半橋器件采用Trench IGBT技術,，可選低VCE（ON）或低Eoff，適用于大電流逆變級

　　美國 賓夕法尼亞 MALVERN,、中國 上海 — 2024年2月29日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S,、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S,、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N,。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造，為設計人員提供兩種業(yè)內先進的技術選件—低V_CE（ON） 或低E_off —降低運輸,、能源及工業(yè)應用大電流逆變級導通或開關損耗,。

　　日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)能效果優(yōu)于市場上其他器件的Trench IGBT，與具有超軟反向恢復特性的第四代FRED Pt^?反并聯(lián)二極管封裝在一起,。模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局,，與34 mm工業(yè)標準封裝100%兼容，可采用機械插接方式更換,。

　　這款工業(yè)級器件可用于各種應用的電源逆變器,，包括鐵路設備；發(fā)電,、配電和儲電系統(tǒng),；焊接設備,；電機驅動器和機器人。為降低TIG焊機輸出級導通損耗,，VS-GT100TS065S,、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，額定電流下,，集電極至發(fā)射極電壓僅為 ≤ 1.07 V,，達到業(yè)內先進水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應用,，開關損耗極低,，+125 °C，額定電流下,，Eoff僅為1.0 mJ,。

　　模塊符合RoHS標準，集電極至發(fā)射極電壓為650 V,，集電極連續(xù)電流為100 A至200 A,，結到外殼的熱阻極低。器件通過UL E78996認證,，可直接安裝散熱片,，EMI小，減少了對吸收電路的要求,。

　　新型IGBT功率模塊現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),，供貨周期為15周。

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