本周,，據(jù)韓國媒體報道,，三星韓國華城（Hwaseong）晶圓廠V1的不良率過高，仍需克服良率問題。該廠是目前三星最先進(jìn)的晶圓廠,，于2020年2月啟動生產(chǎn)，是全球首座將EUV設(shè)備導(dǎo)入7nm制程的產(chǎn)線,。不過,，多名業(yè)界人士透露,，該廠自量產(chǎn)以來，先進(jìn)制程的良率提升速度遲緩,，部分5nm芯片的良率甚至不到50%,。
對晶圓代工廠而言，良率是爭取訂單的關(guān)鍵,，一般來說,，這一關(guān)鍵指標(biāo)必須超過95%，才能被業(yè)界廣泛接受,。
業(yè)界認(rèn)為,，三星的晶圓代工業(yè)務(wù)有先天弱點，即旗下設(shè)有負(fù)責(zé)手機(jī)AP設(shè)計的系統(tǒng)LSI部門,，為避免技術(shù)外流,，高通和英偉達(dá)等客戶較傾向委托臺積電代工。
近一年以來,，隨著先進(jìn)制程技術(shù)不斷成熟,，三星也在不斷加緊追趕臺積電的腳步，無論是7nm,，還是5nm,，以及還未量產(chǎn)的3nm，爭奪似乎越來越激烈,。這也促使臺積電不斷加大研發(fā)和擴(kuò)充產(chǎn)能投入力度,，這樣的競爭顯然是有利于廣大客戶的。
先進(jìn)制程量產(chǎn)情況
這里所說的先進(jìn)制程,，主要是指7nm及更先進(jìn)制程,。
7nm制程方面，有統(tǒng)計顯示,，在2020年,，三星每月的產(chǎn)能約為2.5萬片晶圓，而臺積電每月約為14萬片,，而在5nm方面,，雙方的差距更大，三星每月約為5000片晶圓,，而臺積電每月約為9萬片,。由此看來，在先進(jìn)制程產(chǎn)能方面,，臺積電明顯領(lǐng)先于三星,。
而在制程工藝方面，三星一直在追趕臺積電,，特別是在5nm方面,，三星的低功耗版本5LPE性能比7nm的提升了10％,，而在相同的時鐘和復(fù)雜度下，功耗可降低20％,。據(jù)悉,，5LPE在原始工藝中增加了幾個新模塊，包括具有智能擴(kuò)散中斷（Smart Diffusion Break：SDB）隔離結(jié)構(gòu)的FinFET,，以提供額外的性能,，第一代靈活的觸點設(shè)置（三星的技術(shù)類似于英特爾的COAG，有源柵上的觸點）,，可用于低功耗的鰭式器件,。
三星表示，5LPE在很大程度上與7LPP兼容,，這樣,，5LPE設(shè)計可以重新使用至少一些為原始工藝設(shè)計的IP，從而降低了成本并加快了上市時間,。但是,，對于可以充分利用SDB等優(yōu)勢的IP，三星建議重新設(shè)計,。
另外,，三星代工負(fù)責(zé)人表示，該公司已完成第二代5nm和第一代4nm產(chǎn)品的設(shè)計,。
客戶方面,，2020年，三星將其晶圓代工廠產(chǎn)能的60％用于其公司內(nèi)部使用,，主要用于智能手機(jī)的Exynos芯片。其余產(chǎn)能分給客戶,，包括高通（20％）,，另外20％由英偉達(dá)、IBM和英特爾瓜分,。而隨著三星在2021年增加7nm,、5nm等制程的產(chǎn)能，其自用比例將會下降,，可能降至50％,，更多滿足客戶需求。
臺積電方面,，7nm產(chǎn)能已經(jīng)非常穩(wěn)健,，在此基礎(chǔ)上，不僅是5nm,，該公司還在6nm制程方面不斷進(jìn)行拓展,，就在近期,，臺積電還發(fā)布了6nm RF（N6RF）制程，將先進(jìn)的N6邏輯制程所具備的功耗,、效能,、面積優(yōu)勢帶入到5G射頻（RF）與WiFi 6/6e解決方案。相較于前一世代的16nm射頻技術(shù),，N6RF晶體管的效能提升超過16%,。臺積電表示，N6RF制程針對6GHz以下及毫米波頻段的5G射頻收發(fā)器研發(fā),，可大幅降低功耗和面積,。
5nm方面，臺積電表示,，由于客戶對5nm需求強勁,，該公司5nm系列在2021年的產(chǎn)能擴(kuò)充計劃比2020年會翻倍，2022年比2020年增長3.5倍以上,，并在2023年達(dá)到2020年的4倍以上,。
臺積電還推出了5nm的最新版本－N5A制程，目標(biāo)在于滿足汽車應(yīng)用對于運算能力日益增加的需求,，例如支持人工智能的駕駛輔助及數(shù)字車輛座艙,。
目前，位于臺南的晶圓18廠第1,、2,、3、4期是5nm生產(chǎn)基地,，其中,，第1、2,、3期已經(jīng)開始量產(chǎn),，4期正在興建中。
4nm方面,，臺積電表示,，與5nm設(shè)計法則幾近兼容的4nm加強版減少了光罩層，進(jìn)一步提升了效能,、功耗效率,、以及晶體管密度，預(yù)計于2021年第3季度開始試產(chǎn),。據(jù)悉,，4nm制程工藝將繼續(xù)把芯片尺寸縮小6%，同時帶來功耗和性能上的進(jìn)一步改善,，比如與FinFET晶體管相比,，能夠?qū)崿F(xiàn)更嚴(yán)格的閾值電壓（Vt）控制,，Vt是半導(dǎo)體電路工作所需的最小電壓，即使是最輕微的變化,，也會對芯片的設(shè)計造成束縛,、并導(dǎo)致性能下降，臺積電則取得了15% 的提升,。
3nm方面,，臺積電將于下半年試產(chǎn)，預(yù)計2022年實現(xiàn)量產(chǎn),。而三星于近期成功流片,，但量產(chǎn)時間恐怕要晚于臺積電。
由于3nm技術(shù)難度很大,，如果三星美國工廠生產(chǎn)3nm制程芯片,，按照正常進(jìn)度，目前還處于初步計劃階段的德州奧斯汀晶圓工廠,，在2023年前還難以正式量產(chǎn),。相較于臺積電3nm制程將于2022年量產(chǎn)，這對于力求趕超臺積電的三星來說,，壓力太大,。因此，預(yù)計三星要量產(chǎn)3nm芯片,，還要依靠韓國本土晶圓廠,。
就產(chǎn)能而言，臺積電南科廠3nm的單月產(chǎn)能計劃為5.5萬片起,，2023年,，有望達(dá)到10.5萬片。三星還沒有相應(yīng)的產(chǎn)能規(guī)劃,。
先進(jìn)制程客戶方面,，臺積電的頭部客戶包括蘋果，博通,，AMD,，聯(lián)發(fā)科,，英偉達(dá),，高通和英特爾等。最近有消息稱,，蘋果和英特爾將分食掉臺積電的首批3nm產(chǎn)能,，目前，這兩家正在與臺積電密切合作,，進(jìn)行相應(yīng)產(chǎn)品的測試工作,。
先進(jìn)封裝保駕護(hù)航
先進(jìn)制程工藝對封裝提出了更高要求,，或者說，先進(jìn)封裝在一定程度上可以彌補制程工藝的不足,。因此,，最近幾年，臺積電和三星不斷在先進(jìn)封裝技術(shù)方面加大投入,，爭取把更多的先進(jìn)技術(shù)掌握在自己手中,。
將芯片從2D平鋪封裝改成3D立體式堆疊式封裝已經(jīng)成為半導(dǎo)體業(yè)界的共識，這種在第三維度上進(jìn)行拓展的封裝技術(shù)能夠有效降低整個芯片的面積,，提升集成度,。
臺積電推出了3DFabric系統(tǒng)整合方案，其針對高效能運算應(yīng)用,，將于2021年提供更大的光罩尺寸,，以支持整合型扇出封裝（InFO），以及CoWoSR封裝方案,，運用范圍更大的布局布線來整合小芯片及高帶寬內(nèi)存,。
此外，芯片堆棧于晶圓之上（CoW）的版本預(yù)計今年完成7nm的驗證,，并于2022年在新的全自動化晶圓廠開始生產(chǎn),。
針對移動應(yīng)用，臺積電推出了InFO_B,，將移動處理器整合于輕薄精巧的封裝中,，提供強化的效能與功耗效率，并支持移動應(yīng)用器件封裝時所需的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存堆棧,。
三星研發(fā)的3D封裝技術(shù)為X-Cube,，該技術(shù)利用TSV封裝，可讓多個芯片進(jìn)行堆疊,，制造出單一的邏輯芯片,。
三星在7nm制程的測試過程中，利用TSV 技術(shù)將SRAM 堆疊在邏輯芯片頂部,，這也使得在電路板的配置上,，可在更小的面積上裝載更多的存儲單元。X-Cube還有諸多優(yōu)點,，如芯片間的信號傳遞距離更短,，以及將數(shù)據(jù)傳送、能量效率提升到最高,。
三星表示,，X-Cube可讓芯片工程師在進(jìn)行定制化解決方案的設(shè)計過程中，能享有更多彈性，也更貼近他們的特殊需求,。
半導(dǎo)體設(shè)備水漲船高
先進(jìn)制程對半導(dǎo)體設(shè)備提出了更高要求,，特別是EUV光刻機(jī)，成為了行業(yè)明星,。
有專家分析,，臺積電Fab 18廠第三期在2021年第一季度開始量產(chǎn)，5nm生產(chǎn)線全數(shù)到位,，每月可提供超過9萬片的投片產(chǎn)能,。另外，臺積電以7nm制程優(yōu)化而來的6nm制程也同樣產(chǎn)能吃緊,。高通和聯(lián)發(fā)科除了7nm制程增加投片,，其5G處理器將采用6nm制造。英特爾也會采用臺積電6nm制程制造GPU產(chǎn)品,。
臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)分析人士認(rèn)為,，截至2021年底，臺積電將拿到55臺ASML的EUV光刻機(jī),，三星為30臺,。
三星副董事長李在镕于2020年10月訪問了ASML總部，并希望后者在2020年交付9臺EUV光刻機(jī),、在2021年后每年交付20臺EUV光刻機(jī),。
根據(jù)該假設(shè)得出的結(jié)論，臺積電在2021-2015年,，總共需要292臺EUV光刻機(jī),，每年平均需新增58臺。如果自2021年以后,，臺積電平均每年需要近60臺EUV光刻機(jī),，加上三星每年需要20臺，一共年需求為80臺左右,。
除了EUV,，先進(jìn)制程還需要其它較為特殊的設(shè)備，如APMI（光化圖案掩膜檢查）系統(tǒng)和制造掩膜的電子束寫入器,。當(dāng)芯片制程小于5nm時,，這兩種設(shè)備將決定生產(chǎn)率和質(zhì)量。像EUV光刻系統(tǒng)一樣,，這兩種設(shè)備也僅由單個制造商提供,。
電子束寫入器扮演“畫筆”角色，將集成電路布圖印刷到掩模上,，這對于在光刻過程中將集成電路布圖印刷到晶圓上是絕對必要的,。由日本的NuFlare制造的電子束寫入器目前用于基于ArF的光刻工藝。
但是,，NuFlare的電子束編寫器很難在EUV環(huán)境下充分發(fā)揮其潛力,。EUV光刻工藝要求在單個掩模中快速印刷各種精細(xì)的集成電路，而NuFlare的具有單個E束以印刷掩模圖形的單束方法會大大降低生產(chǎn)率,。目前,，出現(xiàn)了一種基于多光束的新解決方案，該方法在240,000個密集排列的電子束同時移動時繪制圖案,。據(jù)報道,，該方法的生產(chǎn)率比單束方法快得多，該方法被認(rèn)為非常先進(jìn),。
EUV掩模的高科技檢查系統(tǒng)也吸引了人們的注意力,，因為它能夠檢查基于復(fù)雜結(jié)構(gòu)的EUV掩模，比目前使用ArF光源的檢查系統(tǒng)更精確,，更緊密,。這個新的檢查系統(tǒng)在將掩模引入生產(chǎn)線之前和之后進(jìn)行檢查。業(yè)界將此系統(tǒng)稱為APMI系統(tǒng),。
問題在于,，像EUV光刻系統(tǒng)一樣，多光束寫入器和APMI系統(tǒng)也都是由單個公司制造的,。奧地利的IMS和日本的Lasertec是世界上唯一分別提供多光束記錄器和EUV掩模檢測系統(tǒng)的公司,。
據(jù)報道，他們的年生產(chǎn)能力甚至沒有達(dá)到10個單位,。因此,，對于芯片制造商而言，要為基于EUV的工藝配置大規(guī)模生產(chǎn)系統(tǒng),，以確保生產(chǎn)率和質(zhì)量,，但又很可能無法及時確保這些系統(tǒng)正常運行，成為了一個困擾它們的難題,。
結(jié)語
在7nm,、6nm、5nm,，以及即將量產(chǎn)的4nm和3nm制程技術(shù)日臻成熟的情況下,，晶圓代工廠在產(chǎn)能、封裝,、半導(dǎo)體設(shè)備等方面進(jìn)入“全面戰(zhàn)爭”狀態(tài),，且競爭越來越激烈，廠商方面,，雖然目前只有臺積電和三星兩家,，但隨著英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)的展開，以及其先進(jìn)制程技術(shù)的成熟和量產(chǎn)，這些爭奪戰(zhàn)恐怕會更加激烈,。這些對于廣大客戶來說,，無疑是福音。
