4 月 24 日消息,，據(jù)韓媒 ETNews 報道,，三星電子正探索將混合鍵合技術(shù)用于邏輯芯片,，最早 2026 年推出采用 3D 封裝的 2nm 移動端處理器,。
注：混合鍵合技術(shù)是一種無凸塊（焊球）的直接銅對銅鍵合技術(shù),。相較采用凸塊的傳統(tǒng)鍵合技術(shù),，混合鍵合可降低上下層芯片間距,，提升芯片之間的電信號傳輸性能，增加 IO 通道數(shù)量,。
混合鍵合已在 3D NAND 閃存中使用,，未來即將用于 HBM4 內(nèi)存。新項目將是三星首次嘗試在邏輯芯片中應(yīng)用這一鍵合技術(shù),。
報道指,，三星目前將 2026 年下半年設(shè)定為 3D 移動處理器的量產(chǎn)時間，目標到時將每個 IO 端子之間的間距降低至 2 微米,，進一步提升 IO 數(shù)量,。
為實現(xiàn)這一目標，三星電子的代工和先進封裝部門已在進行合作,。
目前尚不清楚混合鍵合 3D 移動處理器將在三星自身產(chǎn)品還是代工項目上首發(fā),。未來這一技術(shù)有望擴展到 HPC 芯片等其他邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域。
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