4 月 22 日消息,,英特爾近日宣布完成世界首臺商用 High NA EUV 光刻機的安裝,。
而在上周的一場電話會議上,英特爾院士馬克?菲利普斯(Mark Phillips)表示這臺耗資約 3.5 億美元(當(dāng)前約 25.38 億元人民幣)的龐然大物年內(nèi)就將啟用,。
菲利普斯是英特爾代工旗下邏輯技術(shù)開發(fā)部門的光刻,、硬件和解決方案主管。他表示英特爾將于今年晚些時候?qū)?High NA EUV 光刻機投入制程開發(fā)工作,。
英特爾將在 18A 尺度的概念驗證節(jié)點上對 High NA EUV 和傳統(tǒng) 0.33NA EUV 光刻的混合使用進行測試,,并在之后的 14A 節(jié)點上進入商業(yè)化量產(chǎn)階段。
菲利普斯預(yù)測 High NA EUV 光刻機至少可在三代的未來節(jié)點上沿用,,從而將光刻技術(shù)的名義尺度突破到 1nm 以下量級,。
關(guān)于未來光刻技術(shù)發(fā)展,,菲利普斯認為將光線波長進一步縮短至 6.7nm 會引入大量新的問題,包括明顯更大的光學(xué)組件,;在他眼中,,更高的數(shù)值孔徑(Hyper NA)是可能的技術(shù)方向。
對于 High NA EUV 光刻帶來的單芯片理論最大面積減小問題,,菲利普斯表示英特爾正同 EDA 企業(yè)一道就芯片“縫合”技術(shù)進行開發(fā),,以方便設(shè)計師使用。
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