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東芝的新款150V N溝道功率MOSFET

具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的反向恢復(fù)特性,,有助于提高電源效率
2023-03-30
來源:東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
關(guān)鍵詞: 東芝 MOSFET 工業(yè)設(shè)備

  中國(guó)上海,2023年3月30日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝,可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源,,涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用,。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨,。

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  TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源導(dǎo)通電阻,與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%,。與此同時(shí),,與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH9R00CQH4[4]”相比,反向恢復(fù)電荷減少約74%,,反向恢復(fù)[5]時(shí)間縮短約44%,,上述指標(biāo)是體現(xiàn)同步整流應(yīng)用性能的兩大關(guān)鍵反向恢復(fù)指標(biāo)。新產(chǎn)品面向同步整流應(yīng)用[6],,降低了開關(guān)電源的功率損耗,,有助于提高系統(tǒng)效率。此外,,與TPH9R00CQH相比,,新產(chǎn)品減少了開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰電壓,有助于降低電源的EMI,。

  該產(chǎn)品采用業(yè)界廣泛認(rèn)可的表面貼裝型SOP Advance(N)封裝,。

  此外,東芝還提供支持開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)的相關(guān)工具,。除能夠迅速驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型外,,現(xiàn)在還提供能夠準(zhǔn)確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

  東芝利用該產(chǎn)品還開發(fā)出了“用于通信設(shè)備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉(zhuǎn)換器”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器”參考設(shè)計(jì),。即日起可訪問東芝官網(wǎng)獲取上述參考設(shè)計(jì),。除此以外,新產(chǎn)品還可用于已發(fā)布的“1kW全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器”參考設(shè)計(jì),。

  東芝將繼續(xù)擴(kuò)大自身的功率MOSFET產(chǎn)品線,,以降低功率損耗、提高電源效率,,并助力改善設(shè)備效率,。

  ▲應(yīng)用

  -工業(yè)設(shè)備電源,如用于數(shù)據(jù)中心和通信基站的電源

  -開關(guān)電源(高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

  ▲特性

  -業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)

  -業(yè)界領(lǐng)先的[2]低反向恢復(fù)電荷:Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)

  -業(yè)界領(lǐng)先的[2]快速反向恢復(fù)時(shí)間:trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)

  -高額定結(jié)溫:Tch(最大值)=175℃

▲主要規(guī)格

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  參考設(shè)計(jì):“用于通信設(shè)備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉(zhuǎn)換器”

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  參考設(shè)計(jì):“采用MOSFET的3相多電平逆變器”

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  注:

  [1] 截至2023年3月的數(shù)據(jù),。

  [2] 截至2023年3月,,與其他150V產(chǎn)品的對(duì)比。東芝調(diào)查,。

  [3] 采用當(dāng)前一代U-MOSVIII-H工藝的150V產(chǎn)品,。

  [4] 產(chǎn)品采用與TPH9R00CQ5相同的生產(chǎn)工藝,并具有相同的電壓和導(dǎo)通電阻,。

  [5] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關(guān)動(dòng)作,。

  [6] 如果新產(chǎn)品用于不執(zhí)行反向恢復(fù)操作的電路,則功耗相當(dāng)于TPH9R00CQH的水平。



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