如果關(guān)注關(guān)刻機(jī)技術(shù)的人都清楚，目前有兩種光刻機(jī)，一種是DUV,，一種是EUV,。

其中EUV用于7nn及以下芯片的光刻，DUV用于7nm以上的芯片光刻,。而DUV光刻機(jī),，基本上都是采用浸潤(rùn)式原理。

即在光刻機(jī)中,，采用水為介質(zhì),，讓193nm波長(zhǎng)的光線，進(jìn)入水中進(jìn)行折射后,，讓波長(zhǎng)變成132納米,，從而實(shí)現(xiàn)從45nm－10nm級(jí)別的光刻。

事實(shí)上,，在浸潤(rùn)式光刻機(jī)推出之前,，業(yè)界采用的均是干式光刻機(jī)，即介質(zhì)為空氣,，193nm波長(zhǎng)的光線,，直接進(jìn)行光刻。

而在干式光刻機(jī)技術(shù)中,，尼康,、佳能才是巨頭。至于ASML,，還只是一個(gè)小工廠,，與尼康、佳能完全不是一個(gè)級(jí)別的,。

后來是ASML押寶浸潤(rùn)式光刻機(jī),，某了尼康、佳能的命,，把尼康,、佳能踩在了腳下。

那么問題就來了,，為何偏偏是ASML,？

事實(shí)上，在光刻機(jī)采用193nm波長(zhǎng)后,，芯片工藝達(dá)到了65nm了,，接下來芯片工藝是朝著45nm前進(jìn),。但193nm的光線,，感覺不夠精細(xì)，所以業(yè)界把光刻的光線瞄向了157nm的波長(zhǎng)上。

但157nm這個(gè)波長(zhǎng)的光線,，很不好,，這種光線穿透率很差，這就需要光罩材質(zhì)要改進(jìn),，鏡頭技術(shù)也改進(jìn),。另外氧氣會(huì)吸收157納米的光，所以干式介質(zhì)中,，不能有氧氣,，要采用氮?dú)狻７凑褪?57nm波長(zhǎng)的光線,，難題一大堆,，非常不好解決。

這時(shí)候在臺(tái)積電工作的林本堅(jiān),，提出了一個(gè)觀點(diǎn),，為何一定要用干式介質(zhì)呢？用水來當(dāng)介質(zhì)也可以的,。

并且在經(jīng)過不斷的試驗(yàn)之后,，他發(fā)現(xiàn)193nm波長(zhǎng)的光線經(jīng)過水折射后，波長(zhǎng)變?yōu)?32nm了,，這個(gè)波長(zhǎng)跳過了157nm這個(gè)討厭的波長(zhǎng),，又解決了問題，豈不是兩全齊美,？

但這時(shí)候像尼康,、佳能等早就在157nm波長(zhǎng)上投入了幾十億美元研究，并且認(rèn)為157nm波長(zhǎng)才是方向,，所謂的浸潤(rùn)式技術(shù)上并不可行,，所以沒怎么理會(huì)。

只有ASML因?yàn)槭切S,，反正光腳的不怕穿鞋的,，覺得可以賭一把，于是用這個(gè)技術(shù),，趕出來了一臺(tái)試驗(yàn)性的浸潤(rùn)式光刻機(jī),，并把一些試驗(yàn)出來的結(jié)果給臺(tái)積電看。

臺(tái)積電一看,，覺得技術(shù)完全可行,，于是臺(tái)積電和ASML兩家公司一起努力，研發(fā)浸潤(rùn)式光刻機(jī)了,。

而這時(shí)像尼康,、佳能等，還說林本堅(jiān)是在攪局，甚至想通過高層來阻止林本堅(jiān)研發(fā)浸潤(rùn)式光刻機(jī),，因?yàn)樗麄冊(cè)?57nm波長(zhǎng)光刻機(jī)上投入太多了,，還聯(lián)合了產(chǎn)業(yè)鏈一起向157nm推進(jìn)，不可能半途而廢,，那幾十億美元打了水漂了,，給產(chǎn)業(yè)鏈也沒法交待。

最后就是ASML與臺(tái)積電研發(fā)浸潤(rùn)式光刻機(jī)成功了,，而研發(fā)157nm波長(zhǎng)光刻機(jī)的尼康,、佳能沒有拿出可靠的產(chǎn)品出來。

于是后來所有的晶圓廠,，都轉(zhuǎn)向了ASML生產(chǎn)的浸潤(rùn)式光刻機(jī),，當(dāng)尼康、佳能轉(zhuǎn)向浸潤(rùn)式光刻機(jī)時(shí),，已經(jīng)落后ASML三,、四年了。

所以最后,，尼康,、佳能只能看著ASML越來越火，最后還推出了EUV光刻機(jī),，他們卻慢慢的被淘汰掉了……