AMD誠(chéng)意滿(mǎn)滿(mǎn)，全新技術(shù)加持Ryzen 5000

　　此次 COMPUTEX-2021大會(huì)，不僅展示了3D堆疊技術(shù)首次應(yīng)用,，“3D vertical cache bonded”技術(shù)出現(xiàn)在AMD Ryzen 5000系列處理器產(chǎn)品中,，并且對(duì)于廣泛的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)，新的處理器將有十分“恐怖”的性能提升,。

　　據(jù)悉,，AMD此次亮相的prototype 3D 芯片互聯(lián)密度是2D的200多倍，并且是現(xiàn)有3D封裝解決方案的15倍之多,；而這一切都是都是來(lái)自于AMD與TSMC的密切合作,。此次AMD帶來(lái)的新的3D解決方案能耗更低，是迄今為止全球最靈活的有源3D堆疊技術(shù),。（active-on-active silicon stacking technology）

　　AMD computex2021 “蘇媽”展示最新CHIPLET技術(shù)（圖源：AMD）

　　AMD不僅只帶來(lái)Ryzen 5000系列處理器,，還表示在2021年底前開(kāi)始生產(chǎn)3D堆疊技術(shù)加持的高端產(chǎn)品，目前其計(jì)算和圖形處理技術(shù)在汽車(chē)和移動(dòng)市場(chǎng)已經(jīng)擁有廣泛的應(yīng)用,，包括新能源領(lǐng)袖Tesla,、電子設(shè)備巨頭Samsung等廠商；Tesla Model S 和Model X最新的車(chē)載娛樂(lè)系統(tǒng)是采用AMD的Ryzen系列APU和RDNA2架構(gòu)的GPU,，還支持3A游戲大作,；與三星合作開(kāi)發(fā)下一代Exynos SoC，該SoC采用基于AMD RDNA 2架構(gòu)的定制圖形IP內(nèi)核,，為旗艦機(jī)帶來(lái)光線跟蹤和可變速率著色功能等全新技術(shù),。

　　ComputeX 2021 AMD首席執(zhí)行官 Lisa Su（圖源：Google）

　　臺(tái)積電N6RF、N5A技術(shù)性能全面提升

　　全新的處理器芯片是設(shè)計(jì)的產(chǎn)物,，也絕少不了制造的一份努力,。臺(tái)積電也在其技術(shù)研討會(huì)上公布了其業(yè)界領(lǐng)先的專(zhuān)業(yè)技術(shù)：包括其先進(jìn)的3D Fabric封裝和芯片堆疊技術(shù)。新推出的產(chǎn)品包括用于汽車(chē)的N5A系列,；下一代5G智能手機(jī)的N6RF和WiFi 6/6E,；以及一系列使用3D Fabric技術(shù)的定制芯片。

　　TSMC N5A技術(shù)節(jié)點(diǎn)路線圖（圖源：TSMC）

　　N5A是TSMC 5nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的最新成員,，旨在滿(mǎn)足車(chē)載電腦日益增長(zhǎng)的算力提升和復(fù)雜場(chǎng)景的邏輯計(jì)算需求,，例如支持人工智能的輔助駕駛和車(chē)載中控的智能化。N5A系列將當(dāng)今用于超級(jí)計(jì)算機(jī)中的相同技術(shù)用在車(chē)載芯片上,，在滿(mǎn)足AEC-Q100 2級(jí)以及其他汽車(chē)安全和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)中質(zhì)量和可靠性要求的同時(shí),，極大程度的提升了N5A的性能、功率效率和邏輯密度,，TSMC也預(yù)計(jì)其N(xiāo)5A工藝生產(chǎn)的芯片將于2022年第三季度上市,。

　　TSMC還對(duì)外披露稱(chēng)，自去年宣布N4研發(fā)計(jì)劃以來(lái),，目前進(jìn)展極為順利,，風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)計(jì)劃在2021年第三季度進(jìn)行,；并且值得一提的是，其N(xiāo)3技術(shù)是目前全球最先的工藝技術(shù),，也將在2022年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn),。憑借經(jīng)驗(yàn)證的FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，N3將提供高達(dá)15%的速度增益,，或比N5低30%的功耗,，并提供高達(dá)70%的邏輯密度提升。

　　TSMC N3 3nm技術(shù)（圖源：google）

　　不僅在N5節(jié)點(diǎn)臺(tái)積電有了最新動(dòng)作,，此次大會(huì)還介紹了N6RF工藝,，其先進(jìn)的N6工藝技術(shù)在功率、性能和面積上的優(yōu)勢(shì)下,，直接引入到5G射頻（RF）和WiFi 6/6E的解決方案中,。據(jù)悉，N6RF晶體管在16nm節(jié)點(diǎn)處的性能比上一代RF技術(shù)高出16%以上,，N6RF支持的5G RF收發(fā)器在低于6kMHz和毫米波頻段上能夠顯著降低功率和面積,，但是絲毫不會(huì)影響提供給消費(fèi)者的性能、功能和電池壽命,。

　　臺(tái)積電的三維硅堆疊和先進(jìn)的封裝技術(shù)3DFabric系列

　　對(duì)于高性能計(jì)算應(yīng)用,，TSMC也將在2021年為其InFO oS 和CoWoS 封裝解決方案提供更大的floor plan尺寸，從而為芯片排布和高帶寬內(nèi)存集成芯片提供更大的排布圖,。此外,，臺(tái)積電SoIC芯片組（CoW）將于今年在N7-on-N7上獲得認(rèn)證，計(jì)劃于2022年在一家新的全自動(dòng)化Fab進(jìn)行量產(chǎn),。

　　TSMC 3D Fabric CoWoS封裝技術(shù)（圖源：TSMC）

　　而對(duì)于移動(dòng)平臺(tái)應(yīng)用來(lái)說(shuō),，臺(tái)積電正在推出其InFO_B解決方案，該方案旨在將功能強(qiáng)大的移動(dòng)處理器集成在一個(gè)輕薄,、緊湊的封裝中,，在提高性能和能效的同時(shí)支持制造商在該封裝上堆疊DRAM芯片，將整個(gè)電路做到一顆芯片上,。

　　TSMC InFo_B解決方案（圖源：Google）

　　也就是說(shuō)在TSMC最新的技術(shù)加持下,，AMD此次大會(huì)秀出產(chǎn)品可謂驚艷，同時(shí)AMD首席執(zhí)行官 Lisa Su（網(wǎng)友喜稱(chēng)：“蘇媽”）還表示：隨著 AMD 繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新步伐,，AMD的高性能計(jì)算和圖形技術(shù)將得到越來(lái)越多行業(yè)和商業(yè)伙伴的采用,。

　　隨著全新的Ryzen和Radeon系列處理器的推出，整個(gè)計(jì)算機(jī)行業(yè)AMD產(chǎn)品和技術(shù)的生態(tài)也將越來(lái)越完善,。同時(shí)也表示,，接下來(lái)在芯片制造前沿的3D Fabric創(chuàng)新技術(shù)才是整個(gè)行業(yè)發(fā)展的未來(lái)，將本來(lái)用于大型超級(jí)計(jì)算機(jī)的CHIPLET技術(shù)融入到個(gè)人電腦,、汽車(chē)芯片和移動(dòng)端設(shè)備的設(shè)計(jì)理念,，將會(huì)對(duì)用戶(hù)性能,、功耗和綜合體驗(yàn)帶來(lái)大幅度提升。