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利普思半導體獲近億元A輪融資,聚焦高可靠性SiC和IGBT模塊

2021-12-01
來源:全球半導體觀察整理
關(guān)鍵詞: 利普思半導體 SiC IGBT

近日,,高性能SiC(碳化硅)模塊企業(yè)“利普思半導體”宣布完成近億元人民幣A輪融資,。本輪融資由德聯(lián)資本領(lǐng)投,沃衍資本,、飛圖創(chuàng)投跟投,。該輪資金將主要用于公司無錫與日本研發(fā)設(shè)備投入,以及研發(fā)投入,、管理運營和市場推廣,。

據(jù)官方資料披露,利普思成立于2019年,,專注高性能SiC與IGBT功率模塊的研發(fā),、生產(chǎn)和銷售,擁有創(chuàng)新的封裝材料和封裝技術(shù),,為新能源汽車,、氫能車、光伏等行業(yè)應(yīng)用的控制器提供小型化,、輕量化和高效化的功率模塊解決方案,。目前,公司已經(jīng)申請專利26項,,其中發(fā)明專利13項,。

該公司使用的封裝材料以及加工技術(shù),致力于為新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)和逆變器的小型化,、高效化和輕量化,,提供完整的模塊應(yīng)用解決方案。滿足高性能,、高可靠性的新能源汽車及高端工業(yè)領(lǐng)域功率半導體模塊需求,。

值得一提的是,今年7月,,無錫利普思半導體有限公司投資建設(shè)的第三代功率半導體SiC模塊封裝線項目在無錫濱湖區(qū)開工,,該項目計劃引進2條自動化程度較高的先進第三代功率半導體SiC模塊封裝生產(chǎn)線,包含全自動銀燒結(jié)機,、真空焊接機,、全自動端子機,、測試機等進口設(shè)備。達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)模塊產(chǎn)能50萬臺的生產(chǎn)能力,。




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