3 月 21 日消息,，據(jù)三星半導(dǎo)體微信公眾號(hào)發(fā)布的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì) 2024 簡(jiǎn)報(bào),，其正研發(fā) CMM-H 混合存儲(chǔ) CXL 模組,。該模組同時(shí)包含 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存,。

注：作為一種新型高速互聯(lián)技術(shù)，CXL 可提供更高的數(shù)據(jù)吞吐量和更低的傳輸延遲,，可在 CPU 和外部設(shè)備間建立高效連接,。

根據(jù)三星給出的圖示，這一模組可經(jīng)由 CXL 界面直接在閃存部分和 CPU 之間傳輸塊 I / O,，也可經(jīng)由 DRAM 緩存和 CXL 界面實(shí)現(xiàn) 64 字節(jié)的內(nèi)存 I / O 傳輸,。

CMM-H 模組可實(shí)現(xiàn)細(xì)粒度訪問(wèn)，降低 TCO,，同時(shí)也是可能的持久內(nèi)存選項(xiàng),。

根據(jù)三星展示的路線圖,，其計(jì)劃在今年上半年制作一款原型 CMM-H 產(chǎn)品,。該原型將配備基于 FPGA 的 CXL 1.1 控制器，采用 E3.L 2T 規(guī)格,，最大容量 4TB,，最大帶寬 8GB/s。

展望未來(lái)商用量產(chǎn) CMM-H 模組,，其基于 ASIC 的成熟控制器將支持 CXL 3.0 規(guī)范,，容量最大可選 16TB，最大帶寬提升至 64GB/s,，將于 2026 年準(zhǔn)備就緒,。

此外，在更傳統(tǒng)的 CXL-D 純內(nèi)存 CXL 存儲(chǔ)模組方面,，三星計(jì)劃明年一季度出樣 128GB 容量的第二代產(chǎn)品,，其采用 1b nm 制程 DRAM 顆粒，速度達(dá) 6400MT/s,。

明年三星還將豐富第二代 CXL-D 模組產(chǎn)品線,，512GB 和 256GB 容量產(chǎn)品隨后跟上,。