《電子技術(shù)應(yīng)用》
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革了尼康,、佳能命的浸潤式光刻機,是怎么被ASML研發(fā)出來的,?

2022-06-21
來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
關(guān)鍵詞: 佳能 光刻機 ASML

如果關(guān)注關(guān)刻機技術(shù)的人都清楚,目前有兩種光刻機,一種是DUV,,一種是EUV。

其中EUV用于7nn及以下芯片的光刻,,DUV用于7nm以上的芯片光刻,。而DUV光刻機,,基本上都是采用浸潤式原理。

即在光刻機中,,采用水為介質(zhì),,讓193nm波長的光線,進入水中進行折射后,,讓波長變成132納米,,從而實現(xiàn)從45nm-10nm級別的光刻。

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事實上,,在浸潤式光刻機推出之前,,業(yè)界采用的均是干式光刻機,即介質(zhì)為空氣,,193nm波長的光線,,直接進行光刻。

而在干式光刻機技術(shù)中,,尼康,、佳能才是巨頭。至于ASML,,還只是一個小工廠,,與尼康、佳能完全不是一個級別的,。

后來是ASML押寶浸潤式光刻機,,某了尼康、佳能的命,,把尼康,、佳能踩在了腳下。

那么問題就來了,,為何偏偏是ASML,?

事實上,在光刻機采用193nm波長后,,芯片工藝達到了65nm了,,接下來芯片工藝是朝著45nm前進。但193nm的光線,,感覺不夠精細,,所以業(yè)界把光刻的光線瞄向了157nm的波長上。

但157nm這個波長的光線,,很不好,,這種光線穿透率很差,這就需要光罩材質(zhì)要改進,,鏡頭技術(shù)也改進,。另外氧氣會吸收157納米的光,,所以干式介質(zhì)中,,不能有氧氣,,要采用氮氣。反正就是157nm波長的光線,,難題一大堆,,非常不好解決。

這時候在臺積電工作的林本堅,,提出了一個觀點,,為何一定要用干式介質(zhì)呢?用水來當(dāng)介質(zhì)也可以的,。

并且在經(jīng)過不斷的試驗之后,,他發(fā)現(xiàn)193nm波長的光線經(jīng)過水折射后,波長變?yōu)?32nm了,,這個波長跳過了157nm這個討厭的波長,,又解決了問題,豈不是兩全齊美,?

但這時候像尼康,、佳能等早就在157nm波長上投入了幾十億美元研究,并且認(rèn)為157nm波長才是方向,,所謂的浸潤式技術(shù)上并不可行,,所以沒怎么理會。

只有ASML因為是小廠,,反正光腳的不怕穿鞋的,,覺得可以賭一把,于是用這個技術(shù),,趕出來了一臺試驗性的浸潤式光刻機,,并把一些試驗出來的結(jié)果給臺積電看。

臺積電一看,,覺得技術(shù)完全可行,,于是臺積電和ASML兩家公司一起努力,研發(fā)浸潤式光刻機了,。

而這時像尼康,、佳能等,還說林本堅是在攪局,,甚至想通過高層來阻止林本堅研發(fā)浸潤式光刻機,,因為他們在157nm波長光刻機上投入太多了,還聯(lián)合了產(chǎn)業(yè)鏈一起向157nm推進,,不可能半途而廢,,那幾十億美元打了水漂了,,給產(chǎn)業(yè)鏈也沒法交待。

最后就是ASML與臺積電研發(fā)浸潤式光刻機成功了,,而研發(fā)157nm波長光刻機的尼康,、佳能沒有拿出可靠的產(chǎn)品出來。

于是后來所有的晶圓廠,,都轉(zhuǎn)向了ASML生產(chǎn)的浸潤式光刻機,,當(dāng)尼康、佳能轉(zhuǎn)向浸潤式光刻機時,,已經(jīng)落后ASML三,、四年了。

所以最后,,尼康,、佳能只能看著ASML越來越火,最后還推出了EUV光刻機,,他們卻慢慢的被淘汰掉了……




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