美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN,、中國(guó) 上海 — 2023年9月4日 — 日前,，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E,，提高通信,、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%,，同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%,，該參數(shù)是650 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。

　　Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過(guò)程,，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進(jìn)高科技設(shè)備,。隨著SiHP054N65E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的發(fā)布,，Vishay可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)初期滿(mǎn)足提高能效和功率密度兩方面的要求,，包括功率因數(shù)校正（PFC）和后面的DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。典型應(yīng)用包括服務(wù)器,、邊緣計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ),；UPS；高強(qiáng)度放電（HID）燈和熒光鎮(zhèn)流器,；太陽(yáng)能逆變器,；焊接設(shè)備；感應(yīng)加熱；電機(jī)驅(qū)動(dòng),；以及電池充電器,。

　　SiHP054N65E采用Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)，10V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.051 Ω,，從而提高額定功率支持 2 kW以上的各種應(yīng)用,，器件滿(mǎn)足符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目Open Rack V3（ORV3）標(biāo)準(zhǔn)的需求。此外,，這款MOSFET超低柵極電荷下降到 72nC,。器件的FOM 為3.67 Ω*nC，比同類(lèi)接近的競(jìng)品MOSFET 低1.1 %,。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗降低,，從而達(dá)到節(jié)能效果，提高能效,。器件滿(mǎn)足服務(wù)器電源鈦效應(yīng)的特殊要求,，或通信電源達(dá)到96%的峰值效率。

　　日前發(fā)布的MOSFET有效輸出電容 C_o（er） 和C_o（tr）  典型值分別僅為115 pF和 772 pF,，可改善硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)性能,，如PFC、半橋和雙開(kāi)關(guān)順向設(shè)計(jì),。器件的電阻與 C_o（tr） 乘積FOM低至5.87 W*pF達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平,。SiHP054N65E采用TO-220AB封裝，提高了dv/dt耐用性,，符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),，無(wú)鹵素，耐受雪崩模式下電壓瞬變,，并保證極限值100 %通過(guò)UIS測(cè)試,。

　　SiHP054N65E現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，關(guān)于供貨周期的信息,，請(qǐng)與當(dāng)?shù)劁N(xiāo)售部聯(lián)系,。

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