眾所周知,，目前最頂尖的光刻機是ASML的EUV光刻機，能夠制造3nm的芯片,。且在ASML的規(guī)劃中,，到2024年或2025年會交付全新一代的High－NA極紫外光刻機。

這種EUV光刻機,，數值孔徑變?yōu)?．55NA,，也就是解析度（精度）為8nm，可以制造2nm,，以及1．8nm的芯片,。

至于1．8nm以下，用什么光刻機,？反正ASML現在還沒規(guī)劃,，因為1．8nm后，技術又會怎么樣變化,，誰也不清楚,。

但近日，美國一家公司Zyvex,，利用一種完全不同于EUV光刻機的技術,，制造出了768皮米，也就是0．7nm的芯片,。

而0．7nm,，差不多相當于2個硅原子的寬度，也是理論上硅基芯片的最高精度,，所以很多人認為,，當芯片精度達到了1．8nm以后,，可能EUV光刻機也不行了，要使用Zyvex公司研發(fā)出的這種光刻技術了,。

Zyvex公司的光刻技術,，是啥技術？其光刻系統(tǒng)命名為為ZyvexLitho1,，是基于STM掃描隧道顯微鏡,，使用的是EBL電子束光刻方式，與極紫外線沒有任何關系,，稱之為電子束光刻機,，可能更合適一點。

按照Zyvex的說法,，這臺ZyvexLitho1是可以商用的,，還可以接受別人的訂單，具體多少錢一臺,，不清楚,，但機器對方可以在6個月內出貨。

雖然可以對外出貨,，但國廠商,，想要買到它，可能就千難萬難了,，基本不太可能,，畢竟EUV光刻機都買不到，更不要說精度更高的電子束光刻機了,。

當然,，硅基芯片，也不需要這種電子束光刻機,，這么高的精度更多還是用于量子計算芯片,，制造出一些高精度的量子器件，納米器材等,。

另外就是,，EBL電子束光刻機，產能非常低,，至少在目前大規(guī)模制造芯片也不現實,，只能小規(guī)模的制造量子計算的芯片，至于未來能不能技術改進,，提高產能,，進而取代EUV光刻機，還不清楚,。

但這或許也意味著在EUV光刻機后,，EBL電子束光刻機是一個新的方向,，你覺得呢？

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