佳能公司計(jì)劃將其新芯片制造設(shè)備的定價(jià)僅為ASML Holding NV最好的光刻機(jī)成本的一小部分,，尋求在目前在中美科技競(jìng)爭(zhēng)中發(fā)揮核心作用的尖端設(shè)備領(lǐng)域取得進(jìn)展。

這家總部位于東京的公司的新納米壓印技術(shù)將為小型半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟一條道路,，而現(xiàn)在幾乎完全是該行業(yè)最大公司的領(lǐng)域,，首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示。

這位 88 歲的老人表示：“價(jià)格將比 ASML 的 EUV 低一位數(shù),?！彼弦淮瓮顺鋈粘＿\(yùn)營(yíng)是在 2016 年，現(xiàn)在他已第三次擔(dān)任佳能總裁,。他補(bǔ)充說(shuō),，最終的定價(jià)尚未決定。

總部位于荷蘭費(fèi)爾德霍芬的 ASML 是極紫外光刻工具的唯一供應(yīng)商,，這些工具是世界上最先進(jìn)的芯片制造機(jī)器,，每臺(tái)價(jià)值數(shù)億美元。EUV 設(shè)備是數(shù)十年研究和投資的成果,，對(duì)于批量生產(chǎn)最快,、最節(jié)能的芯片至關(guān)重要，這種芯片將數(shù)百萬(wàn)個(gè)晶體管塞進(jìn)每平方毫米的硅中,。

只有少數(shù)現(xiàn)金充裕的公司有能力投資這些工具,，而這些工具目前因其在科技供應(yīng)鏈中的關(guān)鍵地位而受到審查。在美國(guó)向其盟友施壓以限制技術(shù)流向北京之后,，ASML 被禁止向中國(guó)客戶(hù)出口 EUV 系統(tǒng),。

這給佳能上個(gè)月上市的新工具帶來(lái)了希望。東京的芯片制造出口限制于 7 月份擴(kuò)大,，但沒(méi)有明確提及納米壓印光刻技術(shù),。

但御手洗表示，佳能可能無(wú)法將這些機(jī)器運(yùn)送到中國(guó),?！拔业睦斫馐牵魏纬^(guò) 14 納米技術(shù)的出口都是被禁止的,，所以我認(rèn)為我們無(wú)法銷(xiāo)售,。” 日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的一位官員表示,，他無(wú)法評(píng)論出口限制將如何影響特定公司或產(chǎn)品,。

自今年年初以來(lái)，佳能股價(jià)已上漲 27%,。其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手尼康公司 (Nikon Corp.)的股價(jià)也上漲了 24%,，該公司在光刻工具方面也落后于 ASML,。

近十年來(lái)，佳能一直與大日本印刷公司和存儲(chǔ)芯片制造商Kioxia Holdings Corp合作開(kāi)發(fā)納米壓印工藝,。與通過(guò)反射光工作的 EUV 光刻不同,，佳能的技術(shù)將電路圖案直接壓印到晶圓上，以按照其聲稱(chēng)的幾何形狀制造芯片,。相當(dāng)于最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)，盡管速度慢得多,。

新機(jī)器使芯片制造商可以選擇降低對(duì)代工廠(chǎng)的依賴(lài),，同時(shí)也使臺(tái)積電和三星電子等合同芯片制造商更容易生產(chǎn)小批量芯片。佳能表示,，這些機(jī)器所需的功率僅為 EUV 機(jī)器的 1/10,。

“我不認(rèn)為納米壓印技術(shù)會(huì)超越 EUV，但我相信這將創(chuàng)造新的機(jī)會(huì)和需求,，”Mitarai 說(shuō),。“我們已經(jīng)收到了許多客戶(hù)的詢(xún)問(wèn),?！?/p>

迄今為止，佳能一直專(zhuān)注于用于制造不太先進(jìn)芯片的產(chǎn)品,，并于 2014 年開(kāi)始押注納米壓印技術(shù),，收購(gòu)了先鋒分子壓印公司。佳能是臺(tái)積電的供應(yīng)商,，正在建設(shè)二十年來(lái)第一家光刻設(shè)備新工廠(chǎng)——東京北部的宇都宮將于 2025 年上線(xiàn),。

御手洗已擔(dān)任佳能總裁近 18 年，并自 2006 年起擔(dān)任首席執(zhí)行官,，他表示自己沒(méi)有興趣終身掌權(quán),。他出生于 1935 年，1995 年首次掌權(quán)時(shí),，因拯救佳能陷入困境的業(yè)務(wù)而受到贊譽(yù),。

佳能最近任命了一批新董事，明年將加入董事會(huì),，其中包括佳能美國(guó)首席執(zhí)行官小川一人（65 歲）,、工業(yè)集團(tuán)負(fù)責(zé)人武石宏明（59 歲）和高級(jí)常務(wù)執(zhí)行官淺田稔（61 歲），這是一批新高管的標(biāo)志隊(duì)伍中不斷上升,。

“尋找繼任者是我的責(zé)任”,，御手洗說(shuō)。

EUV的失敗挑戰(zhàn)者,，NIL站穩(wěn)腳跟

幾十年來(lái)一直落后于傳統(tǒng)光學(xué)光刻的納米壓印光刻正在成為快速增長(zhǎng)的光子學(xué)和生物技術(shù)芯片市場(chǎng)的首選技術(shù),。

納米壓印光刻 (NIL) 于 20 世紀(jì) 90 年代中期首次推出,，一直被吹捧為傳統(tǒng)光學(xué)光刻的低成本替代品。即使在今天,，NIL 也有可能使用更少的工藝步驟和顯著降低的資本設(shè)備成本來(lái)匹配當(dāng)前的 EUV 尺寸,、產(chǎn)量和吞吐量。

NIL 與光學(xué)光刻的不同之處在于,，NIL 使用由電子束系統(tǒng)圖案化的主印模副本將圖像直接轉(zhuǎn)移到硅晶片和其他基板上,。低粘度光刻膠通過(guò)噴射沉積在基板上，類(lèi)似于噴墨打印機(jī)的工作方式,。然后,，將圖案化的印模（掩模）壓入光刻膠表面，流體通過(guò)毛細(xì)管作用流入圖案中,。紫外線(xiàn)輻射交聯(lián)熱固性材料,，去除掩模，在基板上留下圖案化的光刻膠,。

缺點(diǎn)是在多個(gè)金屬層上對(duì)齊,，這是光刻的主要優(yōu)勢(shì)。將 NIL 中使用的模具壓入抗蝕劑的過(guò)程會(huì)導(dǎo)致扭曲或變形,，從而導(dǎo)致不同層之間的錯(cuò)位,。尖端半導(dǎo)體可以有兩打以上的層，每一層都與下面的層精確對(duì)齊,，以確保準(zhǔn)確可靠的芯片性能,。這對(duì)于特征尺寸縮小到 10 納米以下的高級(jí)半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)來(lái)說(shuō)尤其成問(wèn)題。這些尺寸的覆蓋對(duì)齊公差非常嚴(yán)格,。

NIL Technology 首席執(zhí)行官 Theodor Nielson 表示：“Nanoimprint 是用于納米結(jié)構(gòu)定義的理想光刻工具,，它不需要對(duì)齊，或者更準(zhǔn)確地說(shuō)不需要多層對(duì)齊,?！?“NIL 高效、快速,，并且所需的資本支出明顯低于使用步進(jìn)光刻機(jī)所需的成本,。但是，當(dāng)需要許多相互配準(zhǔn)的光刻步驟時(shí),，步進(jìn)機(jī)更勝一籌,。”

這種10nm以下工藝的特征均勻性是光子學(xué)的主要優(yōu)勢(shì),。另一個(gè)是模式靈活性,。光子器件依賴(lài)于通過(guò)襯底上表面結(jié)構(gòu)的圖案和頻率對(duì)光進(jìn)行納米級(jí)操縱。NIL 可用于通過(guò)一次印模創(chuàng)建各種三維 (3D) 納米結(jié)構(gòu),，從而為高級(jí)光子器件中的應(yīng)用提供獨(dú)特的光學(xué)特性,。

與包括 EUV 在內(nèi)的傳統(tǒng)光刻相比,，NIL 具有許多優(yōu)勢(shì)。他們之中：

它可以以更高的分辨率和更低的線(xiàn)邊緣粗糙度 (LER) 再現(xiàn) 5nm 以下的特征尺寸,；

由于整個(gè)過(guò)程避免了對(duì)透鏡陣列的需要和光源所需的極端功率,，因此 NIL 的運(yùn)行成本顯著降低；

它需要更少的工藝步驟,，并且它比 EUV 系統(tǒng)緊湊得多,，因此可以將多臺(tái)機(jī)器集群在一起以提高吞吐量。

然而,，由于各種技術(shù),、財(cái)務(wù)和物流障礙，NIL 尚未找到進(jìn)入半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線(xiàn)的途徑,。早在 2008 年，研究人員就展示了具有成本效益的 45 納米以下 NIL 生產(chǎn),，目前的 NIL 技術(shù)可以打印 10 納米以下的尺寸,，對(duì)準(zhǔn)精度低至 2 納米。

部分原因是在晶圓廠(chǎng)中添加另一種光刻技術(shù)的成本?，F(xiàn)有的光刻設(shè)備投資巨大,，光學(xué)掃描儀的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化使其更難被取代。雖然使用 NIL 對(duì)某些層進(jìn)行圖案化可能更便宜,，但它是一種在附加設(shè)備上使用不同工藝的技術(shù),，其材料不同于光學(xué)系統(tǒng)所使用的材料。添加到工作流程中的任何新流程或材料都會(huì)增加復(fù)雜性,、時(shí)間和資源,，從而增加成本并降低吞吐量。這不僅僅是流程的成本,。這是添加額外流程步驟的所有相關(guān)成本,。

EV Group 業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān) Thomas Urhmann 說(shuō)：“如果你已經(jīng)可以用標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)做一些事情，并且那里有很多產(chǎn)能,，那么這些生產(chǎn)線(xiàn)將運(yùn)行這些分辨率,。” “為了進(jìn)一步推廣納米壓印光刻技術(shù),，需要采用尚未建立制造工藝的新應(yīng)用,。應(yīng)用驅(qū)動(dòng)技術(shù)，技術(shù)賦能應(yīng)用,?！?/p>

光子學(xué)革命

光子學(xué)是一個(gè)新興產(chǎn)業(yè)，受到全球?qū)饽芟到y(tǒng)不斷增長(zhǎng)的需求的推動(dòng),。光子元件使用的層數(shù)比傳統(tǒng)芯片少,，但它們對(duì)于各種產(chǎn)品和服務(wù)至關(guān)重要,，包括電信、數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò),、生物光子學(xué),、消費(fèi)電子產(chǎn)品、汽車(chē)等,。這些垂直市場(chǎng)嚴(yán)重依賴(lài)光學(xué)和光子元件,，例如 LED 和激光芯片、光學(xué)玻璃,、探測(cè)器和圖像傳感器,、透鏡、棱鏡,、濾光片,、光柵、光纖等等,。

這為 NIL 創(chuàng)造了巨大的機(jī)會(huì),。據(jù)麥肯錫稱(chēng)，目前全球光啟用系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模約為 1.4 萬(wàn)億美元,，預(yù)計(jì)到 2025 年將達(dá)到近 2 萬(wàn)億美元,。雖然光子組件約占這一總份額的 9%，即大約 1200 億美元,，但組件市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度遠(yuǎn)快于整個(gè)系統(tǒng)本身,，復(fù)合年增長(zhǎng)率分別為 10% 和 6%。這是由于這些系統(tǒng)中應(yīng)用的增加和光子元件的激增,。

它還發(fā)揮了 NIL 的優(yōu)勢(shì),，即它能夠在不同基板上創(chuàng)建具有出色再現(xiàn)性和可擴(kuò)展性的高分辨率納米結(jié)構(gòu)。NIL 提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法來(lái)制造 10 納米以下的復(fù)雜納米結(jié)構(gòu),，這對(duì)于制造光子晶體,、波導(dǎo)和光柵耦合器等小型光子器件至關(guān)重要。該技術(shù)還可以制造具有高度均勻和詳細(xì)的亞波長(zhǎng)特征的光子元件,，從而增強(qiáng)光與物質(zhì)的相互作用并提高器件性能,。

“波長(zhǎng)非常無(wú)情，”Urhmann 說(shuō),?！肮庾訉W(xué)的微小變化會(huì)對(duì)它們的性能產(chǎn)生巨大影響，尤其是當(dāng)你觀(guān)察結(jié)構(gòu)上的線(xiàn)邊緣粗糙度時(shí),。使用 NIL,，一旦您擁有一個(gè)經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的模板，并復(fù)制該模板,，那么整個(gè)晶圓將具有完全 100% 相同的規(guī)格,。對(duì)于像增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)這樣的應(yīng)用程序,，它是一項(xiàng)巨大的資產(chǎn)?！?/p>

Obducat Group 首席執(zhí)行官Patrik Lundstr?m表示：“在光子學(xué)中,，通常具有這些小特征尺寸，如果使用光學(xué)光刻技術(shù)生產(chǎn)這些特征,，成本將明顯高于NIL,。” “NIL 技術(shù)的成本效益是光子學(xué)的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)之一,。此外,，與光學(xué)光刻相比，NIL 更容易使用光刻膠和光刻膠材料中結(jié)構(gòu)的實(shí)際形成,，以及基板到基板的可重復(fù)性,。”

結(jié)構(gòu)的“實(shí)際形成”是 NIL 的一個(gè)重要區(qū)別,。與光學(xué)光刻不同,，光學(xué)光刻將抗蝕劑圖案化為應(yīng)用中的硅圖案，NIL 直接在基板材料上創(chuàng)建結(jié)構(gòu)而無(wú)需蝕刻,。這使得能夠在可能不適用于光學(xué)系統(tǒng)的各種表面上壓印極其精細(xì)的電路。

imec 納米壓印光刻項(xiàng)目經(jīng)理 Eleonora Storace 表示：“NIL 在壓印材料選擇的靈活性方面具有非常強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì),?！薄八c基板無(wú)關(guān)。你基本上可以在任何類(lèi)型的基材上進(jìn)行壓印,，例如金屬,、高折射率玻璃或其他使用光刻技術(shù)會(huì)更加復(fù)雜的透明表面?！?/p>

NIL 也沒(méi)有模式場(chǎng)限制,，使其高度適應(yīng)多樣化和標(biāo)準(zhǔn)化程度較低的光電子市場(chǎng)。特別是全場(chǎng) UV-NIL 允許在大面積上打印圖案而不會(huì)出現(xiàn)拼接錯(cuò)誤,。該技術(shù)支持各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀,，包括3D，甚至可以用于高形貌表面,，這是許多光子器件的關(guān)鍵要求,。

對(duì)于希望采用 NIL 技術(shù)來(lái)構(gòu)圖其新光子學(xué)應(yīng)用的公司來(lái)說(shuō)，這個(gè)相對(duì)較新且快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)的多樣性和標(biāo)準(zhǔn)化的缺乏也可能是一個(gè)重大挑戰(zhàn)——尤其是在 NIL 尚未擁有成熟的技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)的情況下,。

為了幫助滿(mǎn)足光電子行業(yè)對(duì) NIL 設(shè)備不斷增長(zhǎng)的需求,，NIL 技術(shù)公司正在與材料供應(yīng)商結(jié)成聯(lián)盟，以幫助孵化新創(chuàng)意,。例如,，EV Group (EVG) 創(chuàng)建了一個(gè)光子學(xué)能力中心來(lái)支持行業(yè)中的新解決方案,，并宣布與 Toppan Photomask 和 Taramount 等材料供應(yīng)商達(dá)成多項(xiàng)協(xié)議，以提供主模板和新封裝解決方案,。就在本月,，EVG 宣布與 Notion Systems 達(dá)成一項(xiàng)新協(xié)議，以開(kāi)發(fā)噴墨涂層功能,。這些合作旨在將 NIL 確立為光電子制造的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程,。

NIL 在光子市場(chǎng)仍面臨許多挑戰(zhàn)，包括缺乏成熟的材料生態(tài)系統(tǒng),。雖然材料和消耗品的可用性正在改善,，但仍有差距需要解決。

“生態(tài)系統(tǒng)在過(guò)去十年中得到了巨大改善,，”imec 的 Storace 說(shuō),。“對(duì)于那些可以提供大量產(chǎn)品以支持晶圓廠(chǎng)的供應(yīng)商來(lái)說(shuō),，成熟度很高,，他們正在實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，但這兩件事是齊頭并進(jìn)的,。只要沒(méi)有達(dá)到臨界數(shù)量的客戶(hù)下訂單,，供應(yīng)鏈就不會(huì)自行發(fā)展?！?/p>

不過(guò),，這種情況正在改善?！霸谶^(guò)去兩年中,，材料方面取得了廣泛進(jìn)展，推出了許多新材料,，而且我們知道還有更多正在開(kāi)發(fā)中,，”Lundstr?m 補(bǔ)充道?！拔覀冞€看到主模板供應(yīng)鏈發(fā)展良好,，許多半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名公司正在進(jìn)入這一領(lǐng)域，這將在可靠供應(yīng)商的可用性方面帶來(lái)好處,?！?/p>

IC 制造的光子學(xué)后門(mén)

NIL 在光子學(xué)市場(chǎng)的成功重新激發(fā)了人們對(duì)其在半導(dǎo)體鑄造廠(chǎng)硅光子學(xué)制造中的潛在應(yīng)用的興趣。硅光子器件需要精確而復(fù)雜的光學(xué)結(jié)構(gòu),，使用傳統(tǒng)的光刻技術(shù)制造這些結(jié)構(gòu)通常具有挑戰(zhàn)性,，尤其是在最小的節(jié)點(diǎn)上。EUV 的較大數(shù)值孔徑將其景深降低到僅幾百納米。但是 NIL 憑借其在納米級(jí)的高分辨率圖案化,，能夠制造對(duì)硅光子器件至關(guān)重要的復(fù)雜和小型化光學(xué)結(jié)構(gòu),。NIL 還可以與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝集成。

“這些技術(shù)非?；パa(bǔ),，它們可以非常順利地共存，”Storace 說(shuō),?！皬奶幚淼慕嵌葋?lái)看，挑戰(zhàn)在于將這兩個(gè)世界結(jié)合起來(lái),。這就是我們?cè)?imec 所做的,。我們有一個(gè) CMOS 工廠(chǎng)，我們?cè)谠摴S(chǎng)中嵌入了 NIL 工具,，因此我們可以利用從事這兩種技術(shù)的人員的所有專(zhuān)業(yè)知識(shí)來(lái)提出新的工藝流程,，從而能夠創(chuàng)建一個(gè)完整的產(chǎn)品?！?/p>

NIL 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的另一個(gè)機(jī)會(huì)是3D NAND閃存芯片,。NAND閃存由一系列可以排列成二維陣列的存儲(chǔ)單元組成。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管和一個(gè)浮動(dòng)?xùn)艠O組成,，浮動(dòng)?xùn)艠O將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為 0 或 1,。晶體管控制存儲(chǔ)單元和電路其余部分之間的電流流動(dòng)。NAND 閃存結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單性使其成為 NIL 制造的良好候選者,。

Canon Nanotechnologies 憑借其 NIL 制造技術(shù)在 3D NAND 閃存上押下重注,。該公司目前在 SK 海力士和鎧俠（前身為東芝）的制造工廠(chǎng)配備了測(cè)試設(shè)備，并計(jì)劃到 2025 年開(kāi)始使用 NIL 大規(guī)模生產(chǎn) 3D NAND 閃存,。佳能還在東京北部的宇都宮建設(shè)一座耗資 3.57 億美元的新工廠(chǎng),，將其光刻設(shè)備（包括 NIL）的產(chǎn)量提高一倍,。

佳能目標(biāo)的主要挑戰(zhàn)仍然是對(duì)齊,，尤其是在晶圓邊緣附近，盡管該公司認(rèn)為它已經(jīng)通過(guò)掩模 (TTM) 對(duì)齊系統(tǒng)及其高階失真校正 (HODC) 在很大程度上解決了對(duì)齊問(wèn)題系統(tǒng),。

佳能的方法使用具有專(zhuān)有控制技術(shù)的莫爾圖案實(shí)時(shí)測(cè)量晶圓和掩模之間的納米級(jí)偏差（圖 3）,。這是大多數(shù) NIL 工具制造商使用的常用方法，但是將母版物理壓到基板上并加熱抗蝕劑的過(guò)程會(huì)導(dǎo)致晶圓發(fā)生微變形,，從而影響后續(xù)層的對(duì)準(zhǔn),。佳能的 HODC 技術(shù)并沒(méi)有試圖避免這些失真，而是使用由數(shù)字鏡面設(shè)備 (DMD) 調(diào)制的激光照射來(lái)校正它們,。激光使晶圓和掩膜發(fā)生熱變形（圖 4）,，并且由于熱膨脹系數(shù)的差異，可以進(jìn)行畸變校正。

“我們現(xiàn)在可以滿(mǎn)足 3D NAND 閃存中覆蓋精度的所有要求,，”佳能納米技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)和業(yè)務(wù)副總裁 Doug Resnick 說(shuō),。“我們已經(jīng)在封閉系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)了 1.8 納米的疊加精度,，在混合匹配疊加上達(dá)到了 2.3 納米,。”

NIL 的新機(jī)遇

除了光子學(xué)和半導(dǎo)體之外,，NIL 在更廣泛的材料科學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用正在迅速增長(zhǎng),。NIL 已經(jīng)擴(kuò)展到包括智能材料的驅(qū)動(dòng)、過(guò)濾膜性能的增強(qiáng),、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí),、傳感器技術(shù)、生物醫(yī)學(xué)產(chǎn)品和基因組測(cè)序,。

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和 3D 傳感絕對(duì)是 NIL 目前的熱門(mén)話(huà)題,，”Uhrmann 說(shuō)?！皩?duì)于指紋傳感器或光譜傳感器等應(yīng)用,，您需要微型光學(xué)元件。其他應(yīng)用包括金屬透鏡和金屬光學(xué)器件,，但它現(xiàn)在真正大放異彩的是基因組測(cè)序,。”

基因組測(cè)序過(guò)程涉及使用來(lái)自外部電壓的電容變化使核苷酸通過(guò)納米級(jí)納米孔,。每種基因組類(lèi)型的核苷酸都會(huì)產(chǎn)生具有獨(dú)特大小的受阻離子電流,，并且可以測(cè)量每種類(lèi)型的靜電荷分布以確定它們?cè)阪溕系男蛄小?/p>

制造這些納米孔最初是通過(guò)在基板上有機(jī)地生長(zhǎng)它們來(lái)完成的，但要使它們的尺寸保持一致是一個(gè)挑戰(zhàn),。NIL 通過(guò)在材料中高速打印一致,、均勻分布的納米孔來(lái)解決這一挑戰(zhàn)，從而顯著降低與基因組測(cè)序相關(guān)的成本,。這已迅速成為基因組測(cè)試公司和實(shí)驗(yàn)室的首選技術(shù),。

結(jié)論

雖然納米壓印光刻已經(jīng)存在了幾十年，但直到現(xiàn)在它才被廣泛用作生產(chǎn)級(jí)制造工具,。最初針對(duì)半導(dǎo)體制造,，其采用受到覆蓋對(duì)準(zhǔn)、吞吐量和缺陷率方面挑戰(zhàn)的限制,。相反,，NIL 已被其他行業(yè)采用，在這些行業(yè)中,，單層或有限層壓印是一種優(yōu)勢(shì)而不是障礙,。

特別是光子元件正在利用 NIL 的納米級(jí)功能，而沒(méi)有光學(xué)光刻的隨機(jī)或線(xiàn)邊緣粗糙度挑戰(zhàn)。生物醫(yī)學(xué)和基因組測(cè)序等其他應(yīng)用也在采用 NIL 制造,，以比其他制造技術(shù)低得多的成本將其產(chǎn)品推向市場(chǎng),。