新生產(chǎn)線提高了產(chǎn)能，力求滿足及時供應(yīng)

奈梅亨,，2021年6月24日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布,，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS（on）和低Qrr ,，80 V和100 V MOSFET,。新生產(chǎn)線將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9－100YSF （100 V）和PSMN3R5－80YSF （80 V）器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)（RDS（on） x Qrr）,。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下,，Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產(chǎn)能，包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產(chǎn)設(shè)備,，這對買方來講一個好消息,。新型MOSFET的性能也令設(shè)計人員感到興奮。這些MOSFET非常適合各種開關(guān)應(yīng)用,，也可以替代其他供應(yīng)商的產(chǎn)品,。”

（企業(yè)供圖）

NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS（on）,，前一代100 V器件為7 m?,，而新器件只有4．3 m?，效率大大提高,。對于100 V器件,，NextPower技術(shù)還提供44 nC的極低Qrr,，有效降低了尖峰值和EMI干擾?？傮w而言,，100 V器件的Qrr品質(zhì)因數(shù)平均比競爭對手同類產(chǎn)品低61％。

新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝,。器件廣泛適用于開關(guān)應(yīng)用,，包括AC／DC、DC／DC和電機控制等,。

關(guān)于Nexperia

Nexperia,，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計,。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管,、雙極性晶體管、ESD保護器件,、MOSFET器件,、氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨,，每年可交付900多億件產(chǎn)品,，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。其產(chǎn)品在效率（如工藝,、尺寸,、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術(shù),，可有效節(jié)省功耗及空間,。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù),，并在亞洲,、歐洲和美國擁有超過12,，000名員工,。Nexperia是聞泰科技股份有限公司（600745．SS）的子公司，擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,，并獲得了IATF 16949,、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證,。