在過去的十年中,，臺積電大約每兩年推出一項(xiàng)全新的制造技術(shù),。然而,，隨著開發(fā)新制造工藝的復(fù)雜性不斷增加,，保持這種節(jié)奏變得越來越困難,。該公司此前承認(rèn),，它將比業(yè)界習(xí)慣的（即第二季度）晚四個(gè)月開始使用其 N3（3 納米）節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)芯片,，并且在最近與分析師的電話會議中,，臺積電透露了有關(guān)其的更多細(xì)節(jié),。在最新的工藝技術(shù)路線圖方面，他們將專注于他其 N3,、N3E 和 N2 （2 nm） 技術(shù),。

　　2023年推出N3

　　與 N5 相比，臺積電的 N3 技術(shù)將提供全節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展,，因此其采用者將獲得所有性能（10% - 15%）,、功耗（-25% - -30%）和面積（邏輯高 1.7 倍）的增強(qiáng)。在這個(gè)時(shí)代期待一個(gè)新節(jié)點(diǎn),。但這些優(yōu)勢是有代價(jià)的,。制造過程將廣泛依賴于極紫外 （EUV） 光刻，雖然 EUV 層的確切數(shù)量未知,，但它的層數(shù)將比 N5 中使用的 14 層多,。該技術(shù)的極端復(fù)雜性將進(jìn)一步增加工藝步驟的數(shù)量——使其超過 1000 個(gè)——這將進(jìn)一步增加cycle時(shí)間。

　　因此,，雖然首批使用臺積電 N3 節(jié)點(diǎn)的芯片將于 2022 年下半年開始量產(chǎn),，但該公司只會在 2023 年第一季度將它們運(yùn)送給未公開的客戶以獲取收入。然而,，許多觀察人士預(yù)計(jì)這些芯片將于 2022 年底發(fā)貨,。

　　“N3風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)計(jì)劃在2021年，生產(chǎn)將在2022年下半年開始,，”  臺積電首席執(zhí)行官CC Wei表示,。“因此,，2022 年下半年將是我們的大規(guī)模生產(chǎn),，但您可以預(yù)期收入將在 2023 年第一季度出現(xiàn)，因?yàn)檫@需要很長時(shí)間——所有這些晶圓都需要周期時(shí)間,?！?/p>

　　2024年的N3E

　　傳統(tǒng)上，臺積電在推出新節(jié)點(diǎn)幾個(gè)季度后,，將推出其基于領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)所提供的性能增強(qiáng)和特定于應(yīng)用程序的工藝技術(shù),。對于N3,，該公司將稍微改變他們的策略，并將推出一個(gè)名為N3E的節(jié)點(diǎn),，它可以被視為N3的增強(qiáng)版本,。

　　該工藝節(jié)點(diǎn)將引入 具有性能、功率和良率增強(qiáng)的改進(jìn)的工藝窗口,。目前尚不清楚 N3 是否符合臺積電對 PPA 和良率的預(yù)期,，但代工廠正在談?wù)撎岣吡悸实氖聦?shí)表明，除了傳統(tǒng)的良率提升方法之外,，還有一種方法可以改善它,。

　　“我們還推出了 N3E 作為我們 N3 系列的擴(kuò)展，”魏說,?！癗3E 將具有改進(jìn)的制造工藝窗口，具有更好的性能,、功率和產(chǎn)量,。N3E 的批量生產(chǎn)計(jì)劃在 N3 之后一年?！?/p>

　　臺積電尚未評論 N3E 是否會與 N3 的設(shè)計(jì)規(guī)則,、設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施和 IP 兼容。同時(shí),，由于N3E將在N3之后一年（即2024年）為客戶服務(wù),，芯片設(shè)計(jì)者將有相當(dāng)長的時(shí)間為新節(jié)點(diǎn)做準(zhǔn)備。

　　2025年的N2

　　迄今為止,，臺積電的 N2 制造工藝在很大程度上仍是個(gè)謎,。該公司已確認(rèn)正在考慮為此節(jié)點(diǎn)使用環(huán)柵場效應(yīng)晶體管 （GAAFET），但從未表示該決定是最終決定,。此外,，它之前從未披露過 N2 的時(shí)間表。

　　但隨著 N2 越來越近,，臺積電正在慢慢鎖定一些額外的細(xì)節(jié),。特別是，該公司現(xiàn)在正式確認(rèn) N2 節(jié)點(diǎn)定于 2025 年,。盡管他們沒有詳細(xì)說明這是否意味著 2025 年的 HVM,，或 2025 年的出貨量。

　　“我可以與大家分享,，我們的 2 納米技術(shù)的密度和性能將在 2025 年成為最具競爭力的及競爭者,。”魏說,。