導(dǎo)  讀

對于半導(dǎo)體而言，代際之間最大的區(qū)別在于材料。到了半導(dǎo)體的第三代，就涌現(xiàn)出了以SiC,、GaN為代表的新一代材料，其可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫高頻,、高功率,、高輻射等惡劣環(huán)境條件的要求，先天性能優(yōu)越,。

據(jù)彭博社爆料,，中國正在推動一項旨在幫助中國芯片制造商克服美國制裁的關(guān)鍵舉措，從而重新推動中國多年來實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片自給自足的努力,。據(jù)知情人士透露,，該計劃包括了龐大的投資組合,，涵蓋貿(mào)易、金融和技術(shù),。目前已被率先用于推動發(fā)展第三代半導(dǎo)體芯片,，并正在領(lǐng)導(dǎo)制定一系列對該技術(shù)的金融和政策支持。

受此消息影響,，昨日下午A股開盤后,，整個半導(dǎo)體及元器件板塊便開始大幅上漲,。不僅如此,，今日第三代半導(dǎo)體板塊行情仍然持續(xù)上漲，最高漲幅高達15％,。

為什么是第三代半導(dǎo)體,？

對于半導(dǎo)體而言，代際之間最大的區(qū)別在于材料,。從半導(dǎo)體的斷代法來看,，以Si、Ge為代表的第一代半導(dǎo)體構(gòu)成了一切邏輯器件的基礎(chǔ),，我們常用的智能硬件中內(nèi)置 CPU,、GPU 的算力，都離不開Si的功勞,；與之區(qū)別,，GaAs、InP則為第二代半導(dǎo)體的代表,，其中GaAs在射頻功放器件中扮演重要角色,，InP 在光通信器件中應(yīng)用廣泛。

到了半導(dǎo)體的第三代,，就涌現(xiàn)出了以SiC,、GaN為代表的新一代材料，其具有更寬的禁帶寬度,、更高的導(dǎo)熱率,、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性,，可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫高頻,、高功率、高輻射等惡劣環(huán)境條件的要求,，先天性能優(yōu)越,。

更為關(guān)鍵的是，目前第三代半導(dǎo)體依賴于傳統(tǒng)硅以外的更新的材料和設(shè)備,，是一個還沒有任何公司或國家占據(jù)主導(dǎo)地位的領(lǐng)域,，這也為中國提供了避開美國及其盟友對其芯片制造行業(yè)設(shè)置的障礙的最佳機會之一,。

然而，目前業(yè)內(nèi)人士對于第三代半導(dǎo)體褒貶不一,。消極的觀點認為,，第三代半導(dǎo)體的性價比太低，而且應(yīng)用空間比 Si要小很多,，與邏輯芯片相比,，功率半導(dǎo)體、射頻器件的市場規(guī)?？芍^小巫見大巫,。

不過，十全十美的半導(dǎo)體材料并不存在,，更重要的是各個性能指標之間的平衡,。隨著下游終端需求不斷增長，第三代半導(dǎo)體的需求亦有望持續(xù)釋放,。同時疊加國家政策對第三代半導(dǎo)體發(fā)展的大力支持,，行業(yè)潛在市場空間巨大，據(jù)《2020“新基建”風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展與投資價值白皮書》指出,，2019年我國第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模為94．15億元,，預(yù)計2019－2022年將保持85％以上平均增長速度，到2022年市場規(guī)模將達到623．42億元,。

事實上,，一代、二代,、三代半導(dǎo)體之間,，并非簡單的取代關(guān)系，行業(yè)足夠大,、需求足夠多樣,，每一種材料都會找到適合的需求空間。對于第三代半導(dǎo)體材料而言,，一般射頻器件主要采用 GaN,，功率器件主要采用SiC和GaN。例如,，5G的毫米波射頻離不開GaN,，而高功率器件則需要基于SiC的二極管、MOS管等,。

對于亟需解決半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全的中國而言,，第三代半導(dǎo)體也是“突圍”的關(guān)鍵。此前,，在上任美國總統(tǒng)特朗普的任期內(nèi),，就曾持續(xù)通過實體清單打壓中國科技企業(yè),，例如多次升級對于華為的制裁，并限制華為旗下海思半導(dǎo)體從晶圓代工廠獲得先進制程芯片,。拜登政府上臺后,，其也延續(xù)了特朗普政策，大力發(fā)展美國半導(dǎo)體制造,，同時進一步聯(lián)合其盟友意圖組建排華半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,。美國的持續(xù)打壓嚴重阻礙了中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，以及中國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全——這也成為國內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)不得不除之后快的“心病”,。

傳投資規(guī)模達到1萬億美元,？

據(jù)彭博社援引知情人士報道稱，國家主導(dǎo)的這項計劃已預(yù)留了約1萬億美元的政府資金,，其中一部分將由中央和地方政府共同投資于一系列第三代芯片項目,。

知情人士表示，已經(jīng)受到美國制裁的中國電子科技集團和中國鐵建的幾家子公司是支持這項努力的公司之一,。另一家巨頭中國電子集團是第三代半導(dǎo)體芯片開發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)者之一。得益于對于華大半導(dǎo)體等的投資,，中國電子集團利用自有的內(nèi)部技術(shù)可基于SiC生產(chǎn)在200攝氏度下工作的功率器件,，適用于從電信設(shè)備到新能源汽車的多個關(guān)鍵行業(yè)，從而減少中國市場對英飛凌,、羅姆和科銳等海外供應(yīng)商的依賴,。

不僅如此，根據(jù)一份政府文件,，科技部還計劃向包括第三代芯片在內(nèi)的一些關(guān)鍵“戰(zhàn)略電子材料”注資4億元人民幣（6200 萬美元）,。截至目前，國家支持的中國國家自然科學(xué)基金委員會已承諾為數(shù)十項探索性研究項目提供資金支持,，涵蓋超低功耗,、可以收集和傳輸神經(jīng)信號的柔性芯片以及登月芯片計劃等。

對我國而言,，技術(shù)和創(chuàng)新不僅僅是增長的問題,，也是一個生存問題。自2014年以來,，中國已向兩個獨立的國家大基金共投資510億美元,，以幫助國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)追趕海外競爭對手，但這些政策并沒有造就出頂尖的芯片巨頭,。因此,，未來的龐大芯片計劃將有賴于更高效的資源整合。

半導(dǎo)體概念股起波瀾

昨日,，在彭博社發(fā)布相關(guān)報道后,，A股半導(dǎo)體及元器件即開始大漲,。僅在昨日，整個半導(dǎo)體及元件板塊大幅上漲6．48％,，第三代半導(dǎo)體板塊漲幅更是高達8．44％,，半導(dǎo)體設(shè)備及材料相關(guān)標的股價也大幅上漲。不僅如此,，今天,，第三代半導(dǎo)體整體板塊上漲仍然達到2．41％，多家企業(yè)漲幅超過8％,，最高達15．59％,。

同時，從去年開始,，社會各路資本流入國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)的不在少數(shù),，據(jù)云岫資本統(tǒng)計，2020年半導(dǎo)體行業(yè)一級市場的投資金額超過1400億元人民幣,，相比2019年約300億人民幣的投資額增長近4倍,，這也是中國半導(dǎo)體一級市場有史以來投資額最多的一年。

然而,，盡管人們垂涎于芯片領(lǐng)域的利潤,，但巨大的技術(shù)門檻也使得企業(yè)不敢貿(mào)然進入。在去年1400億的投資金額中,，實際流入半導(dǎo)體設(shè)備和材料的資金加起來也并未超過20％,，近70％的社會資金流入的仍是IC設(shè)計領(lǐng)域。

不過,，這些情況也正在發(fā)生變化,。無論是全球首發(fā)4英寸自支撐氮化鑲襯底材料，還是用于5G通訊芯片的碳化硅材料試制的成功,，都標志著在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的中國廠商雄心,。不僅如此，相關(guān)政策也在持續(xù)加碼,。

據(jù)芯研所不完全統(tǒng)計,，從2016年起，在國務(wù)院印發(fā)的《＂十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》中,，便將第三代半導(dǎo)體列為國家科技創(chuàng)新2030重大項目“重點新材料研發(fā)及應(yīng)用＂重要方向之一,，此后至2019年，前后出臺多個文件,，大力支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和突破,。如此種種，都為芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車提供著保障,。

寫在最后

盡管市場一片飄紅,，但無論是技術(shù)和應(yīng)用,，還是政策與資本，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展都將長路漫漫,。另外,，1萬億美元的芯片對抗雖然并未得到官方層面證實，但國產(chǎn)半導(dǎo)體同心齊力超車破局的雄心依舊,。對于現(xiàn)在的國產(chǎn)芯片技術(shù)突破而言,，更需要的仍是耐心。