3D晶體管正在各種類型芯片中鋪開，3D DRAM內(nèi)存也討論了很多年,，但一直沒有落地,。如今三星公開的路線圖上，終于出現(xiàn)了3D DRAM,。
三星的DRAM芯片制造工藝目前處于1b，后續(xù)還有1c,、1d,，都是10nm級別。
再往后的10nm以下節(jié)點,，將分別命名為0a,、0b、0c,、0d,，其中打頭的0a工藝預計2027年底-2028年初量產(chǎn)(月產(chǎn)能超過2萬塊晶圓)，0d則要到2032年,。
就在進入10nm之后,，三星將全面開啟3D內(nèi)存時代，首先引入VCT(垂直通道晶體管),，看起來應該是基礎(chǔ)的FinFET類型,，而非更先進的GAA。
大約2030-2031年的時候,，三星將升級到堆疊DRAM,，將多組VCT堆在一起，從而獲得更大容量,、更高性能,，看起來還會引入電容器作為輔助。
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