前言：

要知道2021年全球有近500萬輛汽車因缺芯而推遲交付,，缺的芯就是28nm芯片,。

不僅是汽車芯片,，顯示驅(qū)動(dòng)IC、電源管理IC,、MCU,、物聯(lián)網(wǎng)連接IC、WiFi6,、CMOS等等都需要28nm工藝制造,，相關(guān)芯片供應(yīng)商在代工廠排著隊(duì)等待獲得更多的產(chǎn)能。發(fā)展28nm的驅(qū)動(dòng)因素

第一是技術(shù)驅(qū)動(dòng),，從技術(shù)上來看,，28nm 的下一個(gè)節(jié)點(diǎn) 22nm，基本上都是采用 FinFET 工藝結(jié)構(gòu),；

而28nm上一個(gè)節(jié)點(diǎn)32nm采用 HKMG 工藝,，目前多個(gè)主流的晶圓廠和很多芯片設(shè)計(jì)公司都在關(guān)注28nm，大家都在28nm上投入了巨資進(jìn)行工藝的擴(kuò)展和研發(fā),。

目前28nm工藝平臺(tái)未來10年都有巨大的市場(chǎng)需求,。

28nm因其進(jìn)可攻退可守的先天優(yōu)勢(shì)，得到代工巨頭們的青睞,。

28nm的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力主要來自于平板電腦,、可穿戴產(chǎn)品,、智能家電等終端產(chǎn)品市場(chǎng)需求的提升,。

全球晶圓代工巨頭均已布局了28nm

從臺(tái)積電來講，今年5月份,，臺(tái)積電在南京廠投資近30億美元,，來擴(kuò)建28nm的成熟工藝產(chǎn)能。

今年11月份,，臺(tái)積電宣傳將同步啟動(dòng)臺(tái)灣高雄廠和日本廠的成熟制程的建廠計(jì)劃,。

聯(lián)電在去年底,，擴(kuò)充臺(tái)南12英寸晶圓廠的28nm和22nm產(chǎn)能。2021年上半年,，聯(lián)電廈門廠28nm產(chǎn)能的擴(kuò)產(chǎn),。

聯(lián)電還與聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠,、瑞昱,、三星等IC設(shè)計(jì)公司合作，進(jìn)一步達(dá)到擴(kuò)增產(chǎn)能的目標(biāo),。

近期,，聯(lián)電還將在新加坡擴(kuò)充成熟制程產(chǎn)能。

格芯在退出高端工藝競(jìng)爭(zhēng)后,，開始專注于28nm等成熟制程節(jié)點(diǎn),。

當(dāng)前，格芯正在全球投資逾60億美元以提高產(chǎn)能,，其中40億美元投入擴(kuò)大格芯在新加坡的工廠,，而10億美元?jiǎng)t用于在美國(guó)和德國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)。

中芯國(guó)際方面,，在2015年開始進(jìn)行28nm工藝量產(chǎn),，并于2018年宣布完成28nm HKMG的研發(fā)。

今年3月中旬,，中芯國(guó)際宣布斥資23．8億美元在深圳建設(shè)新的12英寸晶圓廠,，鎖定成熟制程代工。

今年9月,，中芯國(guó)際與上海臨港管委會(huì)成立合資公司,，聚焦于提供28nm及以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)的代工服務(wù)。

去年4月,，臺(tái)積電宣布為滿足結(jié)構(gòu)性需求的增加,，并應(yīng)對(duì)從車用芯片短缺開始擴(kuò)及整個(gè)全球芯片供應(yīng)的挑戰(zhàn)，將投入28．87億美元資本支出在南京廠擴(kuò)充28nm成熟制程,，預(yù)計(jì)于2022年下半年開始量產(chǎn),，2023年年中實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)，達(dá)到4萬片／月,。

盡管在高端領(lǐng)域,，唯有三星與臺(tái)積電勉強(qiáng)交鋒，但事實(shí)上,，日常生活里大多數(shù)的芯片生產(chǎn)需求最多也就到28nm制程節(jié)點(diǎn),。

聯(lián)電2021年資本支出達(dá)23億美元，2022年預(yù)期將上看30億美元，投資重心為擴(kuò)建南科Fab 12A廠P5及P6廠區(qū)的28及22nm產(chǎn)能,。

在巨大的市場(chǎng)需求下,，全球各個(gè)地區(qū)都在大幅提升成熟制程產(chǎn)能，爭(zhēng)取在接下來的兩年里大賺一筆,。

巨頭紛紛布局的原因

①28nm制程所使用的制造工藝以及生產(chǎn)設(shè)備,，可以兼容40nm、60nm等更為成熟的制程,。

這樣,，即便企業(yè)擴(kuò)大28nm制程的產(chǎn)線，當(dāng)28nm的產(chǎn)能需求下降時(shí),，還可以將這些設(shè)備投入到更為成熟制程的生產(chǎn)中,。

②與40nm相比優(yōu)勢(shì)更突出。從性能層面來看,，28nm柵密度更高,、晶體管的速度提升了約50％，這意味著在能耗上可以降低50％,。

③28nm與40nm的價(jià)格差越來越小,，在成本接近的情況下，使用28nm工藝可以給產(chǎn)品帶來更加良好的性能優(yōu)勢(shì),，IC設(shè)計(jì)企業(yè)自然會(huì)選擇性價(jià)格更優(yōu)的28nm,。

④在先進(jìn)制程推進(jìn)中，由于EUV光刻機(jī)等先進(jìn)制造關(guān)鍵設(shè)備受到美國(guó)的限制,，中國(guó)無法推進(jìn)先進(jìn)制程的落地,，加之成熟工藝制程本身有巨大的市場(chǎng)空間。

我國(guó)倡導(dǎo)的后摩爾時(shí)代的發(fā)展路徑,，為成熟工藝制造提供了更為開闊的市場(chǎng)空間,。

28nm是國(guó)內(nèi)廠商突破點(diǎn)

由于供應(yīng)鏈、設(shè)備供應(yīng)受到限制,，目前中國(guó)大陸晶圓廠 FinFET 工藝很難擴(kuò)產(chǎn),，而 28nm 是一個(gè)突破點(diǎn)。

現(xiàn)在國(guó)內(nèi) 28nm 產(chǎn)能還比較小,，28nm 可以作為中國(guó)大陸晶圓廠一個(gè)重要的戰(zhàn)略布局方向,，能夠滿足大部分應(yīng)用產(chǎn)品需求，很多應(yīng)用沒有必要采用 FinFET 工藝,，例如,，28nm 工藝能滿足驅(qū)動(dòng)芯片、WiFi 芯片等絕大部分應(yīng)用產(chǎn)品需求,。

從國(guó)產(chǎn)化角度來說,，28nm 以上工藝更容易一些，除了光刻機(jī)以外,，28nm 以上工藝設(shè)備可能也會(huì)逐步國(guó)產(chǎn)化,。

結(jié)尾：

產(chǎn)能是否過剩，還是要看產(chǎn)線是否有核心競(jìng)爭(zhēng)力,。

如果有獨(dú)特的工藝,，且這些工藝目前能夠做的廠家比較少，就不用擔(dān)心過剩,，如果缺少特色,，比較大眾化，可能會(huì)有過剩風(fēng)險(xiǎn),。

可以預(yù)見的是,，在這輪市場(chǎng)的新需求下，晶圓代工廠商們將在成熟工藝當(dāng)中展開新一輪的較量,。