三星電子宣布(3月25日),,開發(fā)了業(yè)內(nèi)首款容量達到512GB的DDR5內(nèi)存模組,。
據(jù)悉,存儲顆粒采用高電介質(zhì)金屬柵極(HKMG)晶體管工藝制造,,進一步降低漏電,。
單DRAM芯片的容量是16Gb(2GB),通過TSV穿孔實現(xiàn)了8層堆疊,,也就是16GB,,湊成512GB的話總計需要32顆。
速度方面,,這款DDR5內(nèi)存條的速度高達7200Mbps,,也就是7200MHz頻率。即便如此,,三星表示功耗下降了13%,。
Intel副總裁Carolyn Duran確認,三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強可擴展處理器(Sapphire Rapids藍寶石激流)兼容,。根據(jù)路線圖,,Sapphire Rapids應(yīng)該是第四代至強可擴展處理器,年底前登陸,,除了DDR5,,還會首發(fā)PCIe 5.0。
三星表示,,旗下多款DDR5內(nèi)存已經(jīng)進入試樣階段,。
對于普通消費者來說,對DDR5的支持要等到下半年的12代酷睿(Alder Lake)和AMD Zen4了,。
那么,,最近有買內(nèi)存的小伙伴嗎,?內(nèi)存條的價格是不是在悄然上漲?
據(jù)供應(yīng)鏈消息,,DRAM內(nèi)存顆粒的現(xiàn)貨價格最近極速上漲,,今年初到現(xiàn)在已經(jīng)漲了60%多,是2019年3月份以來的最高價格水平,。
內(nèi)存價格大漲與多方面需求有關(guān),,PC、消費電子以及汽車行業(yè)的生產(chǎn)正在迅速恢復(fù),,導(dǎo)致內(nèi)存芯片需求意外增長,。
這一次的內(nèi)存價格上漲還看不到頭,短期內(nèi)無法解決,,三星,、SK海力士及美光三大內(nèi)存巨頭過去兩年就在削減內(nèi)存產(chǎn)能,再加上最近半年來全球半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張,,各種電子元件都在漲價,,內(nèi)存價格已經(jīng)無法回頭。
唯一的變數(shù)就要看國產(chǎn)內(nèi)存了,,生產(chǎn)內(nèi)存模組的廠商光威之前表態(tài),,喊出了“內(nèi)存漲價不要怕,光威純國產(chǎn)內(nèi)存2021年將大幅增產(chǎn)”的口號,,他們采用合肥長鑫內(nèi)存顆粒的純國產(chǎn)內(nèi)存今年會大幅增產(chǎn),,有望抑制內(nèi)存價格漲勢。
此前合肥產(chǎn)投集團披露,,截至2020年底,,合肥長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目提前達到4萬片/月產(chǎn)能,開始啟動6萬片/月產(chǎn)能建設(shè),,實現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷售的關(guān)鍵跨越,。
另外,存儲大廠SK海力士的CEO李錫熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE國際可靠性物理研討會上發(fā)表主題演講,,分享了在閃存,、內(nèi)存未來發(fā)展方面的一些規(guī)劃和展望。
3D NAND閃存方面,,如今行業(yè)的發(fā)展重點不是更先進的工藝,,也不是QLC、PLC,,而是堆疊層數(shù)的不斷增加,,SK海力士就已經(jīng)做到了176層。
SK海力士此前認為,3D閃存的堆疊層數(shù)極限是500層,,不過現(xiàn)在更加樂觀,認為在不遠的將來就能做到600層,。
當(dāng)然,,為了做到這一點,需要在技術(shù)方面進行諸多創(chuàng)新和突破,,比如SK海力士提出了原子層沉積(ALD)技術(shù),,進一步強化閃存單元屬性,可以更高效地存儲,、釋放電荷,,并且在堆疊層數(shù)大大增加后依然保持電荷一致性。
為了解決薄膜應(yīng)力(film stress)問題,,SK海力士引入了新的氮氧化物材料,。
為了解決堆疊層數(shù)增加后存儲單元之間的干擾、電荷丟失問題,,SK海力士開發(fā)了獨立的電荷阱氮化物(CTN)結(jié)構(gòu),,以增強可靠性。
另外針對DRAM內(nèi)存發(fā)展,,SK海力士在考慮引入EUV極紫外光刻,,可將工藝制程推進到10nm以下。
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