中文引用格式: 焦新泉,,朱振麟. Flash陣列無效塊管理[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用,,2024,50(3):42-47.
英文引用格式: Jiao Xinquan,,Zhu Zhenlin. Flash array invalid block management[J]. Application of Electronic Technique,,2024,50(3):42-47.
引言
近年來伴隨著航空航天領(lǐng)域的不斷發(fā)展,,獲取到的空間信息的種類也越來越多,數(shù)據(jù)量急劇增加,,對數(shù)據(jù)存儲裝置存儲速度和可靠性帶來了更大的挑戰(zhàn),。NAND Flash具有體積小、容量大,、成本低,、可多次擦除等優(yōu)點(diǎn),在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,。近年來,,大多數(shù)存儲裝置采用多片F(xiàn)lash組成陣列,并采用流水線的存儲機(jī)制來實現(xiàn)高速大容量的數(shù)據(jù)存儲[1],。其中鎂光半導(dǎo)體公司Luca Nubile等人提出了一種針對Flash存儲陣列的多線程控制算法,,該算法對系統(tǒng)的邏輯開銷、存儲速度和容量等性能就行了優(yōu)化[2],; 俄羅斯的Puryga等人研發(fā)的湯姆遜散射診斷數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)同樣包含多片存儲單元,它允許以5 GHz采樣率采集八通道數(shù)據(jù)[3],;但由于NAND Flash生產(chǎn)過程中工藝等問題,,每片F(xiàn)lash都不可避免存在無效塊,而且無效塊數(shù)量不定,,地址隨機(jī)[4],。這對Flash陣列數(shù)據(jù)存儲的可靠性帶來了一定的影響。若采用單片F(xiàn)lash壞塊的管理方法,,在往Flash中存儲數(shù)據(jù)之前對每一塊進(jìn)行掃描,,并生成壞塊信息表,這種方法應(yīng)用在Flash陣列的壞塊檢測中時,,會極大地限制存儲速度,,占用過多的內(nèi)部資源。
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作者信息:
焦新泉1,,2,,朱振麟1,2
1.中北大學(xué) 儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點(diǎn)實驗室 中北大學(xué) 電子測試技術(shù)國家重點(diǎn)實驗室