美國 賓夕法尼亞 MALVERN,、中國 上海 — 2023年9月4日 — 日前,，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E,，提高通信,、工業(yè)和計算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%,，同時導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%,，該參數(shù)是650 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。

　　Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程,，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進(jìn)高科技設(shè)備,。隨著SiHP054N65E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的發(fā)布,，Vishay可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計初期滿足提高能效和功率密度兩方面的要求,，包括功率因數(shù)校正（PFC）和后面的DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。典型應(yīng)用包括服務(wù)器,、邊緣計算和數(shù)據(jù)存儲,；UPS；高強度放電（HID）燈和熒光鎮(zhèn)流器,；太陽能逆變器,；焊接設(shè)備；感應(yīng)加熱,；電機驅(qū)動,；以及電池充電器。

　　SiHP054N65E采用Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級結(jié)技術(shù),，10V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.051 Ω,，從而提高額定功率支持 2 kW以上的各種應(yīng)用,，器件滿足符合開放計算項目Open Rack V3（ORV3）標(biāo)準(zhǔn)的需求。此外,，這款MOSFET超低柵極電荷下降到 72nC,。器件的FOM 為3.67 Ω*nC，比同類接近的競品MOSFET 低1.1 %,。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開關(guān)損耗降低,，從而達(dá)到節(jié)能效果，提高能效,。器件滿足服務(wù)器電源鈦效應(yīng)的特殊要求,，或通信電源達(dá)到96%的峰值效率。

　　日前發(fā)布的MOSFET有效輸出電容 C_o（er） 和C_o（tr）  典型值分別僅為115 pF和 772 pF,，可改善硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)性能,，如PFC、半橋和雙開關(guān)順向設(shè)計,。器件的電阻與 C_o（tr） 乘積FOM低至5.87 W*pF達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平,。SiHP054N65E采用TO-220AB封裝,，提高了dv/dt耐用性,，符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素,，耐受雪崩模式下電壓瞬變,，并保證極限值100 %通過UIS測試。

　　SiHP054N65E現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),，關(guān)于供貨周期的信息,，請與當(dāng)?shù)劁N售部聯(lián)系。

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