在上月的ITF大會上，半導(dǎo)體行業(yè)大腦imec(比利時微電子研究中心)公布的藍(lán)圖顯示,，2025年后晶體管進(jìn)入埃米尺度(?,，angstrom，1埃 = 0.1納米),，其中2025對應(yīng)A14(14?=1.4納米),，2027年為A10(10?=1nm)、2029年為A7(7?=0.7納米),。

當(dāng)時imec就表示,，除了新晶體管結(jié)構(gòu)、2D材料,，還有很關(guān)鍵的一環(huán)就是High NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機,。其透露，0.55NA的下代EUV光刻機一號試做機(EXE:5000)會在2023年由ASML提供給imec,，2026年量產(chǎn),。

不過，本月與媒體交流時,，ASML似乎暗示這個進(jìn)度要提前,。第一臺高NA EUV光刻機2023年開放早期訪問，2024年到2025年開放給客戶進(jìn)行研發(fā)并從2025年開始量產(chǎn),。

據(jù)悉,，相較于當(dāng)前0.33NA的EUV光刻機，0.55NA有了革命性進(jìn)步,，它能允許蝕刻更高分辨率的圖案,。

分析師Alan Priestley稱,，0.55NA光刻機一臺的價格會高達(dá)3億美元(約合19億)，是當(dāng)前0.33NA的兩倍,。

早在今年7月,，Intel就表態(tài)致力于成為高NA光刻機的首個客戶，Intel營銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法,，并將高NA EUV光刻機視為一次重大技術(shù)突破,。