《電子技術(shù)應(yīng)用》
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臺(tái)積電宣布4nm制程將于第三季度試產(chǎn),3nm明年下半年量產(chǎn)

2021-06-03
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 4nm 3nm 人工智能

IT之家 6 月 2 日消息 據(jù)中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道,,晶圓代工龍頭臺(tái)積電今日舉辦 2021 年技術(shù)論壇,并宣布 4 納米制程技術(shù)預(yù)計(jì) 2021 年第 3 季開始試產(chǎn),,較先前規(guī)劃提早一季時(shí)間,,3 納米制程則將依計(jì)劃于 2022 年下半年量產(chǎn)。

今年是臺(tái)積電連續(xù)第二年采用線上形式舉行技術(shù)論壇,,與客戶分享臺(tái)積公司最新的技術(shù)發(fā)展,,包括支持下一世代 5G 智能手機(jī)與 WiFi 6/6e 效能的 N6RF 制程、支持最先進(jìn)汽車應(yīng)用的 N5A 制程,、以及 3DFabric 系列技術(shù)的強(qiáng)化版,。

臺(tái)積電在這次的技術(shù)論壇會(huì)中揭示先進(jìn)邏輯技術(shù)、特殊技術(shù),、以及 3DFabric 先進(jìn)封裝與晶片堆疊技術(shù)之最新創(chuàng)新成果,,今年共計(jì)超過 5,000 位來自全球各地的客戶與技術(shù)伙伴注冊參與 6 月 1 至 2 日舉行的線上技術(shù)論壇。

臺(tái)積電在今年的技術(shù)論壇上,,介紹了 N5(5 納米),、N4(4 納米)、N5A(5 納米 A),、以及 N3(3 納米)制程技術(shù)的情況,。臺(tái)積電指出,自 2020 年領(lǐng)先業(yè)界量產(chǎn) 5 納米技術(shù),,其良率提升的速度較前一世代的 7 納米技術(shù)更快,。而 N5 家族之中的 N4 加強(qiáng)版借由減少光罩層,以及與 N5 幾近相容的設(shè)計(jì)法則,,進(jìn)一步提升了效能,、功耗效率、以及電晶體密度,。

臺(tái)積電指出,,自從在 2020 年臺(tái)積公司技術(shù)論壇公布之后,N4 的開發(fā)進(jìn)度相當(dāng)順利,,預(yù)計(jì)于 2021 年第 3 季開始試產(chǎn),。

臺(tái)積電也推出了 5 納米家族的最新成員-N5A 制程,目標(biāo)在于滿足更新穎且更強(qiáng)化的汽車應(yīng)用對于運(yùn)算能力日益增加的需求,,例如支持人工智能的駕駛輔助及數(shù)字車輛座艙,。

臺(tái)積電表示,N5A 將現(xiàn)今超級電腦使用的相同技術(shù)帶入車輛之中,,搭載 N5 的運(yùn)算效能,、功耗效率、以及邏輯密度,,同時(shí)符合 AEC-Q100 Grade 2 嚴(yán)格的品質(zhì)與可靠性要求,,以及其他汽車安全與品質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)。

IT之家了解到,,臺(tái)積電的 N3 技術(shù)預(yù)定于 2022 年下半年開始量產(chǎn)時(shí)將成為全球最先進(jìn)的邏輯技術(shù),。N3 憑借著可靠的 FinFET 電晶體架構(gòu),支持最佳的效能,、功耗效率,、以及成本效益,相較于 N5 技術(shù),,其速度增快 15%,,功耗降低達(dá) 30%,邏輯密度增加達(dá) 70% ,。




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