臺(tái)積電和三星的3nm都宣傳了許久,，三星表示已量產(chǎn)，而臺(tái)積電則因?yàn)槿鄙倏蛻舄q豫著該不該量產(chǎn)，日前業(yè)內(nèi)人士指出更深層次的問題則是它們的3n工藝都未達(dá)標(biāo),，這才是根本原因,，3nm似乎失敗了。

臺(tái)積電在研發(fā)3nm的時(shí)候無疑是偏保守的,，它延續(xù)了此前的FinFET技術(shù),，如此可以確保3nm工藝的良率，畢竟FinFET技術(shù)已經(jīng)用了數(shù)代,，再加上3nm的研發(fā)本來風(fēng)險(xiǎn)就高,，因?yàn)樵绞墙咏?nm極限，工藝研發(fā)的難度就越大,，因此臺(tái)積電選擇了更穩(wěn)妥的策略,。

然而臺(tái)積電的如此做法卻也導(dǎo)致了3nm工藝的參數(shù)表現(xiàn)更差，據(jù)悉當(dāng)時(shí)臺(tái)積電其實(shí)已用3nm為蘋果試產(chǎn)A16處理器了,，但是生產(chǎn)出來的A16處理器表現(xiàn)遠(yuǎn)不如預(yù)期,，而良率太低、成本太高,，最終蘋果還是選擇放棄了3nm而改用5nm改良后的N4工藝,。

三星則比臺(tái)積電激進(jìn)，直接在3nm工藝上引入了GAAFET技術(shù),，妄圖通過更先進(jìn)的技術(shù)在3nm工藝上一舉趕超臺(tái)積電,，然而這卻導(dǎo)致三星的3nm工藝難度更大，最終三星的3nm工藝良率低到令人發(fā)指的地步,，成本則高到幾乎失去經(jīng)濟(jì)價(jià)值,。

三星如此激進(jìn)在于它此前在7nm、5nm工藝上都敗給了臺(tái)積電,，試圖以3nm一舉彎道超車,，然而事實(shí)證明了三星在技術(shù)積累方面確實(shí)不如臺(tái)積電，如此冒險(xiǎn)推進(jìn),，最終導(dǎo)致了它的3nm工藝量產(chǎn)面臨的問題更多,。

業(yè)內(nèi)人士指出臺(tái)積電和三星的3nm工藝在晶體管密度方面遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期，它們將之命名為3nm更像是營銷概念,，因此有人將之稱為“偽3nm”,，這個(gè)其實(shí)此前的7nm、5nm工藝都曾引發(fā)爭議,，它們的7nm工藝在晶體管密度方面只是達(dá)到了Intel的10nm,，但是在名字方面卻偏要將之命名為7nm，也認(rèn)為它們是為了營銷,。

在先進(jìn)工藝研發(fā)方面失敗,，其實(shí)已經(jīng)不是第一次，臺(tái)積電的20nm工藝就曾未達(dá)到預(yù)期，最終20nm只是用了一代然后就被舍棄了,；16nm工藝的表現(xiàn)更差,，臺(tái)積電的16nm工藝被指甚至還不如20nm，導(dǎo)致16nm工藝最終只有華為和另一家企業(yè)兩個(gè)客戶,，其后臺(tái)積電改良16nm工藝推出了16nmFinFET工藝才獲得業(yè)界的認(rèn)可,。

在16nm工藝節(jié)點(diǎn)上，也是臺(tái)積電和三星較量的分水嶺,，當(dāng)時(shí)三星沒有采用16nm的命名,，而是稱之為14nmFinFET工藝，蘋果則將A9處理器同時(shí)交給了三星和臺(tái)積電代工,，成為檢驗(yàn)它們工藝水平的利器,，最終三星以14nmFinFET工藝生產(chǎn)的A9處理器功耗過高，而臺(tái)積電以16nmFinFET工藝生產(chǎn)的A9處理器功耗更佳,，最終奠定了臺(tái)積電在先進(jìn)工藝方面領(lǐng)先的美名,。

如今在3nm工藝上，臺(tái)積電和三星又展開了較量,，然而從結(jié)果來看,，這次兩家芯片制造企業(yè)都沒有獲益，它們的3nm工藝似乎都已經(jīng)失敗了,，臺(tái)積電已開始推進(jìn)3nm工藝的改良版N3E,，三星方面估計(jì)也得加緊改進(jìn)3nm工藝。

在先進(jìn)工藝的研發(fā)方面,，臺(tái)積電和三星不僅面臨技術(shù)難題,，如今它們還面臨著市場的壓力，由于3nm工藝的成本過高,，此前除了Intel和蘋果計(jì)劃采用之外,，并無其他芯片企業(yè)愿意采用，如今它們在技術(shù)上又未能達(dá)標(biāo),，再加上全球芯片行業(yè)陷入衰退更看重成本,，它們改良后是否會(huì)有芯片企業(yè)采用也是問題，可以說它們?nèi)缃褚严萑雰呻y,。

更多信息可以來這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<