4 月 19 日消息,，三星半導(dǎo)體近日在韓國官網(wǎng)刊登了對兩位高管關(guān)于 HBM 內(nèi)存方面的采訪,，采訪中這兩位高管表示,，三星計(jì)劃將 TC-NCF 工藝用于 16 層 HBM4 內(nèi)存的生產(chǎn),。

TC-NCF 是一種有凸塊的傳統(tǒng)多層 DRAM 間鍵合工藝,，相較于無凸塊的混合鍵合更為成熟,；但因?yàn)橥箟K的引入,，采用 TC-NCF 生產(chǎn)相同層數(shù)的 HBM 內(nèi)存會相對更厚,。

三星表示,，其前不久成功采用 TC-NCF 鍵合工藝推出了 12 層堆疊的 36GB HBM3E 內(nèi)存。在該內(nèi)存生產(chǎn)過程中,，三星針對發(fā)熱進(jìn)行了結(jié)構(gòu)優(yōu)化,，保證高堆疊層數(shù)下 HBM 的可靠性。

除繼續(xù)使用 TC-NCF 鍵合外,，根據(jù)IT之家此前報(bào)道,，未來三星在 HBM4 內(nèi)存生產(chǎn)中也會應(yīng)用混合鍵合，采用“兩條腿走路”的策略,。

三星高管表示,，如果 AI 處理器和內(nèi)存廠商各自優(yōu)化產(chǎn)品，很難滿足未來 AGI 對算力的需求,，因此兩方面的廠商需要通力合作,，而為特定 AI 需求定制 HBM 內(nèi)存就是邁向 AGI 的第一步。

三星電子將充分利用其全面的邏輯芯片代工,、內(nèi)存生產(chǎn),、先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，建立一個(gè) HBM 內(nèi)存定制生態(tài)平臺,，快速響應(yīng)用戶的定制需求,。

此外，三星電子已就未來的 3D HBM 內(nèi)存（將 HBM 和邏輯芯片垂直集成）與客戶進(jìn)行了討論,。