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臺積電與三星開啟“全戰(zhàn)”模式

2021-07-09
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: 三星 臺積電 良率

  本周,,據(jù)韓國媒體報道,,三星韓國華城(Hwaseong)晶圓廠V1的不良率過高,仍需克服良率問題,。該廠是目前三星最先進的晶圓廠,,于2020年2月啟動生產(chǎn),是全球首座將EUV設(shè)備導(dǎo)入7nm制程的產(chǎn)線,。不過,,多名業(yè)界人士透露,該廠自量產(chǎn)以來,,先進制程的良率提升速度遲緩,,部分5nm芯片的良率甚至不到50%。

  對晶圓代工廠而言,,良率是爭取訂單的關(guān)鍵,,一般來說,這一關(guān)鍵指標必須超過95%,,才能被業(yè)界廣泛接受,。

  業(yè)界認為,三星的晶圓代工業(yè)務(wù)有先天弱點,,即旗下設(shè)有負責(zé)手機AP設(shè)計的系統(tǒng)LSI部門,,為避免技術(shù)外流,高通和英偉達等客戶較傾向委托臺積電代工,。

  近一年以來,,隨著先進制程技術(shù)不斷成熟,三星也在不斷加緊追趕臺積電的腳步,,無論是7nm,,還是5nm,以及還未量產(chǎn)的3nm,,爭奪似乎越來越激烈,。這也促使臺積電不斷加大研發(fā)和擴充產(chǎn)能投入力度,,這樣的競爭顯然是有利于廣大客戶的,。

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  先進制程量產(chǎn)情況

  這里所說的先進制程,主要是指7nm及更先進制程,。

  7nm制程方面,,有統(tǒng)計顯示,在2020年,,三星每月的產(chǎn)能約為2.5萬片晶圓,,而臺積電每月約為14萬片,而在5nm方面,,雙方的差距更大,,三星每月約為5000片晶圓,,而臺積電每月約為9萬片。由此看來,,在先進制程產(chǎn)能方面,,臺積電明顯領(lǐng)先于三星。

  而在制程工藝方面,,三星一直在追趕臺積電,,特別是在5nm方面,三星的低功耗版本5LPE性能比7nm的提升了10%,,而在相同的時鐘和復(fù)雜度下,,功耗可降低20%。據(jù)悉,,5LPE在原始工藝中增加了幾個新模塊,,包括具有智能擴散中斷(Smart Diffusion Break:SDB)隔離結(jié)構(gòu)的FinFET,以提供額外的性能,,第一代靈活的觸點設(shè)置(三星的技術(shù)類似于英特爾的COAG,,有源柵上的觸點),可用于低功耗的鰭式器件,。

  三星表示,,5LPE在很大程度上與7LPP兼容,這樣,,5LPE設(shè)計可以重新使用至少一些為原始工藝設(shè)計的IP,,從而降低了成本并加快了上市時間。但是,,對于可以充分利用SDB等優(yōu)勢的IP,,三星建議重新設(shè)計。

  另外,,三星代工負責(zé)人表示,,該公司已完成第二代5nm和第一代4nm產(chǎn)品的設(shè)計。

  客戶方面,,2020年,,三星將其晶圓代工廠產(chǎn)能的60%用于其公司內(nèi)部使用,主要用于智能手機的Exynos芯片,。其余產(chǎn)能分給客戶,,包括高通(20%),另外20%由英偉達,、IBM和英特爾瓜分,。而隨著三星在2021年增加7nm、5nm等制程的產(chǎn)能,其自用比例將會下降,,可能降至50%,,更多滿足客戶需求。

  臺積電方面,,7nm產(chǎn)能已經(jīng)非常穩(wěn)健,,在此基礎(chǔ)上,不僅是5nm,,該公司還在6nm制程方面不斷進行拓展,,就在近期,臺積電還發(fā)布了6nm RF(N6RF)制程,,將先進的N6邏輯制程所具備的功耗,、效能、面積優(yōu)勢帶入到5G射頻(RF)與WiFi 6/6e解決方案,。相較于前一世代的16nm射頻技術(shù),,N6RF晶體管的效能提升超過16%。臺積電表示,,N6RF制程針對6GHz以下及毫米波頻段的5G射頻收發(fā)器研發(fā),,可大幅降低功耗和面積。

  5nm方面,,臺積電表示,,由于客戶對5nm需求強勁,該公司5nm系列在2021年的產(chǎn)能擴充計劃比2020年會翻倍,,2022年比2020年增長3.5倍以上,,并在2023年達到2020年的4倍以上。

  臺積電還推出了5nm的最新版本-N5A制程,,目標在于滿足汽車應(yīng)用對于運算能力日益增加的需求,,例如支持人工智能的駕駛輔助及數(shù)字車輛座艙。

  目前,,位于臺南的晶圓18廠第1,、2、3,、4期是5nm生產(chǎn)基地,,其中,第1,、2,、3期已經(jīng)開始量產(chǎn),,4期正在興建中,。

  4nm方面,臺積電表示,與5nm設(shè)計法則幾近兼容的4nm加強版減少了光罩層,,進一步提升了效能,、功耗效率、以及晶體管密度,,預(yù)計于2021年第3季度開始試產(chǎn),。據(jù)悉,4nm制程工藝將繼續(xù)把芯片尺寸縮小6%,,同時帶來功耗和性能上的進一步改善,,比如與FinFET晶體管相比,能夠?qū)崿F(xiàn)更嚴格的閾值電壓(Vt)控制,,Vt是半導(dǎo)體電路工作所需的最小電壓,,即使是最輕微的變化,也會對芯片的設(shè)計造成束縛,、并導(dǎo)致性能下降,,臺積電則取得了15% 的提升。

  3nm方面,,臺積電將于下半年試產(chǎn),,預(yù)計2022年實現(xiàn)量產(chǎn)。而三星于近期成功流片,,但量產(chǎn)時間恐怕要晚于臺積電,。

  由于3nm技術(shù)難度很大,如果三星美國工廠生產(chǎn)3nm制程芯片,,按照正常進度,,目前還處于初步計劃階段的德州奧斯汀晶圓工廠,在2023年前還難以正式量產(chǎn),。相較于臺積電3nm制程將于2022年量產(chǎn),,這對于力求趕超臺積電的三星來說,壓力太大,。因此,,預(yù)計三星要量產(chǎn)3nm芯片,還要依靠韓國本土晶圓廠,。

  就產(chǎn)能而言,,臺積電南科廠3nm的單月產(chǎn)能計劃為5.5萬片起,2023年,,有望達到10.5萬片,。三星還沒有相應(yīng)的產(chǎn)能規(guī)劃。

  先進制程客戶方面,,臺積電的頭部客戶包括蘋果,,博通,AMD,聯(lián)發(fā)科,,英偉達,,高通和英特爾等。最近有消息稱,,蘋果和英特爾將分食掉臺積電的首批3nm產(chǎn)能,,目前,這兩家正在與臺積電密切合作,,進行相應(yīng)產(chǎn)品的測試工作,。

  先進封裝保駕護航

  先進制程工藝對封裝提出了更高要求,或者說,,先進封裝在一定程度上可以彌補制程工藝的不足,。因此,最近幾年,,臺積電和三星不斷在先進封裝技術(shù)方面加大投入,,爭取把更多的先進技術(shù)掌握在自己手中。

  將芯片從2D平鋪封裝改成3D立體式堆疊式封裝已經(jīng)成為半導(dǎo)體業(yè)界的共識,,這種在第三維度上進行拓展的封裝技術(shù)能夠有效降低整個芯片的面積,,提升集成度。

  臺積電推出了3DFabric系統(tǒng)整合方案,,其針對高效能運算應(yīng)用,,將于2021年提供更大的光罩尺寸,以支持整合型扇出封裝(InFO),,以及CoWoSR封裝方案,,運用范圍更大的布局布線來整合小芯片及高帶寬內(nèi)存。

  此外,,芯片堆棧于晶圓之上(CoW)的版本預(yù)計今年完成7nm的驗證,,并于2022年在新的全自動化晶圓廠開始生產(chǎn)。

  針對移動應(yīng)用,,臺積電推出了InFO_B,,將移動處理器整合于輕薄精巧的封裝中,提供強化的效能與功耗效率,,并支持移動應(yīng)用器件封裝時所需的動態(tài)隨機存取內(nèi)存堆棧,。

  三星研發(fā)的3D封裝技術(shù)為X-Cube,該技術(shù)利用TSV封裝,,可讓多個芯片進行堆疊,,制造出單一的邏輯芯片。

  三星在7nm制程的測試過程中,,利用TSV 技術(shù)將SRAM 堆疊在邏輯芯片頂部,,這也使得在電路板的配置上,,可在更小的面積上裝載更多的存儲單元。X-Cube還有諸多優(yōu)點,,如芯片間的信號傳遞距離更短,以及將數(shù)據(jù)傳送,、能量效率提升到最高,。

  三星表示,X-Cube可讓芯片工程師在進行定制化解決方案的設(shè)計過程中,,能享有更多彈性,,也更貼近他們的特殊需求。

  半導(dǎo)體設(shè)備水漲船高

  先進制程對半導(dǎo)體設(shè)備提出了更高要求,,特別是EUV光刻機,,成為了行業(yè)明星。

  有專家分析,,臺積電Fab 18廠第三期在2021年第一季度開始量產(chǎn),,5nm生產(chǎn)線全數(shù)到位,每月可提供超過9萬片的投片產(chǎn)能,。另外,,臺積電以7nm制程優(yōu)化而來的6nm制程也同樣產(chǎn)能吃緊。高通和聯(lián)發(fā)科除了7nm制程增加投片,,其5G處理器將采用6nm制造,。英特爾也會采用臺積電6nm制程制造GPU產(chǎn)品。

  臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)分析人士認為,,截至2021年底,,臺積電將拿到55臺ASML的EUV光刻機,三星為30臺,。

  三星副董事長李在镕于2020年10月訪問了ASML總部,,并希望后者在2020年交付9臺EUV光刻機、在2021年后每年交付20臺EUV光刻機,。

  根據(jù)該假設(shè)得出的結(jié)論,,臺積電在2021-2015年,總共需要292臺EUV光刻機,,每年平均需新增58臺,。如果自2021年以后,臺積電平均每年需要近60臺EUV光刻機,,加上三星每年需要20臺,,一共年需求為80臺左右。

  除了EUV,,先進制程還需要其它較為特殊的設(shè)備,,如APMI(光化圖案掩膜檢查)系統(tǒng)和制造掩膜的電子束寫入器,。當芯片制程小于5nm時,這兩種設(shè)備將決定生產(chǎn)率和質(zhì)量,。像EUV光刻系統(tǒng)一樣,,這兩種設(shè)備也僅由單個制造商提供。

  電子束寫入器扮演“畫筆”角色,,將集成電路布圖印刷到掩模上,,這對于在光刻過程中將集成電路布圖印刷到晶圓上是絕對必要的。由日本的NuFlare制造的電子束寫入器目前用于基于ArF的光刻工藝,。

  但是,,NuFlare的電子束編寫器很難在EUV環(huán)境下充分發(fā)揮其潛力。EUV光刻工藝要求在單個掩模中快速印刷各種精細的集成電路,,而NuFlare的具有單個E束以印刷掩模圖形的單束方法會大大降低生產(chǎn)率,。目前,出現(xiàn)了一種基于多光束的新解決方案,,該方法在240,000個密集排列的電子束同時移動時繪制圖案,。據(jù)報道,該方法的生產(chǎn)率比單束方法快得多,,該方法被認為非常先進,。

  EUV掩模的高科技檢查系統(tǒng)也吸引了人們的注意力,因為它能夠檢查基于復(fù)雜結(jié)構(gòu)的EUV掩模,,比目前使用ArF光源的檢查系統(tǒng)更精確,,更緊密。這個新的檢查系統(tǒng)在將掩模引入生產(chǎn)線之前和之后進行檢查,。業(yè)界將此系統(tǒng)稱為APMI系統(tǒng),。

  問題在于,像EUV光刻系統(tǒng)一樣,,多光束寫入器和APMI系統(tǒng)也都是由單個公司制造的,。奧地利的IMS和日本的Lasertec是世界上唯一分別提供多光束記錄器和EUV掩模檢測系統(tǒng)的公司。

  據(jù)報道,,他們的年生產(chǎn)能力甚至沒有達到10個單位,。因此,對于芯片制造商而言,,要為基于EUV的工藝配置大規(guī)模生產(chǎn)系統(tǒng),,以確保生產(chǎn)率和質(zhì)量,但又很可能無法及時確保這些系統(tǒng)正常運行,,成為了一個困擾它們的難題,。

  結(jié)語

  在7nm、6nm,、5nm,,以及即將量產(chǎn)的4nm和3nm制程技術(shù)日臻成熟的情況下,,晶圓代工廠在產(chǎn)能、封裝,、半導(dǎo)體設(shè)備等方面進入“全面戰(zhàn)爭”狀態(tài),,且競爭越來越激烈,廠商方面,,雖然目前只有臺積電和三星兩家,,但隨著英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)的展開,以及其先進制程技術(shù)的成熟和量產(chǎn),,這些爭奪戰(zhàn)恐怕會更加激烈,。這些對于廣大客戶來說,,無疑是福音,。



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