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大聯(lián)大品佳集團推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案

基于Infineon產品
2024-01-09
來源:大聯(lián)大控股

  2024年1月4日,致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下品佳推出基于英飛凌(Infineon)XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS? MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案,。

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  圖示1-大聯(lián)大品佳基于Infineon產品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的展示板圖

  當前,全球對于可再生能源的關注度日益提高,,作為一種可持續(xù)發(fā)展的清潔能源,太陽能已被廣泛應用于家庭,、工業(yè)和商業(yè)等各個領域,。然而,隨著太陽能的應用范圍進一步擴大,,業(yè)內迫切需要更高效率的能源轉換技術來提升太陽能系統(tǒng)的性能,。對此,大聯(lián)大品佳基于Infineon XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS? MOSFET推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋(PSFB)方案,,其通過先進的半導體器件及控制算法將PSFB拓撲設計的效率達到了全新水平,。

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  圖示2-大聯(lián)大品佳基于Infineon產品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的場景應用圖

  XMC4200是一款基于Arm? Cortex?-M4內核的工業(yè)級微控制器,具有16位和32位Thumb2指令集,、DSP/MAC指令,、浮點單元、存儲器保護單元以及嵌套矢量中斷控制器,。內部集成了16KB引導ROM,,擁有多達16KB高速程序存儲器、24KB高速數(shù)據(jù)存儲器和256KB帶閃存以及豐富的通信外設,,能夠在嚴苛的工業(yè)環(huán)境中實現(xiàn)出色的性能,。

  CFD7 CoolMOS? MOSFET是Infineon旗下CFD7系列具有集成快速體二極管的高壓超級結MOSFET技術的產品,非常適用于高功率SMPS應用,,如服務器/電信/EV充電站等,。通過將表面貼裝器件(SMD)封裝中的一流600V CFD7 CoolMOS? MOSFET與150V OptiMOS? 5同步整流器結合使用,可以在buck模式下實現(xiàn)98%的效率,,在boost模式下實現(xiàn)97%的效率,。

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  圖示3大聯(lián)大品佳基于Infineon產品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的方塊圖

  得益于半導體產品的出色性能和先進SMD封裝技術以及創(chuàng)新的堆疊磁性結構,本方案可實現(xiàn)4.34 W/cm3(71.19 W/in3)的功率密度,,再一次證明了PSFB拓撲可以用作雙向DC/DC階段。并且在不改變傳統(tǒng)拓撲標準或構造的情況下,,實現(xiàn)更加出色的能源效率,。

  核心技術優(yōu)勢:

  • 具有高功率密度、高效率,;

  • 以相移全橋(PSFB)實現(xiàn)雙向能量轉換器,;

  • 具有20μs 140%加負荷,;

  • 以CFD7系列MOS實現(xiàn)高效率可能性;

  • 具有多種保護模式和可配置參數(shù),,提高產品設計靈活度,。

  方案規(guī)格:

  • 輸入電壓及頻率操作為:DC 380V;

  • 輸出電壓為:60V - 40V,;

  • 降壓模式效率高達98%,,升壓模式效率高達97%;

  • 功率密度為4.34 W/cm3(71.19 W/in3),;

  • 采用ThinPAK 封裝的Infineon CoolMOS?CFD7,。



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