【2022年8月1日,，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用,，使得臺達電子向著利用綠色電力實現(xiàn)能源轉(zhuǎn)型和碳中和的目標邁出了一大步。臺達成功開發(fā)出了雙向逆變器,，即一個由太陽能發(fā)電、儲能和電動汽車（EV）充電組成的三合一混合系統(tǒng)，它能夠?qū)㈦妱悠囎鳛榧彝?a class="innerlink" href="http://forexkbc.com/tags/備用電源" target="_blank">備用電源,。

這款雙向逆變器可用于為電動汽車（EV）和家用電池充電，還能作為意外停電時的備用電源,，以及高效綠色能源發(fā)電設備的核心組件,。該雙向逆變器搭載了英飛凌的1200 V M1H CoolSiC? EasyPACK? 1B模塊和采用 D2PAK -7L，7引腳封裝的1200 V CoolSiC? MOSFET（一種表面貼裝器件）,。它將三個應用整合在一起,，在一個尺寸僅為425 x 865 x 160mm的緊湊封裝中實現(xiàn)了三合一系統(tǒng)的設計，具有重要的里程碑意義,。該系統(tǒng)的輸出功率約為10 kW,，允許通過的最大連續(xù)電流為34 A，峰值效率可以超過97.5%,。

CoolSiC? MOSFET Easy 1B

臺達光伏逆變器事業(yè)部主管李雷鳴表示：“英飛凌多年來一直引領(lǐng)著功率半導體的發(fā)展,，致力于進一步提高電源管理效率,，是一個值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導體器件,，我們能夠?qū)⑷N應用整合到一個系統(tǒng)中,，向著綠色能源的發(fā)展目標邁出了一大步?！?br/>

英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示：“該項目是邁向碳中和道路上的一座重要里程碑,，我們十分榮幸能夠成為該項目的重要參與者。我們期待著臺達能夠與英飛凌長期合作,。英飛凌的功率半導體器件在這套智慧能源解決方案中發(fā)揮了重要作用,，對此我們深感自豪?！?br/>

創(chuàng)建這套三合一系統(tǒng)用到的重要組件包括：帶有NTC溫度傳感器,、采用了壓接工藝的1200 V M1H CoolSiC? EasyPACK? 1B模塊（F4-23MR12W1M1_B11）。該模塊可提供超高的設計靈活性和高電流密度,。同時,，該模塊采用了領(lǐng)先的封裝技術(shù)，與CoolSiC? MOSFET配合使用,，實現(xiàn)了低電感設計以及極小的開關(guān)和導通損耗,。它支持客戶實現(xiàn)高開關(guān)頻率設計，可以讓系統(tǒng)設計得更加小巧,。EasyPACK?模塊能夠幫助客戶縮短新產(chǎn)品開發(fā)時間,，降低總體成本。

該系統(tǒng)還采用了英飛凌的其他幾款半導體器件,，其中包括采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)的半導體器件,，以及采用D2PAK -7L，7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET（IMBG120R350M1H）,。后者采用.XT互連技術(shù),，具有與同類產(chǎn)品相比更加出色的熱性能，并且采用了開爾文源極概念,。這些功率器件憑借其優(yōu)勢確保了極低的開關(guān)損耗,，提高了系統(tǒng)效率。

CoolSiC? MOSFET D2PAK 7-pin

SiC MOSFET提供3 μs的短路能力,，并且MOSFET提供全壓擺率（dV/dt）控制以及4.5 V基準柵極閾值電壓（VGS(th)）,。它們還具備強大的抗寄生導通能力，可在0 V關(guān)斷電壓下運行,。此外,，這些MOSFET還包含支持硬換流的強大的體二極管。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由于采用SMD封裝, 這些MOSFET可以直接集成到具有自然對流冷卻功能的PCB上,，因此無需額外的散熱器,。

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