英特爾這邊,，還在10nm邊緣徘徊,。

　　目前全球的IT產(chǎn)業(yè)一年的規(guī)模超過10萬億美元，在全球半導(dǎo)體芯片缺貨漲價的趨勢下,，各大芯片公司開啟了硬核競爭模式：三星首發(fā)3nm,，IBM推出2nm，臺積電突破1nm,，而英特爾這邊,，還在10nm邊緣徘徊。

　　臺積電,、三星這兩大代工巨頭在芯片制程上不斷前進,，你追我趕，再次印證了中國互聯(lián)網(wǎng)市場的規(guī)律，老大和老二打架,，把老三intel甩到了身后,。

　　三星：3nm

　　3月份的時候，三星全球首發(fā)了3nm的芯片,，這是一顆3nm的 SRAM芯片,，容量達到了256GB，但面積只有56平方毫米,，采用了GAAFET晶體管工藝,。

　　三星這顆3nm的芯片推出后，很多人表示,，這次三星可能要領(lǐng)先于臺積電了,，因為三星這次確實在技術(shù)上似乎領(lǐng)先了，畢竟使用GAAFET工藝,，而臺積電之前表示3nm芯片還使用FinFET晶體管工藝,。

　　IBM：2nm

　　前不久，IBM全球首發(fā)了一顆2nm工藝的芯片,，與三星的3nm芯片一樣,，采用的是GAAFET晶體管技術(shù)。

　　Source：IBM

　　IBM的這顆芯片,，晶體管密度達到了3.33MTr /mm²,，也就是3.3億個每平方毫米。這個密度相比于臺積電,、三星公布的3nm技術(shù),，先進了一大截。

　　很多認(rèn)為在這波競賽中,，似乎臺積電落后了,，畢竟三星3nm芯片首發(fā)了，IBM的2nm芯片也有了,，臺積電還沒動靜啊,。

　　臺積電1nm重大突破

　　臺積電也在近日表示自己取得了1nm以下制程重大突破。

　　臺積電是與臺大,、美國麻省理工學(xué)院合作研究,，發(fā)現(xiàn)了用二維材料結(jié)合「半金屬鉍（Bi）」能達極低電阻，接近量子極限,。

　　利用這種技術(shù),，有助實現(xiàn)半導(dǎo)體1nm以下制程挑戰(zhàn)，因為它能夠解決二維材料高電阻及低電流等問題,。

　　從實際來看,，除了三星的3nm技術(shù)是基本靠譜,，明年可量產(chǎn)的技術(shù)外，像IBM的2nm,，還有臺積電的這個「半金屬鉍（Bi）」技術(shù),，更多的還是在理論階段，但這無不表明,，芯片戰(zhàn)爭真的無止境,。

　　Intel：10nm

　　Intel的桌面和服務(wù)器CPU處理器一直沒有實現(xiàn)更先進的制程，今年新CEO基爾辛格執(zhí)掌大印后才開啟技術(shù)路線,，預(yù)計今年將推出10nm,，7nm已經(jīng)take in。

　　今年下半年,，Intel將推出代號為Alder Lake的12代酷睿處理器,，升級10納米ESF工藝和Golden Cove架構(gòu)，首次使用大小核架構(gòu),，最多16核24線程,。

　　在服務(wù)器領(lǐng)域中，Intel推出了14nm工藝的Cooper Lake處理器,，也就是第三代至強可擴展處理器,，最多28核心56線程（八路就是最多224核心448線程），部分型號增加了核心數(shù)量,，同時頻率更高,，基準(zhǔn)頻率提升至最高3.1GHz，單核睿頻加速最高則可達4.3GHz,，三級緩存最多38.5MB（每核心對應(yīng)1.375MB）,，熱設(shè)計功耗150-250W。

　　結(jié)語

　　當(dāng)然Intel的處理器架構(gòu)與其他Arm架構(gòu)有所不同,，制程也不能用簡單的數(shù)字進行比較,。三星的3nm可能是目前能夠最快量產(chǎn)的制程，臺積電的1nm也只是取得重大突破,，離實際量產(chǎn)應(yīng)該還有一段距離。

　　不過,，制程之爭已經(jīng)成了芯片設(shè)計與代工領(lǐng)域最重要的方式,。