在過去的一周里,,臺積電舉辦了 2021 年技術(shù)研討會,,涵蓋了其在工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)方面的最新發(fā)展,,旨在為客戶提高性能、成本和能力,。在這次活動中,,臺積電討論了其在制造中越來越多地使用極紫外 (EUV) 光刻技術(shù),,使其能夠縮小到其 3nm 工藝節(jié)點(diǎn),遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其競爭對手,。臺積電還解決了當(dāng)前圍繞半導(dǎo)體需求的問題,,并宣布正在建設(shè)用于先進(jìn)封裝生產(chǎn)的新工廠。與首席執(zhí)行官 CC Wei 博士一起參加主題演講的還有 AMD 首席執(zhí)行官 Lisa Su 博士,、高通公司總裁(即將成為首席執(zhí)行官)Cristiano Amon 以及 Ambiq 的創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官 Scott Hanson,。
作為會議的一部分,臺積電為AnandTech提供了對業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁 Kevin Zhang 博士和臺積電歐盟總裁 Maria Marced 博士的 30 分鐘采訪,,以此作為了解更多臺積電發(fā)展方向和合作的機(jī)會與行業(yè)合作伙伴,。臺積電確實(shí)要求我們僅就技術(shù)問題和與其技術(shù)研討會上的公告相關(guān)的問題進(jìn)行提問,而不是討論當(dāng)前的全球政治話題,。
Kevin Zhang 博士從設(shè)計(jì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)提拔后,,擔(dān)任臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁已近一年。在加入臺積電之前,,張博士作為英特爾院士在英特爾工作了 11 年,,成為技術(shù)與制造事業(yè)部的副總裁以及電路技術(shù)總監(jiān)。張博士在技術(shù)會議和研究期刊上發(fā)表了 80 多篇論文,,擁有 55 項(xiàng)集成電路技術(shù)專利,,并擁有電氣工程博士學(xué)位。張博士將擔(dān)任 ISSCC 2022 的會議主席,。
Maria Marced 博士是臺積電歐洲總裁,,負(fù)責(zé)推動公司在該地區(qū)的戰(zhàn)略和發(fā)展,自 2007 年以來一直擔(dān)任該職位,。在此之前,,Marced 博士在 NXP 工作了 4 年,在英特爾工作了 19 年,。并擔(dān)任類似的最高職位,。Marced 博士擔(dān)任 GSA(全球半導(dǎo)體聯(lián)盟)的 EMEA 領(lǐng)導(dǎo)委員會主席,是 CEVA 董事會成員,,并擁有電信工程博士學(xué)位,。
以下為采訪原文。
處于領(lǐng)先地位的臺積電
Ian Cutress:臺積電表示,,自 2019 年以來,,它一直在內(nèi)部生產(chǎn) EUV 薄膜(EUV pellicle ),而臺積電現(xiàn)在正在大幅增加薄膜的生產(chǎn),。在制造中的使用范圍有多大,,它如何進(jìn)一步提升臺積電相對于其他晶圓廠的競爭優(yōu)勢,?
Kevin Zhang:我們顯然已經(jīng)在內(nèi)部投資了這個(gè)領(lǐng)域,,我認(rèn)為這對我們來說是一項(xiàng)非常獨(dú)特的技術(shù),。我們能夠利用它來實(shí)現(xiàn)我們的 EUV 大規(guī)模生產(chǎn)。如果你看看我們在 7 nm,、6 nm 和現(xiàn)在的 5 nm 上運(yùn)行的方式,,所有這些都使用 EUV,顯然我們?nèi)〉昧司薮蟮倪M(jìn)步,。所以這絕對是我們認(rèn)為我們憑借獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢做得很好的領(lǐng)域,。
Maria Marced:有一件事,因?yàn)槲以诎⒛匪固氐?,所以我們與 ASML 比較接近——我們接受過他們的特殊培訓(xùn),。我可以告訴你,在內(nèi)部進(jìn)行這種生產(chǎn)確實(shí)可以讓我們延長mask的使用壽命,。通常在 EUV 中,,掩膜會變臟,因此,,在較短的期限內(nèi),,這確實(shí)有助于我們提高 EUV 和掩膜的生產(chǎn)率。
IC:那么,,在現(xiàn)場使用它意味著您購買mask的流程減少了,,并且由于流程減少而變得更少被污染?
MM:沒錯,。
IC:我們通常將復(fù)雜的專業(yè)技術(shù)與領(lǐng)先的客戶聯(lián)系起來,。考慮到這些客戶往往是低個(gè)位數(shù),,與開發(fā)和探索新技術(shù)相比,,臺積電如何平衡開發(fā)客戶需要的封裝技術(shù)?
KZ:例如,,在領(lǐng)先節(jié)點(diǎn),,我們一直是領(lǐng)先者——技術(shù)領(lǐng)先者。我們希望繼續(xù)推動硅技術(shù)的進(jìn)步,,并與主要客戶合作以優(yōu)化我們的技術(shù),。所以這絕對是我們繼續(xù)推動未來增長的領(lǐng)域。但話雖如此,,我仍然認(rèn)為專業(yè)技術(shù)在我們?yōu)榭蛻籼峁┑恼w技術(shù)中也起著非常重要的作用,。我們的許多客戶無法在沒有 20 nm 配套芯片的情況下交付基于 5 nm 的單個(gè)芯片。例如,,如果您查看手機(jī),,就會發(fā)現(xiàn)有多個(gè)芯片和許多配套芯片。汽車也是一樣——你有一個(gè)先進(jìn)的芯片,但你也需要大量基于成熟技術(shù)的微控制器,。
所以我認(rèn)為我們在平衡我們的整體技術(shù)開發(fā)工作方面做得很好,。在過去的幾十年里,我們對成熟的技術(shù)進(jìn)行了大量投資,。如果您查看我們的整體技術(shù)路線圖,,我們會提供當(dāng)今市場上最先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)產(chǎn)品。我認(rèn)為Maria 可能會從歐洲的角度添加一些顏色,。
MM:我唯一要補(bǔ)充的是,,了解客戶的系統(tǒng)復(fù)雜性對我們來說非常重要。此外,,特別是通過這些技術(shù)來完成整個(gè)系統(tǒng)的物料清單,,它有助于我們更好地了解系統(tǒng)架構(gòu)的發(fā)展方式,從而為我們的客戶做得更好,。
IC:那么其中有多少取決于客戶的具體要求,,而不是研究客戶還不知道他們需要的新技術(shù)?
KZ:例如,,從組織的角度來看,,我們有一個(gè)單獨(dú)的團(tuán)隊(duì)。我們有一個(gè)獨(dú)立的團(tuán)隊(duì),,一個(gè)研究下一代的研究團(tuán)隊(duì),。我們真的很期待探索不同的事物。它還需要大量的市場投入和客戶投入,。幫助指導(dǎo)一些探索性工作,。所以這是一個(gè)非常動態(tài)的過程,在我們之間,、我們內(nèi)部以及我們與客戶之間非?;印?/p>
IC:臺積電已經(jīng)非常明確地表示,,會繼續(xù)使用 FinFET,,直至 3 nm,并在 2 nm 時(shí)轉(zhuǎn)向 Gate-All-Around,。相比之下,,競爭對手在發(fā)展的早期階段已經(jīng)轉(zhuǎn)向 GAA。您能否描述臺積電如何權(quán)衡其希望處于這些先進(jìn)技術(shù)的領(lǐng)先地位,,以及為其生產(chǎn)線保持相同的 FinFET,?
KZ:我們選擇 FinFET 技術(shù)作為 3 nm 的原因有兩個(gè)。
第一,,我們必須想辦法將技術(shù)改進(jìn)為更高的能效,、更高的性能和內(nèi)部密度,。終端客戶其實(shí)并不關(guān)心它是 FinFET 還是 Nanosheet。他們想從產(chǎn)品的角度來看待它——可以為客戶帶來什么樣的功率,、性能和密度優(yōu)勢,。最后才是最重要的。所以我們看看我們的 FinFET 技術(shù),,我們看看我們的創(chuàng)新能力,,我們發(fā)現(xiàn)了一個(gè)非常強(qiáng)大的旋鈕,,一個(gè)創(chuàng)新的旋鈕,,它允許我們將 FinFET 技術(shù)擴(kuò)展到 3 nm,同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了實(shí)質(zhì)性的全節(jié)點(diǎn)縮放優(yōu)勢,。這就是第一個(gè)原因,。
第二個(gè)原因也是時(shí)間表。我們希望確保在合適的時(shí)間,,我們能夠提供最先進(jìn)的技術(shù),。因此,從先進(jìn)技術(shù)發(fā)展的角度來看,,可預(yù)測性非常重要,。我們的客戶非常重視日程安排!因此,,將兩者結(jié)合起來,,我們決定繼續(xù)使用 3nm 的 FinFET。我們相信在 2022 年至 2023 年的時(shí)間范圍內(nèi),,我們的 3 nm 將為市場帶來最先進(jìn)的邏輯技術(shù),。
IC:您如何平衡推動工藝密度與設(shè)計(jì)復(fù)雜性,例如 1D 與 2D 金屬布線,?目前領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)有哪些可能性,?
KZ:我們查看所有不同的指標(biāo)。歸根結(jié)底,,我們會真正考慮產(chǎn)品級別,、系統(tǒng)級別以及我們可以為客戶帶來什么樣的整體擴(kuò)展優(yōu)勢。當(dāng)我談到擴(kuò)展優(yōu)勢時(shí),,我指的是整體功耗/性能和成本,。這必須在系統(tǒng)級別完成,而不僅僅是在芯片級別,。
過去,,二維縮放主導(dǎo)了一切,但現(xiàn)在我們必須更多地關(guān)注系統(tǒng)層面,。例如,,您注意到我們花費(fèi)了大量精力和投資來開發(fā)芯片級集成方案:我們有 2D,、2.5D 和 3D 向前發(fā)展。這一切都在發(fā)揮作用,,為未來提供一個(gè)完整的系統(tǒng)級解決方案,。我想你會看到越來越多基于先進(jìn)的芯片級集成技術(shù)的應(yīng)用。晶體管的開發(fā)仍然很重要,,不要搞錯,,這將繼續(xù)非常非常重要。為客戶提供最好的節(jié)能晶體管仍然非常重要,,但這還不夠,。
我們著眼于系統(tǒng)級別的整體擴(kuò)展。在技術(shù),、技術(shù)的不同方面和產(chǎn)品系統(tǒng)級設(shè)計(jì)之間進(jìn)行了大量的協(xié)同優(yōu)化,。
IC:隨著工藝節(jié)點(diǎn)的縮小,金屬層上的電阻變得越來越成問題,。關(guān)于創(chuàng)新的解決方案,,以及奇特的材料與銅互連,這只是在這方面進(jìn)行更多研究的一個(gè)案例嗎,?或者我們是否需要付出更多的努力來增加和布線更高的金屬層,?
KZ:我認(rèn)為在我們先進(jìn)技術(shù)介紹的研究會議上,我們確實(shí)介紹了一些后端工作,。例如,,我們正在繼續(xù)優(yōu)化銅晶界( copper grain boundary),為我們的整體芯片技術(shù)和新技術(shù)帶來更低電阻的金屬線,。此外,,對于電介質(zhì),我們繼續(xù)尋找創(chuàng)新材料來改善寄生電容中的電介質(zhì),。所以,,這些東西正在被積極研究。
3D 集成還可以為后端的整個(gè)性能要求提供替代解決方案,。您可以改為在 2 維空間中從 A 路由到 B,,或者可以在 3 維中將 A 垂直路由到 B。在某些情況下,,通過垂直走線,,您可以減少 RC 線的總長度,并顯著減少通過延遲,。所以所有這些事情都必須向前看,。
IC:所以看看新技術(shù),當(dāng)我們超越 Gate-All-Around 時(shí),,兩個(gè)最有前途的技術(shù)是 2D 晶體管和碳納米管,。臺積電最近發(fā)布了一篇關(guān)于二維晶體管新發(fā)展的論文,,引起了很多媒體的關(guān)注。你能評論一下看起來更有希望的嗎,?
KZ:所有這些先進(jìn)的晶體管材料都有一定的優(yōu)勢,。這就是為什么我們花費(fèi)早期的研發(fā)努力來探索這些,但那些仍然很遙遠(yuǎn),。還有很多事情需要更好地理解,,尤其是將這些新材料、新架構(gòu)帶入大規(guī)模制造基地需要付出巨大努力,。所以我們還有很多工作要做,。但好消息是我們并不缺乏新的想法。我們正在探索的新事物很多,,它們都有一定的優(yōu)勢,。因此,,我們只需要弄清楚如何將它們整合在一起,,為我們未來客戶的應(yīng)用程序提供最引人注目的整體技術(shù)解決方案。
IC:關(guān)于與 ASML 合作的研究,,他們談到了未來的 EUV 發(fā)展,,例如High NA(數(shù)值孔徑)光學(xué)。他們一直在和我們談?wù)撨@件事,!但作為其延伸,,您能否談?wù)勁_積電在后 EUV 技術(shù)方面必然會做些什么?
KZ:我們著眼于所有不同的技術(shù)選項(xiàng),。我們在會議上談到了材料創(chuàng)新,,將新材料集成到硅上,使我們能夠?qū)崿F(xiàn)更好的傳導(dǎo)和更節(jié)能的晶體管,。這些是我們擁有研究團(tuán)隊(duì)和早期研發(fā)團(tuán)隊(duì)來開發(fā)和探索所有不同選擇的重要領(lǐng)域,。
在光刻方面,顯然它仍然是縮放幾何形狀的一個(gè)非常重要的部分,。因此,,我們確實(shí)有一個(gè)團(tuán)隊(duì)也在研究如何最大化 EUV,以在未來打印更緊密的間距,。所有這些都在為技術(shù)選擇的未來而探索,。
沖出亞洲
IC:關(guān)于這些最先進(jìn)的技術(shù)和領(lǐng)先的能力,在歐洲,,我們聽說臺積電的競爭對手正在投資他們的歐洲工廠,。我們不一定從臺積電那里聽說過同樣的事情。這有什么特別的原因嗎,?或者有什么要宣布的嗎,?
MM:嗯,,我們不排除任何事情。但是,,今天,,我沒有任何細(xì)節(jié)可以與您分享!
IC:關(guān)于您的歐洲客戶 ,,只有少數(shù)處于領(lǐng)先地位,?他們中的大多數(shù)都依賴于較舊的工藝技術(shù)、專業(yè)技術(shù)——例如德國的大型汽車工業(yè),。我們不一定看到有很多希望從歐洲業(yè)務(wù)中脫穎而出,。你能評論嗎?
MM:歐洲的主要領(lǐng)域是汽車,、工業(yè),,但歐洲也非常重要的領(lǐng)域是物聯(lián)網(wǎng) (IoT)。這些細(xì)分市場需要的技術(shù)更多是專業(yè)方面的,,更多的是先進(jìn)的,,不僅是成熟的,而且是先進(jìn)的技術(shù),。
IC:我們顯然看到了對人工智能的大量半導(dǎo)體需求,。很多客戶都想要領(lǐng)先的解決方案,但也有很多對更成熟節(jié)點(diǎn)上的邊緣產(chǎn)品的需求,。您能否談?wù)勗谌斯ぶ悄芊矫娴男枨笕绾巫兓矫娴陌l(fā)展,,也許提到歐盟,因?yàn)橹袊捅泵朗艿疥P(guān)注,?
MM:嗯,,即使在英國,你也有優(yōu)秀的 AI 公司,!您知道其中之一是我們多項(xiàng)計(jì)劃的早期采用客戶之一(Ian:Graphcore 已經(jīng)宣布與臺積電在 3nm 上合作),。但同樣在以色列,我們看到了很多圍繞人工智能的活動,。因此,,在歐洲、中東和非洲,,我們看到人們對人工智能非常感興趣,,甚至歐盟也有一些活動傾向于他們所謂的歐洲處理器計(jì)劃 ( EPI ),該計(jì)劃圍繞人工智能的使用展開,。
所以是的,,我們看到了很多活動。事實(shí)上,,今天我很自豪,,在我在會議上的演講中,,我收到了來自巴塞羅那大學(xué)的 Matteo Vallejo 的一封電子郵件,該大學(xué)對人工智能非常感興趣,。所以當(dāng)然,,中國和美國在高性能計(jì)算方面總是非常先進(jìn),但我們也看到歐洲對人工智能有很多興趣,,以及大量的 VC 資金,。
IC:臺積電喜歡宣傳收入來自哪里,從北美獲得的收入比例似乎在增加,,以犧牲歐洲的比例為代價(jià),。我們應(yīng)該考慮歐洲是否有任何逆風(fēng)或順風(fēng)?
MM:我認(rèn)為主要原因是因?yàn)闅W洲的主要細(xì)分市場是汽車,、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng),。這些細(xì)分市場仍在使用成熟的先進(jìn)技術(shù)和專業(yè)技術(shù),而且很多這些終端產(chǎn)品的平均售價(jià)較低,,這在收入百分比方面造成了很大差異,。這是如何向前發(fā)展的?快速,,因?yàn)槠嚭凸I(yè),,特別是作為工業(yè) 4.0 和物聯(lián)網(wǎng)的一部分,,是因?yàn)?AI 產(chǎn)品正在快速轉(zhuǎn)向更先進(jìn),、更前沿的技術(shù)。所以我真的很期待這個(gè)比例在未來會發(fā)生很大的變化,。
IC:臺積電擁有三個(gè)主要地理區(qū)域 ——臺積電亞洲,、臺積電北美和臺積電 EMEA。這些獨(dú)立組織彼此之間有多少——發(fā)生了多少協(xié)作,?鑒于公司經(jīng)常在全球或多個(gè)市場開展業(yè)務(wù),,拆分是否正確?
MM:哦,,這是一個(gè)有趣的問題,!我真的相信公司是集中的,在英特爾工作了很多年(Maria在英特爾工作了 19 年),,我真的相信公司是集中的,,并且有一個(gè)來自公司領(lǐng)導(dǎo)層的方向。所以我們根本就不是獨(dú)立的組織,!我們非常依賴對方,,我可以告訴你我通常大部分時(shí)間都在臺灣旅行——現(xiàn)在與臺灣進(jìn)行視頻會議。但是我們絕對有一個(gè)方向,,而且我們可以很好地互補(bǔ),。我認(rèn)為歐洲正在帶來一些不同的東西,,它更多地關(guān)注和圍繞專業(yè)。這是我們發(fā)揮關(guān)鍵作用的地方,。我們真的是一家有一個(gè)方向的公司,。
建設(shè)和擴(kuò)張
IC:轉(zhuǎn)向封裝,公司首席執(zhí)行官提到臺積電有五個(gè)晶圓廠支持 SoIC 和一個(gè)新的晶圓廠,,產(chǎn)能更大,。通常我們每個(gè)月都會測量晶圓的生產(chǎn)晶圓廠,那么我們應(yīng)該如何考慮這些新的 SoIC 設(shè)施的吞吐量,?
KZ:我不能給你一個(gè)具體的產(chǎn)能數(shù)字,,但我只能說我們真的在投資我們的后端能力和產(chǎn)能。這是因?yàn)槲覀兇_實(shí)看到了一個(gè)趨勢,,即越來越多的客戶希望利用我們的高級封裝選項(xiàng),,包括 CoWoS、InFO 以及未來的具有 3D 集成的 SoIC,。因此,,這就是為什么我們不僅要在研發(fā)方面進(jìn)行投資,還要在產(chǎn)能方面進(jìn)行投資,,為未來的增長做準(zhǔn)備,。
對于 3D 封裝產(chǎn)能指標(biāo),這取決于您所做的配置類型,。有時(shí),,您可能會使用更成熟的節(jié)點(diǎn)集成一個(gè)非常先進(jìn)的小芯片,并減去一個(gè)或減去兩個(gè)節(jié)點(diǎn),,因此您可能必須以不同的方式計(jì)算總體積,。這一切都取決于具體的產(chǎn)品配置。也許在未來,,我們將不得不想出一種方法來更好地衡量數(shù)量并報(bào)告數(shù)字,。對于定義體積,當(dāng)你談到3D集成時(shí),,可能是我們計(jì)算最終集成部件的數(shù)量,。
IC:臺積電目前有四家封裝廠,第五家(稱為AP6)正在淳安(Chunan)建設(shè),。AP6 將擁有臺積電全球 50% 以上的封裝產(chǎn)能,。將臺積電所有封裝的大部分集中在一個(gè)區(qū)域是否有任何積極或消極的影響?
KZ:我們做了很多平衡——建立更大規(guī)模的制造設(shè)施對我們來說是一個(gè)優(yōu)勢,。我想你可能已經(jīng)知道我們今天在大規(guī)模建造 Gigafabs,。我認(rèn)為這是我們可以為客戶帶來的關(guān)鍵經(jīng)濟(jì)效益,降低成本,也將轉(zhuǎn)嫁給客戶,。但是我們必須考慮如何將其傳播到不同的地方,。我們正在這樣做,以確保我們保持一定的平衡,。同樣,,我們正在離臺灣很遠(yuǎn)的亞利桑那州建廠!
IC:說到封裝和 OSAT 瓶頸,。當(dāng)與我們的聽眾交談時(shí),,他們中的一些人似乎認(rèn)為這是晶圓吞吐量造成的,而其中一些人認(rèn)為這歸結(jié)為封裝吞吐量,。我不一定想問你哪一個(gè)是最瓶頸的,,但我想問問臺積電如何提高客戶訂單的吞吐量。我們已經(jīng)談到了臺積電擴(kuò)大其封裝能力,,但臺積電在這里能做些什么,?
KZ:我認(rèn)為在技術(shù)方面,您的讀者希望將其視為晶圓技術(shù)是瓶頸,,或者封裝技術(shù)是瓶頸,。實(shí)際上,我的看法是我們?nèi)绾握业阶罴呀鉀Q方案,,在系統(tǒng)級別將所有部分組合在一起,,以提供最佳結(jié)果。如果你回顧一下半導(dǎo)體技術(shù),,它是從二維事物開始的,,摩爾定律是關(guān)于晶體管密度、縮放比例和經(jīng)濟(jì)性的,。但是現(xiàn)在,,隨著我們向前發(fā)展,我看到整個(gè)行業(yè)都在朝著更高水平的集成發(fā)展,。在 ISSCC 等技術(shù)會議上,您會看到人們不僅談?wù)摼w管級設(shè)計(jì),,還談?wù)撓到y(tǒng)級性能,,以及如何將所有功能和所有部件組合在一起。將來,,我認(rèn)為這種趨勢將繼續(xù)下去,,因此真正要與您的客戶合作,針對他們給定的產(chǎn)品應(yīng)用,,考慮到他們獨(dú)特的系統(tǒng)級要求,,以及如何以最佳方式將所有部分組合在一起。這就是我對未來的看法,。
MM:我們的關(guān)鍵是我們合作創(chuàng)新,。與我們的客戶合作是我們真正創(chuàng)新的最佳方式,,允許他們進(jìn)行創(chuàng)新,同時(shí)促進(jìn)我們自己的創(chuàng)新,。
IC:DTCO(設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化)是充分利用前沿技術(shù)的一個(gè)組成部分,。DTCO 是否變得越來越復(fù)雜,或者隨著臺積電及其客戶了解實(shí)現(xiàn)良好 DTCO 背后的過程,,它是否正在加速,?你能談?wù)剢幔?/p>
MM:我們的關(guān)鍵是我們合作創(chuàng)新。與我們的客戶合作是我們真正創(chuàng)新的最佳方式,,允許他們進(jìn)行創(chuàng)新,,同時(shí)促進(jìn)我們自己的創(chuàng)新。
IC:DTCO(設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化)是充分利用前沿技術(shù)的一個(gè)組成部分,。DTCO 是否變得越來越復(fù)雜,,或者隨著臺積電及其客戶了解實(shí)現(xiàn)良好 DTCO 背后的過程,它是否正在加速,?你能談?wù)剢幔?/p>
KZ:我認(rèn)為我們的客戶在過去幾代人的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化中受益匪淺,。展望未來,將有更多 DTCO 要做,,我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶更渴望和愿意與我們合作,,以收獲內(nèi)在的技術(shù)優(yōu)勢。我認(rèn)為這種趨勢將繼續(xù)下去,,我認(rèn)為即使到那時(shí),,未來的努力也會更加有力。由于它們需要在技術(shù)和設(shè)計(jì)之間更加緊密地交織在一起,,您可以稱之為更難嗎,?我認(rèn)為它會變得更加微妙,我們需要與我們的客戶更密切地合作,,共同優(yōu)化事情?,F(xiàn)在您還有高級封裝,因此系統(tǒng)如何劃分其技術(shù)可能會有所不同,。如果你有一個(gè)小芯片,,你如何從一開始就在系統(tǒng)級別構(gòu)建它,