一如之前預(yù)告的那樣,，三星在今天正式宣布了3nm工藝量產(chǎn)，這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺(tái)積電量產(chǎn),，并且首次量產(chǎn)GAA晶體管工藝,，技術(shù)上也是全面壓制了臺(tái)積電，后者要到2nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)用上GAA工藝,。

　　根據(jù)三星所說,，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu),，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。

　　與5nm相比,，第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗,，減少16%的面積，并同時(shí)提升23%的性能,，第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗,，提升30%的性能，同時(shí)面積減少35%,，效果更好,。

　　對(duì)于三星搶先量產(chǎn)3nm GAA工藝，韓國媒體及專家自己表態(tài)積極,，但臺(tái)灣的分析師態(tài)度就不一樣了,，工研院產(chǎn)科國際所研究總監(jiān)楊瑞臨認(rèn)為三星就是趕鴨子上架。

　　之所以這么評(píng)價(jià),，楊瑞臨認(rèn)為GAA晶體管生態(tài)目前完全沒有成熟,，相關(guān)的蝕刻及測量問題還沒有解決，材料,、化學(xué)品也要提升,。

　　此外，他不看好三星3nm GAA工藝的原因還跟成本有關(guān),，認(rèn)為三星現(xiàn)在這樣做會(huì)增加成本,，交付期延長，良率提升慢,，品控也不見得好,，進(jìn)而導(dǎo)致三星難以對(duì)客戶報(bào)價(jià)，目前3nm GAA工藝只有三星自己在用,，不會(huì)有外部的客戶使用,。