3 月 27 日消息,，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù),，運(yùn)行效率得以提升,。

根據(jù)之前報(bào)道,，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量,，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%,。

下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,，會(huì)導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失,。因此 ASML 提高了光學(xué)系統(tǒng)的放大倍率，從而將光線入射角調(diào)整回合適大小,。

但在掩膜尺寸不變的情況下,，增加光學(xué)系統(tǒng)放大倍率本身也會(huì)因?yàn)槠毓鈭?chǎng)的減少影響晶圓吞吐量。因此 ASML 僅在一個(gè)方向上將放大倍數(shù)從 4 倍提升至 8 倍,，這使得曝光場(chǎng)僅用減小一半,。

而為了進(jìn)一步降低曝光時(shí)間，提升吞吐量,，有必要提升光刻機(jī)載物臺(tái)的運(yùn)動(dòng)速率,。ASML 工程師就此開發(fā)了同時(shí)兼容現(xiàn)有 0.33NA 數(shù)值孔徑系統(tǒng)的新款快速載物臺(tái)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)。

對(duì)于 NXE:3800E 而言,，其光學(xué)原件同之前的 3600D 機(jī)型相同,，僅是配備了更高效的 EUV 光源，所以其吞吐量收益主要來(lái)自每次曝光之間的晶圓移動(dòng)加速,。與 3600D 相比,，3800E 的載物臺(tái)移動(dòng)速度提升至 2 倍，曝光步驟總時(shí)長(zhǎng)也大約減少了一半。

更快的運(yùn)行速度也帶來(lái)了能效的提升,，ASML 的發(fā)言人表示,，NXE:3800E 整體節(jié)省了約 20%~25% 的能源。