6月30日,,三星電子正式宣布,,基于3nm全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT, 簡稱 GAA)制程工藝節(jié)點的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn),。
三星電子首次實現(xiàn)GAA“多橋-通道場效應(yīng)晶體管”應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制,通過降低工作電壓水平來提高能耗比,同時還通過增加驅(qū)動電流增強芯片性能,。三星首先將納米片晶體管應(yīng)用于高性能、低功耗計算領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片,,并計劃將其擴大至移動處理器領(lǐng)域,。
三星電子Foundry業(yè)務(wù)部總經(jīng)理崔時榮表示:“一直以來,三星電子不斷將新一代工藝技術(shù)應(yīng)用于生產(chǎn)制造中。例如:三星的第一個High-K Metal Gate (HKMG) 工藝,、FinFET 以及 EUV 等,。三星希望通過率先采用3nm工藝的‘多橋-通道場效應(yīng)晶體管’,將繼續(xù)保持半導(dǎo)體行業(yè)前沿地位,。同時,,三星將繼續(xù)在競爭性技術(shù)開發(fā)方面積極創(chuàng)新,并建立有助于加速實現(xiàn)技術(shù)成熟的流程,?!?/p>
據(jù)了解,3nm GAA 技術(shù)采用了更寬通的納米片,,與采用窄通道納米線的GAA 技術(shù)相比能提供更高的性能和能耗比,。3nm GAA 技術(shù)上,三星能夠調(diào)整納米晶體管的通道寬度,,優(yōu)化功耗和性能,,從而能夠滿足客戶的多元需求。
此外,,GAA 的設(shè)計靈活性對設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO) 非常有利,,有助于實現(xiàn)更好的PPA 優(yōu)勢。與三星5nm工藝相比,,第一代3nm工藝可以使功耗降低45%,,性能提升23%,芯片面積減少16%,;而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%,,性能提升30%,芯片面積減少35%,。
任誰也沒想到,,如今2022年轉(zhuǎn)眼已經(jīng)過去一半,臺積電3nm量產(chǎn)的消息遲遲未至,,卻讓三星搶了先,。顯然,這對于臺積電來說恐怕是不愿看到的一件事情,。
對此,,有網(wǎng)友表示:“希望三星可以給臺積電一點壓力,現(xiàn)在臺積電幾乎沒有什么對手,,接連不斷的漲價太隨意了,,跟兒戲一樣,但廠商都不敢得罪臺積電,。別說普通廠商,,就是蘋果現(xiàn)在離開臺積電也玩不轉(zhuǎn),,這就是實力,沒辦法的事情,?!?/p>
根據(jù)TrendForce 的數(shù)據(jù),,今年第一季度,,臺積電以53.6%的全球代工市場份額位居第一,三星以16.3%的份額緊隨其后,。雖然還難以追趕臺積電的步伐,,但也不得不承認三星在芯片領(lǐng)域確實很優(yōu)秀。