4月17日消息,，美光公司近日宣布，已成功實(shí)現(xiàn)232層QLC NAND閃存的量產(chǎn),，并已向特定關(guān)鍵SSD客戶(hù)發(fā)貨,。這款革命性的閃存產(chǎn)品不僅面向消費(fèi)級(jí)客戶(hù)端,，同時(shí)還將為企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶(hù)和OEM廠商提供強(qiáng)大支持，其中就包括Micron 2500 NVMe SSD,。

美光強(qiáng)調(diào),，這款四層單元的NAND閃存新品代表了行業(yè)的一大突破，其層數(shù)和密度均達(dá)到前所未有的水平,。這種新型閃存不僅能實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)NAND閃存更高的存儲(chǔ)密度和設(shè)計(jì)靈活性,，還能有效縮短訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間，為各類(lèi)應(yīng)用提供更為流暢的體驗(yàn),。

美光的232層QLC NAND閃存憑借一系列卓越特性,，為移動(dòng)、客戶(hù)端,、汽車(chē),、邊緣計(jì)算及數(shù)據(jù)中心等多樣化存儲(chǔ)需求提供了無(wú)與倫比的性能。這款閃存產(chǎn)品不僅擁有全球最高的位密度,，相比上一代176層QLC NAND閃存,，其密度提升了高達(dá)30%。

在結(jié)構(gòu)上,，這款新品也展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢(shì),，其緊湊程度比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的最新產(chǎn)品高出28%。此外,，美光的232層QLC NAND閃存還具備業(yè)界領(lǐng)先的I/O接口速度,，高達(dá)2400 MT/s，較上一代產(chǎn)品提升了50%,。

在性能表現(xiàn)方面,，這款新型閃存同樣令人矚目。其讀取性能相比上一代176層QLC NAND閃存提升了24%,，而寫(xiě)入性能更是提升了31%,。這一系列的提升使得美光的232層QLC NAND閃存成為了市場(chǎng)上的佼佼者,。

值得一提的是,，知名存儲(chǔ)解決方案和定制企業(yè)級(jí)SSD設(shè)備制造商Pure Storage的總經(jīng)理Bill Cerreta對(duì)美光的這款新品給予了高度評(píng)價(jià),。他表示，美光的232層QLC NAND閃存是Pure Storage大容量DirectFlash模塊的核心組成部分,，其卓越性能將助力Pure Storage在2028年之前實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心全面取代機(jī)械硬盤(pán)的宏偉目標(biāo),。