6月17日早間消息,，臺(tái)積電在今日舉辦的2022技術(shù)論壇上,，首度推出下一代先進(jìn)制程N(yùn)2,，也就是2nm,。

技術(shù)指標(biāo)方面,，臺(tái)積電披露,，N2相較于N3,，在相同功耗下,，速度快10~15%;相同速度下,，功耗降低25~30%，開啟高效能新紀(jì)元,。

就縱向?qū)Ρ葋砜矗?nm之于3nm的提升,，似乎不如3nm之于5nm，包括但不限于性能,、功耗,、密度等所有核心參數(shù)。

在微觀結(jié)構(gòu)上,，N2采用納米片電晶體(Nanosheet),，取代FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)，外界普遍認(rèn)為,，納米片電晶體就是臺(tái)積電版的GAAFET(環(huán)繞柵極晶體管),。

臺(tái)積電還表示，N2不僅有面向移動(dòng)處理器的標(biāo)準(zhǔn)工藝,，還會(huì)有針對(duì)高性能運(yùn)算和小芯片(Chiplet)的整合方案,。

時(shí)間節(jié)奏方面，N2將于2025年量產(chǎn),。

另外，根據(jù)臺(tái)積電最新技術(shù)路線圖,，第一代3nm(N3)定于下半年量產(chǎn),，3nm也會(huì)比較長壽，后續(xù)還有N3E,、N3P和N3X,。