保守來講,，當(dāng)下8英寸（200mm）晶圓的供應(yīng)鏈情況相當(dāng)嚴(yán)峻！

然而,，這絕不是新問題。中國臺(tái)灣的市場調(diào)查公司一一TrendForce于2020年11月發(fā)布新聞稱：“就8英寸晶圓的產(chǎn)能而言,，自2019年下半年以來一直持續(xù)在嚴(yán)重的供給不足問題”,。

此外，雪上加霜的是2021年3月瑞薩電子那珂工廠發(fā)生了火災(zāi),。由于瑞薩的此處工廠為諸多車型供貨,，因此導(dǎo)致問題更加惡化。

基于以上背景,，導(dǎo)致諸多因素“糾纏”在一起,。但是，不言而喻,，最大的原因還是在于新冠疫情（COVID-19）,。由于新冠疫情的發(fā)生，耳機(jī),、電腦,、電視、顯示屏,、手機(jī)等各種電子產(chǎn)品的需求猛增,。

雖然汽車也屬于以上范疇，但人們還是希望汽車市場會(huì)在2021年內(nèi)從新冠疫情的陰影中恢復(fù),。如今各種產(chǎn)品都在推廣將多種功能匯集于一體的SoC（System on Chip）模式,，因此很多產(chǎn)品都需要搭載多個(gè)具備數(shù)模混合信號(hào)（Mixed Signal Chip）的IC,。以上產(chǎn)品的用途方向主要有以下：PMIC（Power Management IC）,、CMOS圖像傳感器、指紋識(shí)別傳感器,、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)/底盤控制,、顯示屏驅(qū)動(dòng)IC、Sub Giga Hertz的無線通信芯片等,。一般情況下，以上這些都適用180納米,、350納米工藝,，用8英寸晶圓生產(chǎn),。

即，用于這種數(shù)?；旌闲盘?hào)芯片（Mixed Signal Chip）,、功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品需求不斷增長，這導(dǎo)致了8英寸晶圓的產(chǎn)能不足,。

受到8英寸晶圓的供給達(dá)到極限的影響,，代工廠（Foundry）很有可能會(huì)擴(kuò)大產(chǎn)能。代工廠可能會(huì)收購垂直統(tǒng)籌型廠家（IDM：Integrated Device Manufacturer）的8英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備和產(chǎn)線,?？闪信e的事例如下：最近有報(bào)道指出，中國臺(tái)灣的UMC正在討論收購Japan Semiconductor（原東芝的半導(dǎo)體制造公司） 的8英寸產(chǎn)線,。

沒有供生產(chǎn)廠家

正如Trend Force的報(bào)道指出的一樣,，自2019年下半年開始的嚴(yán)重的半導(dǎo)體供給不足問題，可以推測的原因是幾乎沒有廠家可以生產(chǎn)出8英寸晶圓的設(shè)備,，即使現(xiàn)在也是如此,，因此半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的價(jià)格不斷高漲。

TSMC的采用8英寸,、12英寸晶圓的工藝

此外,，8英寸晶圓的價(jià)格較12英寸低得多，因此,，代工廠普遍認(rèn)為擴(kuò)大8英寸產(chǎn)能的成本效率更差,。因此，產(chǎn)生了一系列連鎖反應(yīng),，如一部分代工廠就對(duì)客戶提高了8英寸晶圓的價(jià)格,。

換句話說，就8英寸晶圓的情況而言,，與其說“供應(yīng)鏈混亂”,，不如說其特點(diǎn)是“供應(yīng)廠家不足”。 

一部分“移步”12英寸晶圓

就12英寸（300mm）晶圓的代工廠而言,，以TSMC,、GLOBALFOUNDRIES為代表的各家企業(yè)為擴(kuò)大產(chǎn)能而在火熱地投資，然而,，卻看不到任何有關(guān)8英寸的改善情況,。

由于8英寸晶圓產(chǎn)能沒有任何改善，因此一部分廠家正在從現(xiàn)有的180nm,、350nm的8英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)為使用12英寸晶圓,。此外，很多代工廠可以提供用12英寸晶圓生產(chǎn)的130nm工藝,，因此可用作二次供給源或者主要供給源,。因此,，這有助于提高供應(yīng)鏈的地理多樣性。 

180納米,、130納米工藝技術(shù)的特征

180納米和130納米工藝雖然有類似的工藝,，但也有不同的地方。主要是晶體管的閾值電壓的下降程度不同,，核心供給電壓為1.8V一1.5V,，或者低至1.2V。此外,，由于存在各種工藝技術(shù)的選擇項(xiàng),，因此可以支持5V／3.3V的IO電壓，就對(duì)于模擬/RF設(shè)計(jì)極其重要的被動(dòng)零部件而言,，這些工藝特征極其類似,。

用于Mixed Signal  ASIC等產(chǎn)品的主要節(jié)點(diǎn)技術(shù)比較圖

12英寸晶圓技術(shù)有多個(gè)優(yōu)勢。由于可代替舊代際技術(shù)中的鋁而使用銅,，因此電流密度允許值也較高,，耐電遷移性也較優(yōu)秀。此外,，金屬層的層數(shù)也較多,，晶體管尺寸較小，因此,，通過提高晶體管密度,、布線密度，可以縮小芯片尺寸,、提高性能,。

此外，大部分180納米工藝技術(shù)和大部分的130nm BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)都可以支持STI（Shallow Trench Isolation,，淺槽隔離）等功能,，因此與大部分在350納米技術(shù)中使用的LOCOS（Local Oxidation of Silicon）絕緣相比，因此可以獲得較高的密度,、閂鎖效應(yīng)（Latch Up）保護(hù)機(jī)能等,。因此，達(dá)到提高線路性能和穩(wěn)定性的效果,。

如今,，130納米 BCD工藝已經(jīng)相當(dāng)成熟，因此可作為各種工藝技術(shù)的選擇項(xiàng),。如不同級(jí)別的高壓晶體管,、非揮發(fā)性存儲(chǔ)半導(dǎo)體、MIM（金屬一一絕緣膜一一金屬）電容,、穩(wěn)壓二極管（Zener）/肖特基二極管等,。因此,，不僅可以將復(fù)雜的模擬/RF功能與SoC解決方案融合，還可以提供其他優(yōu)勢,。

 8英寸晶圓還有很多優(yōu)勢

8英寸晶圓還有很多優(yōu)勢，比方說,，用350納米制造的8英寸晶圓的價(jià)格優(yōu)勢,。

原因如下：生產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)完成折舊、生產(chǎn)工藝相對(duì)簡單（層數(shù)少）,。此外,，一部分模擬線路未必能夠在新工藝中順利實(shí)現(xiàn)微縮化，因此與130納米同等程度的半導(dǎo)體芯片的價(jià)格可能會(huì)高于350納米,。但是,，當(dāng)因零部件不足導(dǎo)致無法生產(chǎn)產(chǎn)品時(shí)，大部分情況下會(huì)發(fā)生極其嚴(yán)重的情況,，而不是單純的半導(dǎo)體芯片的成本差,。

此外，現(xiàn)階段人們的關(guān)注點(diǎn)是盡管各家代工廠都在從8英寸轉(zhuǎn)到12英寸,，但卻沒有一家廠家做出任何發(fā)言,。對(duì)于Mixed Signal  ASIC熟練的廠家雖然在努力，但首先應(yīng)該著手于線路圖的端口,、IC 的數(shù)據(jù)手冊(cè)（Data Sheet）,。

就為重新設(shè)計(jì)ASIC所需的投資而言，應(yīng)該統(tǒng)籌一下其他產(chǎn)品,，以免同樣受到如8英寸供應(yīng)鏈同樣問題,。

130納米的特征尺寸（Feature Size）較小，因此可以在不增加成本的情況下與“Arm Cortex-M”系列核融合,。低端CPU所需要的芯片面積僅為數(shù)平方毫米,，而且有可能以較高的效率與64kbit/128kbit的SRAM融合。

從如今的數(shù)據(jù)手冊(cè)來看,，從設(shè)計(jì)ASIC,、量產(chǎn)、獲得認(rèn)證的日程需要14個(gè)月一一24個(gè)月（依復(fù)雜程度而定）,，最初的Proto Type Silicon應(yīng)該可以在一年內(nèi)完成,。如果是車載產(chǎn)品，從制作規(guī)格書到PPAP（Production part approval process,，生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序）大概需要24個(gè)月一一36個(gè)月（依復(fù)雜程度而定）,。130納米ASIC的一般預(yù)算為60萬美元起步（依據(jù)實(shí)際的復(fù)雜程度和IP知識(shí)產(chǎn)權(quán)內(nèi)容而定），如果依據(jù)AEC-Q100的話,，費(fèi)用為400萬美元左右,。如今,，130納米工藝（12英寸晶圓）的Mask Tool的成本為20萬美元以下，占整體成本的比例較低,。

很多Mixed Signal Device都是由供給不足的8英寸晶圓制造的,，由于8英寸晶圓產(chǎn)線的投資不足（原因是投資收益率低下），未來供應(yīng)鏈問題還會(huì)繼續(xù)存在,。

此次的半導(dǎo)體供給不足問題某種程度上是一個(gè)“警告”,，如今使用8英寸晶圓的企業(yè)應(yīng)該首先考慮一下未來的需求。此外,，無論是主要生產(chǎn)據(jù)點(diǎn),，還是第二供應(yīng)商（Second Source），在所有的工藝完成之前都需要確保足夠的時(shí)間,。